外延结构对微波和毫米波 GaN HEMT短沟道效应、电子俘获和可靠性的影响

这篇文章是关于微波和毫米波氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMTs）的研究，特别关注了外延结构对短沟道效应、电子捕获和可靠性的影响。文章由Enrico Zanoni等人撰写，发表在IEEE Transactions on Electron Devices上。以下是文章的核心内容概述：

1. 背景与应用：氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMTs）因其高电流和功率密度、高击穿电压、高截止频率（fT）和最大振荡频率（fmax）以及效率等特点，成为毫米波功率放大器的理想选择。这些特性对于先进的雷达和5G/6G通信系统所需的增加带宽至关重要。

2. 短沟道效应：为了控制短沟道效应，需要减小栅极到通道的距离，并重新设计器件的外延结构。通过使用不同的材料（如AlN、InAl(Ga)N或ScAlN）替代AlGaN作为顶屏障层，即使在非常薄的顶屏障层下也能保持高2D电子气（2DEG）载流子密度。

3. 电子捕获与可靠性：为了减少热电子与掺杂GaN缓冲层中的补偿杂质和缺陷的相互作用，需要在通道和缓冲层之间设置一个后屏障。其他器件设计包括采用分级通道（控制电场）或采用氮极（N-polar）GaN生长（减少栅极和通道之间的距离，从而减弱短沟道效应）。

4. 器件性能：文章回顾了150纳米及以下栅长的深亚微米GaN HEMTs的最新进展，并讨论了不同外延结构器件的短沟道效应和频率分散效应之间的权衡。通过比较不同器件的测试结果，分析了各种解决方案在电流崩溃（CC）、分散效应和可靠性方面的优势和潜在缺点。

5. 陷阱效应：文章详细讨论了铁（Fe）掺杂和碳（C）掺杂对GaN HEMTs陷阱效应的影响。Fe掺杂主要用于提高器件在关断状态下的阻断电压，但会导致严重的CC效应。而C掺杂虽然可以提高器件的阻断电压和减少短沟道效应，但会导致CC、长时间恢复和记忆效应，以及潜在的可靠性问题。

6. 外延结构的改进：为了解决短沟道效应和分散效应之间的权衡，研究者们尝试了使用宽能带背屏障（无论是C掺杂还是未掺杂的）来减少2DEG电子与C掺杂GaN缓冲层中深能级之间的相互作用。这种方法在减少关断状态下的漏电流和CC方面取得了显著改进。

7. N极GaN HEMTs：N极GaN HEMTs提供了一个解决方案，其中2DEG靠近表面，AlGaN屏障位于未掺杂的GaN通道层下方。这种结构减少了栅极到2DEG的距离，同时保持了器件的高跨导。N极GaN HEMTs在45 GHz以下的频率范围内表现出优异的性能。

8. 结论：文章总结了通过改变器件外延结构来控制短沟道效应的方法，并强调了在短沟道效应和分散效应之间取得平衡的重要性。通过使用背屏障和适当的掺杂策略，可以实现高性能和高可靠性的GaN HEMTs。