器件与传统的硅基器件相比，拥有更高的临界击穿场强、更好的热
传导性能、更小的导通电阻、更高的电子饱和速度以及更小的芯片
面面积，这些优良特性使得基于
SiC
器件的电力电子装备拥有更小
的重量和体积，从而提高整个电力电子系统的功率密度与性能。
由于在芯片制备和器件封装过程中工艺的不均匀性，即使是同一型
号同一批次的器件，其阈值电压、跨导、导通电阻以及极间电容等
参数也会存在一定的差异。碳化硅在大功率的应用中，芯片的均流
问题随之凸显。并联必然会由于器件，回路和驱动的差异而产生不
同程度的不均流问题。
器件不均流会使得器件的损耗不同，发热不同。在稳定工作状态，
不同芯片之间必然有一定的温度差，才能保持此稳定工作状态。这
时总的功率就被温度最高的器件所限定。因此
SiC MOSFET
的均流
问题对于其并联以扩大功率等级有着重要的意义。
图 1 基于 TO247-4Pin 的 SiC 双管 并联的双脉冲电路示意图
图 2 下桥 SiC 双管并联的 双脉冲电路示意图
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