碳化硅 MOSFET（全碳化硅功率模块）短路特性及保护方法

SiC MOSFET短路特性及保护方法（完整资料下载百度网盘 请输入提取码  bief）
1.SiC MOSFET短路特性及失效机理。
2.SiC MOSFET短路保护原理及方法。
3.SiC MOSFET短路保护实例。
总结
■SiCMOSFET短路具有退饱和特性
■SiCMOSFET能够保证2-3us的短路时间
■SiCMOSFET短路保护方法有电流检测、杂散电感压降检测、门极电荷检测 及退饱和电压检测
■SiCMOSFET短路能力是与导通特性以及可靠性折中的结果
■使用退饱和检测方法实现对SiCMOSFET的短路检测,需要适当调节消隐时间 及灵敏度