数字芯片功耗分析

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数字芯片的功耗分为动态功耗和静态功耗两大部分。动态功耗是芯片正常工作时由于信号翻转产生的功耗，而静态功耗是电路在没有翻转时，晶体管中漏电流造成的功耗。

动态功耗

对于CMOS电路来说，动态功耗又分为开关功耗和短路功耗。开关功耗为电路翻转时对负载电容进行充放电导致的功耗; 短路功耗为输入翻转时，由于信号的翻转不是在瞬时完成的，那么在翻转的过程中总有一段时间会导致NMOS和PMOS同时导通，那么相当于在VDD和GND之间形成了短路，瞬间短路电流形成的功耗。

开关功耗

开关功耗可以用如下公式表示：

式中，C为结电容，VDD为供电电压， f为系统时钟频率，Nsw为单周期内翻转晶体管数目。

短路功耗

短路功耗可以用如下公式表示：

式中，Qsc为翻转过程中的短路电量，VDD为供电电压，f为系统时钟频率，Nsw为单周期内翻转晶体管数目。

因此，动态功耗可以用如下公式表示：

由上式可以看出，动态功耗的大小与工作频率成正比，与工作电压的平方成正比。

静态功耗

静态功耗（Leakage Power）主要是由于泄露电流而导致的功耗，根据重要性可以分为以下四个部分：
1、亚域值漏电流Isub: 从Drain经过弱反形层流向Source的电流
2、栅电流Igate：由于隧道效应和热载流子效应，由Gate经薄栅氧流向Sub的电流
3、由Gate引起的Drain电流IGIDL：由于Drain端的强电场引起的由Drain流向Sub的电流
4、结反偏电流Irev：反偏结耗尽区少子漂移和电子空穴对产生形成的由Drain、Source到Sub的电流
静态功耗可以用如下公式表示：

式中，Ileak为漏电流，VDD为供电电压，其中，静态漏电流的大小与工艺相关。
由上式可以看出，静态功耗与工作电压成正比。

常用的降低功耗的方法

在数字IC设计中，我们常见的降低功耗的方法有哪些呢？方法如下：

另外，阈值电压(Vt)指的是MOS管的阈值电压（threshold voltage）：当栅源电压（Vgs）由0逐渐增大，直到MOS管沟道形成反型层所需要的电压为阈值电压。
Vt类别:
HVT：High Voltage Threshold
SVT：Standard Voltage Threshold
LVT：Low Voltage Threshold
ULVT：Ultra Low Voltage Threshold

不同Vt cell的区别：
HVT cell的阈值电压高，但是功耗低，速度慢；LVT cell的阈值电压低，但是功耗高，速度快；SVT cell介于两者之间：
速度：HVT<SVT<LVT<ULVT
延迟：HVT>SVT>LVT>ULVT
功耗：HVT<SVT<LVT<ULVT

总结

随着CMOS工艺的进步，电源电压减小，降低了动态功耗；同时，阈值电压Vt降低（阈值电压越小，漏电流越大），增大了静态功耗。