MBIST——存储器内建自测试

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MBIST存储器内建自测试

Memory read assist
Sram的读操作如下面gif所示，有Precharge->Select Wordline->Sense Amplifer strobe

其中select wordline的电压会影响pass gate的电流，wordline电压越高，pass gate的电流越大，cell的内容就越容易丢失。

read assist 就是减少wordline的select电压，减少pass gate的电流对cell的disturb.

FUSE_SRC

UM065EFUSP19219210_A UMC 65 nm Logic 1.0 V Standard Performance Process 192 Bits eFuse Datasheet

Efuse–芯片存储

Efuse–电编程熔丝