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MBIST存储器内建自测试
Memory read assist
Sram的读操作如下面gif所示,有Precharge->Select Wordline->Sense Amplifer strobe
其中select wordline的电压会影响pass gate的电流,wordline电压越高,pass gate的电流越大,cell的内容就越容易丢失。
read assist 就是减少wordline的select电压,减少pass gate的电流对cell的disturb.
FUSE_SRC
UM065EFUSP19219210_A UMC 65 nm Logic 1.0 V Standard Performance Process 192 Bits eFuse Datasheet