ENJ2005-B 半导体分立器件测试系统

系统概述：

设备扩展性强，通过选件可以提高电流和测试范围。支持电流阶梯升级至1250A。采用脉冲测试法，脉冲宽度为美军标规定的300uS。在PC窗口提示下输 入被测器件的测试条件点击即可完成测试任务。被测器件引脚接触自动判断功能。系统采用带有开尔文感应结构的测试工装，自动补偿由于系统内部及测试电 缆长度引起的压降，保证测试结果准确可靠。 面板显示装置可及时显示系统的各种工作状态和测试结果,前面板的功能按键方便了系统操作。通过功能按键，系统可以脱离主控计算机独立完成多种工 作。系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口，可以支持各种不同辅助设备的连接使用。

测试参数：

漏电参数：IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)

击穿参数：BVCEO BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、 BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、 VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、 BVGSS、 BVGKO

增益参数：hFE、CTR、gFS、

导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VGETH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDON、 Notch = IGT1，IGT4、ICON、VGEON、VO(Regulator)、IIN(Regulator)

混合参数：rD