半导体光放大器

公众号：lightigo

1、SOA半导体光放大器的分类

2、半导体光放大器的增益饱和

高功率半导体光放大器其输出能量受到饱和能量和放大的自发辐射的限制

增益饱和能量：

增益饱和：

当输入光功率一定时，增益随着注入载流子的浓度增加而增加，但当注入的载流子浓度过大时，增益会饱和甚至下降；当注入载流子的浓度一定，输出功率随着输入功率的增加而增加，但当输入光功率过大时，由受激辐射引起的载流子消耗速率过大，产生增益饱和或下降。

造成增益饱和的原因：SOA有源区材料中的电子和光子相互作用，不论是增益介质内部产生的光子还是外来的光子，由他们引起的受激辐射消耗载流子的速率与载流子及时补充到相应能级的速率有关。除受激辐射外，其他因素所消耗的载流子速率也会发生变化，从而对SOA的增益饱和产生不利影响。

3、半导体光放大器的噪声特性

噪声特性：SOA的噪声主要是由于增益介质内电子与光子的相互作用导致的光强与相位的随机起伏。用噪声指数来描述，主要噪声源是信号光与放大的自发发射（ASE）的拍噪声和自发发射分量之间形成的拍噪声。

噪声的影响：SOA中的ASE噪声不仅会恶化级联的SOA的噪声特性，还会使单个SOA的饱和输出功率降低。

降低SOA噪声的措施：应尽量减小端面（尤其是输入面）的反射率以及

增益介质波导的损耗系数。

SOA稳态模型的建立：

半导体内部的载流子和光子相互作用的复杂性使得SOA进行解析求解几乎不可能，所以在此建立离散的数值模型。

这篇比较枯燥，主要是SOA的稳态模型，稳态模型就是在一定的注入电流且入射光功率保持不变的情况下，SOA内部的载流子浓度和光子密度分布不随时间发生变化，达到一个稳定的状态。

首先需要知道SOA的载流子浓度速率方程：

等式右边第一项是注入电流导致增加的载流子浓度速率，V代表有源区的体积；第二项是自发辐射复合以及非辐射符合导致的载流子消耗速率；第三项是自发辐射的光放大导致的载流子消耗速率；最后一项是受激辐射导致的载流子消耗速率。其中第二项可以写成下面的形式：是与载流子的浓度呈三次多项式的关系，载流子的浓度可以通过第一项乘以载流子的寿命求得。

A1表示由缺陷和捕获中心引起的非辐射复合系数，B2是双分子复合系数，C3是俄歇复合系数。这样载流子浓度速率方程还差后面两项才能求解，而后面两项就跟光子密度有关。下式是光子密度的传输方程，可以据此求出光子密度的传输增益。

为了求解后面两项，我们将SOA进行分段处理如下图所示分为M段，每一段的光子密度就可以近似不变。

先分析最后一项由受激辐射导致的载流子浓度的损耗速率，首先它是由外部光激发导致的，所以跟入射的光功率有关，假如入射光功率是P，那么入射的光子密度Sin就是P/hv*A*Vg，hv是单光子能量，h是普朗克常数，A是有源区的截面面积，Vg是群速度。这样就知道了入射的光子密度，下式是SOA光子密度传输的边界条件：

光子密度的单段传输增益是：

这样知道了边界条件，又知道传输的增益，我们就可以求出每一段的一个光子密度S+和S-，每一段的平均光子密度可以通过下式求出：

这样载流子浓度速率方程的最后一项就可以求出来了。

然后还差第三项，由自发辐射的光放大引起的载流子消耗速率，第三项的方程式如下，所以看出你必须求出自发辐射在每段的平均光子密度

它的光子密度传输方程如下：

上式中右边第二项是自发辐射产生的光子密度，也是初始值。这个和上面的受激辐射的有点不同，因为自发辐射没有Sin这一项，是自身材料产生辐射引起的。根据这个传输方程，也可以得出增益和受激辐射的一样如下式：

然后也是利用和上面一样的边界条件以及增益传输来求得每一段的S+和S-光子密度（注意与受激辐射有一点不同是每一段传输的过程中，不仅有光放大的增益还有自身的自发辐射）

根据S+和S-求出每一段的平均光子密度，之后就可以由下式求出第三项的值。

至此所有项的求解已经结束，载流子浓度速率方程得出。

在MATLAB里用while循环，最后dn/n接近于0时，就代表达到稳态，此时就可以得到最后输出的光功率大小以及光子密度分布。

---

附录：

材料增益系数由下式给出：