3. 带隙基准源

最新推荐文章于 2023-10-23 15:08:35 发布

是个小智子

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分类专栏：模拟IC设计文章标签：硬件工程

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本文详细解析了带隙电压基准的工作原理，涉及正负温度系数的电压组合抵消温度影响，以及电路设计中如何通过运放和三极管实现零温度系数基准。还包括了电路的仿真分析，如电源扫描、温度扫描和电源抑制比计算，以及存在的疑问和讨论。

摘要由CSDN通过智能技术生成

1. 原理分析

带隙电压基准的基本原理是将两个相反温度系数的电压相加，最终获得具有零温度系数的基准电压。例如，电压V+拥有正温度系数，电压V-拥有负温度系数，选择合适的m和n，使得满足：
$m\frac {\partial V_+}{\partial T}+n\frac {\partial V_-}{\partial T} =0$

● 负温度系数电压来自于双极性晶体管：
$\begin{aligned} & V_{BE} = V_Tln{\frac {I_C}{I_S}}\\[2ex] & I_S = bT^{4+m}e^{\frac{-E_g}{kT}}\\[2ex] \frac {\partial V_{BE}}{\partial T} =& \frac{V_{BE}-(4+m)V_T-E_g/q}{T} \end{aligned}$

当T=300K时：
$\begin{aligned} V_{BE} = 600mV\ ⇒\ \ \frac {\partial V_{BE}}{\partial T}≈-2.2mV/℃ \\[2ex] V_{BE} = 700mV\ ⇒\ \ \frac {\partial V_{BE}}{\partial T}≈-1.9mV/℃ \end{aligned}$

● 正温度系数电压来自于热电压V_T：
$\begin{aligned} ΔV_{BE} &= V_Tln{\frac {I_{C2}}{I_{S2}}}-V_Tln{\frac {I_{C1}}{I_{S1}}} \\[2.5ex] &=V_Tln{\frac {I_{C2}}{I_{C1}}\frac {I_{S1}}{I_{S2}}} =V_TlnN =\frac {kT}{q}lnN \end{aligned}$

如果取I_C1=I_C2的话，N为两个双极型晶体管的尺寸比例。
$\begin{aligned} \frac {\partial ΔV_{BE}}{\partial T} &=\frac {k}{q}lnN \\[2.5ex] &=\frac {kT_0}{qT_0}lnN =\frac {V_{T0}}{T_0}lnN \\[2.5ex] &=\frac {26mV}{300K}lnN≈0.087·lnN\ \ mV/℃ \end{aligned}$

●如果将正负温度系数的电压相加，即可近似抵消温度变化带来的影响：
$\begin{aligned} V_{T+} &=V_{BE}\\[2ex] V_{T-} =& \ V_TlnN\\[2ex] V_{ref} =V_{BE}&+KV_TlnN \end{aligned}$

已经知道V_BE温度系数约为-2mv/℃，V_T温度系数约为0.087×lnN mv/℃.因此满足下面条件就能近似得到零温度系数的基准。
$\begin{aligned} \frac{\partial V_{ref}}{\partial T} &≈-2+0.087·KlnN=0\\[2.5ex] KlnN&≈23 \end{aligned}$

2. 电路分析

图2.1 带隙基准源电路图

图2.1是一个带隙基准源的一种电路结构。通过运放使X和Y点有相同的电位，Q₁Q₂和Q₃流过的电流分别为I₁I₂和I₃，基准输出为：
$\left\{ \begin{aligned} V_{out}&=V_{BE}+I_3R_2 \\[2.5ex] I_3\ &=\frac {V_{BE1}-V_{BE2}}{R_1}=\frac {ΔV_{BE}}{R_1} \end{aligned} \right.$

$\begin{aligned} V_{out}&=V_{BE}+\frac {ΔV_{BE}}{R_1}R_2 \\[2.5ex] &=V_{BE}+(\frac {R_2}{R_1}lnN)·V_T \\[2.5ex] &≈V_{BE}+23·V_T \end{aligned}$

3. 电路设计

图2.1的电路包括带隙基准的核心电路和运放两个部分，运放可以直接使用之前设计的电路，必要时稍作改动即可。因此这次只需要设计核心电路部分。图3.1中间分开，左边是运放，右边是带隙基准的核心电路。

图3.1 带隙基准源电路

① 首先给定带隙基准源三条支路电流都是0.15uA，这样就可以根据g_m/i_d法确定三个PMOS管的参数。
② Q₁Q₂和Q₃的尺寸为1：7：1.
③ R₁决定电流大小，因此根据I₂=0.15uA，扫描得到R₁=341kΩ.
④ 从-40—125对温度扫描，确定最佳的R₂=3.743MΩ.

4. 仿真分析

4.1.电源dc扫描

图4.1 电源dc扫描

4.2.温度扫描

图4.2 温度扫描

4.3.环路稳定性

图4.3 环路稳定性

4.4.电源抑制比

将图2.1中的运放的小信号输出记为v_g3，运放增益记为A₀，电源叠加的扰动记为v_dd .
$\left\{ \begin{aligned} v_x\ &=(v_{dd}-v_{g3})g_{m3}(r_{o3}∥r_{o1}) \\[2.5ex] &≈(v_{dd}-v_{g3})g_{m3}r_{o1} \ \ \ \ \ \ \ \ \ \ \ \ \ \ \ \ \ \ \ \ \ \ \ \ \ \ \ ( r_{o1}≪r_{o3} ) \\[2.5ex] v_y\ &=(v_{dd}-v_{g3})g_{m4}[r_{o4}∥(R_1+r_{o2})] \\[2.5ex] &≈(v_{dd}-v_{g3})g_{m4}R_1 \ \ \ \ \ \ \ \ \ \ \ \ \ \ \ \ \ \ \ \ \ \ ( r_{o2}≪R_1≪r_{o4}) \\[2.5ex] v_{g3}&=(v_y-v_x)A_0 \\[2.5ex] g_{m3}&=g_{m4}=g_{m5} \end{aligned} \right.$
整理后得到运放的输出v_g3和基准输出v_out：

$\begin{aligned} &\ \ \ v_{g3}=\frac{v_{dd}A_0g_{m4}R_1}{1+A_0g_{m4}R_1} \\[2.5ex] v_{out}&=(v_{dd}-v_{g3})g_{m5}[r_{o5}∥(R_2+r_{o3})] \\[2.5ex] &≈(v_{dd}-v_{g3})g_{m5}R_2 \\[2.5ex] &=\frac{v_{dd}}{1+A_0g_{m4}R_1}g_{m5}R_2 \\[2.5ex] &≈v_{dd}\frac{R_2}{A_0R_1} \end{aligned}$