CMOS门电路(OD门、传输门、双向模拟开关、三态门)

最新推荐文章于 2024-08-20 23:34:05 发布
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分类专栏： 数字电路
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【 1. MOS管】

MOS管：绝缘栅型场效应管。
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【 2. CMOS电路】

当NMOS管和PMOS管成对出现在电路中，且二者在工作中互补，称为CMOS管(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)。

电路结构

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拉电流

如下图所示，输入低电平，经过CMOS反相器，输出为高电平。电流从CMOS流向负载，该电流称为拉电流。
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灌电流

如下图示，输出高电平，经过CMOS反相器，输出为低电平。电流从负载流向CMOS,该电流称为灌电流。
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【 3. 多余输入端的处理】

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【 4. 扇出系数】

扇出系数：逻辑门所能够驱动同类门（输入端）的个数。
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【 5. 输入噪声容限】

因为在将许多门电路相互连接组成系统时，前一级门电路的输出就是后一级门电路的输入，即允许前一级输出电压的变化范围称为输入噪声容限。

提高噪声容限的方法

增大VDD
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【 6. 电压、电流的传输特性】

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【 7. 静态输入、输出特性】

静态输入特性

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静态输出特性

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【 8. 动态特性】

①传输延迟时间

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②交流噪声容限

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③动态消耗

逻辑电路输出状态发生变化时的消耗，包括两种：PT、PC。
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【 9.其他类型的CMOS门电路】

一 . 普通电路

①与非门

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②或非门

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二. 带缓冲极的CMOS门

①与非门

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②与非门CMOS缺点解决办法

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三. OD门 (漏极开路的门电路)

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O D 门 ： 可 实 现 线 与 功 能 的 与 非 门 C M O S 结 构 电 路 Y = ( A B ) ′ OD门：可实现线与功能的与非门CMOS结构电路Y=(AB)' OD门：可实现线与功能的与非门CMOS结构电路Y=(AB)′
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①电平转换

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②线与功能

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四. CMOS传输门及双向模拟开关

①传输门

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②双向模拟开关

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五. 三态输出门

①电路结构

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三 态 门 ： 可 实 现 总 线 功 能 的 非 门 C M O S 结 构 门 电 路 三态门：可实现总线功能的非门CMOS结构门电路 三态门：可实现总线功能的非门CMOS结构门电路

②用途

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【 10.CMOS门电路优点】

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【 11. CMOS命名】

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MR_Promethus
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Design1.CMOS工艺OD门，传输门，三态门原理应用浅析
Gary的IC小站
10-25 4116
纲要 OD门 传输门 三态门 1.OD门 i. 概念 在CMOS电路中为了满足输出电平变换，吸收大负载电流以及实现线与连接等需要，需要将输出级电路结构改为漏极开路输出的MOS管，构成漏极开路输出(Open-Drain Output)门电路，简称OD门。 ii.电路原理 iii.应用 a.输出电平变换 如上图所示，可实现VDD1->VDD2的电平转换； b.吸收大负载电流 略； c.实现线与连接 非OD门线与风险： OD门线与： iv.外
数电学习（三、半导体二极管门电路）（二）
y_u_yu_yu_的博客
10-11 867
所有门电路都要求输出理想的高低电平，而在直流系统当中，在直流电压的情况下，最理想的高低电平就是他的电源和地。按照这种想法，我们可以说，一个门电路，无论进行任何的逻辑运算，最后的结果就是想把输出上拉至高电平，或下拉至低电平。
组合逻辑-传输门
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GuoFengZhuo
08-20 883
模拟开关是一种利用固态半导体技术控制模拟信号传输路径的电子器件。其开合状态通常受数字逻辑网络的控制。市面上的模拟开关种类繁多，形态各异，例如，有单极或双极常开（NO）或常闭（NC）、单刀单掷（SPST）、单刀双掷（SPDT）等配置，与传统的电磁继电器和接触点类似，但仍有更快地响应和更低地成本。特殊的模拟开关例如，CMOS 4016，具备独特的双向传输能力，适合用作传输门（Transmission Gate，简称TG）。传输门特性。
CMOS传输门
wwy1231的博客
09-19 1万+
将MOS管的源极和衬底之间的连线断开，这样MOS管的源极和漏极就能互换使用，利用PMOS管和NMOS管的互补特性，将这俩个异性MOS管对称排列起来，PMOS管的衬底接入高电平，NMOS管的衬底接入0V压降，将俩个MOS管的栅极作为控制端，分别接入一对互为反相的控制信号C与C非，这样通过控制栅极与衬底之间的电位差，就可以控制导电沟道的阻值。将俩个MOS管的源极直接相连做为输入端子，漏极连接在一起做为输出端子，由于这种MOS管的漏极和源极完全可以互换使用，因而这种电路的输入端与输出端也可以互换，
MOS管及简单CMOS逻辑门电路原理图
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source: click here  现代单片机主要是采用CMOS工艺制成的。 1、MOS管      MOS管又分为两种类型：N型和P型。如下图所示：         以N型管为例，2端为控制端，称为“栅极”；3端通常接地，称为“源极”；源极电压记作Vss，1端接正电压，称为“漏极”，漏极电压记作VDD。要使1端与3端导通，栅极2上要加高电平。       对P
三态输出的CMOS门电路（2021.3.5）
qq_38374491的博客
03-05 6061
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qq_74114817的博客
04-05 2897
的应用比较广泛，在数字电路和模拟电路中均有作用。在数电中：作为基本单元电路构成各种逻辑电路；在模电中：可在取样-保持电路、斩波电路、数模转换器中传输模拟信号，所以又叫。
23CMOS集成门电路PowerPoint演示文.pptx
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CMOS传输门，又称双向模拟开关，可以在两种状态下工作：导通和截止。导通时，它能像短路一样传输信号，关断时，信号无法通过，具有低导通电阻和高关断电阻的特点。三态门和漏极开路门则进一步扩展了CMOS电路的功能，...
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06-02
【数字电子技术：ch03 逻辑门电路】 在数字电子技术中，逻辑门电路是...- CMOS传输门的作用，作为双向模拟开关的功能。 学习这些内容有助于理解和设计数字电路，同时在接口设计、系统集成和优化等方面发挥关键作用。
CMOS构成的常见电路
weixin_34194087的博客
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CMOS门电路 以MOS（Metal-Oxide Semiconductor）管作为开关元件的门电路称为MOS门电路。由于MOS型集成门电路具有制造工艺简单、集成度高、功耗小以及抗干扰能力强等优点，因此它在数字集成电路产品中占据相当大的比例。与TTL门电路相比，MOS门电路的速度较低。 MOS门电路有三种类型：使用P沟道管的PMOS电路、使用N沟道管的NMOS电路和同时使用PMOS和NMOS管的...
开关技术中的CMOS开关电路原理
10-20
图1为CMOS模拟开关电路原理图。它克服了NMOS模拟开关电路Ron虽vI增大而增大的缺点，扩大输入信号幅度的范围；而且可以在CMOS电路基础上增设辅助电路，消除NMOSFET的衬底效应对Ron的影响。 　　 　　图1 CMOS开关电路原理 　　假定控制信号vc高电平VCH=VDD为逻辑“1”,低电平VCL=-Vss（取Vss=VDD）为逻辑“0”.T1衬底电压VB1=-Vss,T2衬底电压VB2=VDD.从图可知，vc直接输送到T1的栅极，而T2的栅极电压是vc经非门（T3、T4组成）倒相后的电压。当vc=“1”时，VG1=VDD,VG2=-Vss.所以当vI为接近-Vss低电平时，v
4066四双向模拟开关
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入门CMOS门电路
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文章目录CMOS定义PMOS与NMOS两种MOS管的定义CMOS反相器用CMOS搭建逻辑门与非门或非门三态门 CMOS定义 在CMOS集成电路中，以金属-氧化物-半导体场效应晶体管作为开关器件。这种器件简称MOS管。作为CMOS电路，具有功耗低，抗干扰能力强，使用电压范围较大的优势。 PMOS与NMOS两种MOS管的定义 PMOS即以N型半导体作为衬底，同样NMOS以P型半导体作为衬底，衬底上具有两个高掺杂浓度的P或者N型区，形成了MOS管的源极(S)和漏极(D)。第三个电极称为栅极(G)，通常以金属铝或者
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门电路特点cmos传输门
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CMOS传输门是一种常用的数字逻辑电路门电路。CMOS传输门有以下几个特点。 首先，CMOS传输门的功耗较低。这是因为CMOS传输门采用了复合结构，由PMOS和NMOS晶体管组成。在静态情况下，只有一个晶体管是导通的，另一个是截止的，因此电路的功耗较低。 其次，CMOS传输门的输入电阻较高。CMOS传输门的输入端是由PMOS和NMOS晶体管串联而成，所以输入电阻相对较高。这使得CMOS传输门对于外部干扰信号的抗干扰能力较强。 此外，CMOS传输门的输出电阻也较高。CMOS传输门的输出端由PMOS和NMOS晶体管并联而成，因此输出电阻相对较高。这提高了CMOS传输门的噪声容限能力，减小了信号失真。 最后，CMOS传输门具有较大的工作电压范围。CMOS传输门的PMOS和NMOS晶体管工作在互补的电压范围内，可以适应较大的输入电压幅值。 综上所述，CMOS传输门具有低功耗、抗干扰能力强、噪声容限高和较大的工作电压范围等特点。因此，在数字电路设计中，CMOS传输门广泛应用于各种逻辑电路和信号处理电路中。
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