Silvaco学习笔记（十一）方块电阻

最新推荐文章于 2025-01-17 09:39:59 发布
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方块电阻

画了个图：

ρ单位：Ω*m

ohm：等同于欧姆

例子：（目标需求是电阻率，提取到的是方块电阻，怎样进行换算）

提取结果：

EXTRACT> extract name="I sheet rho" sheet.res material="Silicon" mat.occno=1 x.val=50 region.occno=1
I sheet rho=103488 ohm/square  X.val=50

方块电阻=103488ohm（Ω）

目标：

需要进行单位转换。

厚度d=500um

ρ=I sheet rho*d=103488*500um=5174.4Ω*cm>5000欧姆

满足要求。

5000Ω*cm等价于该器件方块电阻=10e5Ω

方块电阻及其测量方法
阿拉伯梳子的专栏
02-22 1万+
测量薄膜的绝对电阻需要精确知道薄膜的几何尺寸（长度、宽度、厚度），变量很多，对于非常薄或不规则形状的薄膜，十分复杂。而方阻仅与薄膜的厚度有关，可以快速地被直接测试出来，无需复杂的尺寸计算。四探针法可测量方阻电阻范围从1E-3到1E+9Ω/sq之间的方阻。四探针法可以避免由于探头和样品之间的接触电阻而产生的测量误差。，是一个材料固有的性质，表征了该材料对电流流动的阻碍程度。，半导体薄膜需要测方阻，而绝缘薄膜则不需要测。在硅基外延生产过程中，通常也会测试方块电阻。在半导体掺杂中，也会测硅的方阻。
方块电阻的介绍与应用
08-08
方块电阻有一个特性，即任意大小的正方形测量值都是一样的，不管边长是1米还是0.1米，它们的方阻都是一样，这样方阻仅与导电膜的厚度等因素有关，表征膜层致密性，同时表征对热红外光谱的透过能力，方块电阻测量数值愈大，则隔离热红外性能越差，方块电阻测量数值愈小则隔离热红外性能越好。
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上一次已经写了以下关于器件结构的仿真，这一次就写一下器件的特性，所使用的sentaurus的版本为2018版，可能会因为版本问题而导致跑出来的结果不一样，但是可以修改材料参数，我使用的是2018版自带的4H-SiC材料参数。很多材料参数可以从http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/index.html来查找，不过有些参数比较老，个人建议还是使用新的软件自带的参数。 OK，还是老规矩，先上代码 Electrode { { Name="emitterright" Vo
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学习目标 DeckBuild 的命令 “extract”、“go”、“set”和“Tonyplot” Silvaco 文档的分布和学习方法。 Silvaco语法格式 Silvaco 的语法结构组成：（一个语句只有一个命令， 而参数可以有多个） command (器件仿真时的“statement”作用同此“command”) parameter 通用格式： COMMAND PARAMETER1=<n> PARAMETER2=<c> [PARAMETER3 | PARAM.
Silvaco学习笔记（一）毕设相关
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本章讨论信号完整性中的电阻。
聊聊方块电阻是什么
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通过这些metal的方块电阻，我们可以在做floorplan的时候，对整体power mesh布局方式（比如走几层金属，金属的宽度和长度，DVDD DVSS之间的距离等等）以及esd clamp的距离（drc rule中有明确规定）有较为超前的把控，避免后期因为ir-drop太高，抗esd能力较差而重新返工。而横截面积S=W * H ，其中W为导体宽度，H为导体高度，因此 R = ρ * L / （W * H），而我们常聊到的方块电阻则是当L=W是得到的Rsq = ρ / H;
Silvaco新手修炼手册（入门学习方法与参数英文声明）
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自己记录的而已
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