肖特基接触

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1. 功函数的差异导致电子迁移

金属的功函数 (${\Phi }_m$) 和半导体的功函数 (${\Phi }_s$) 通常不同，功函数是将电子从材料内部提取到真空所需的最小能量。

两种情况：

1. 如果 ${\Phi }_m>{\Phi }_s$：

   • 金属的势能更高，半导体的导带较低。
   • 电子会从半导体流向金属，因为半导体中的电子具有较高的能量，容易“越过”势垒。
   • 导致半导体导带上移，直到半导体的费米能级与金属的费米能级达到平衡。
   • 这种情况下，半导体在界面处形成了耗尽区（Depletion Region）。

2. 如果 ${\Phi }_m<{\Phi }_s$：

   • 电子会从金属流向半导体，形成积累层（Accumulation Layer）。

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2. 费米能级对齐：势垒形成

金属和半导体接触时，费米能级（Fermi Level, $E_F$）需要达到热力学平衡，也就是两者的费米能级趋于一致。

• 半导体的导带和价带相对于费米能级的位置会发生变化。
• 如果 ${\Phi }_m>{\Phi }_s$，半导体的导带和价带被“抬高”：
  • 导带靠近金属的部分高于导带远离金属的部分，形成一个上升的导带势垒（Schottky Barrier, ${\Phi }_B$）。
  • 导致靠近金属的区域内，半导体的自由电子被耗尽，剩下固定的施主离子（Donor Ions）。

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3. 耗尽区的形成

关键点：耗尽区是由于电子重新分布造成的。

1. 半导体靠近金属的部分，自由电子流向金属。

   • 自由电子减少后，留下的是固定的施主离子（正电荷）。
   • 这些固定的施主离子形成了耗尽区，耗尽区的宽度用 $w$ 表示。

2. 金属一侧则由于电子积累形成负电荷。

   • 这个负电荷会产生一个向半导体方向的电场。
   • 电场的作用是阻止进一步的电子转移，达到平衡时电场强度为零。

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4. 泊松方程的应用

为了量化耗尽区内的电势和电荷分布，需要使用泊松方程：
$${\nabla }^{2}V(r)=-\frac{\rho (r)}{ϵ}$$

在肖特基接触中：

1. 半导体耗尽区的电荷密度为固定的 $\rho =q{N}_D$，即每单位体积内固定离子的电荷密度。

2. 假设电势仅沿 $x$-方向变化（即平面肖特基接触），泊松方程简化为：
   $$\frac{d^{2}V(x)}{d{x}^2}=-\frac{q{N}_D}{ϵ}$$

3. 解方程时，边界条件是：

   • 在耗尽区以外（ $x>w$），电场和电势趋于零。
   • 在耗尽区边界（ $x=w$），电势值为肖特基势垒高度 ${\Phi }_B$。

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5. 肖特基势垒高度 (${\Phi }_B$)

肖特基势垒高度是金属-半导体接触的一个关键参数，定义为：
$${\Phi }_B={\Phi }_m-\chi$$
其中：

• ${\Phi }_m$：金属的功函数
• $\chi$：半导体的电子亲和能（Electron Affinity）

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6. 过程总结

1. 金属功函数大于半导体功函数时，电子从半导体的导带流向金属。
2. 半导体中由于电子流失，形成耗尽区，留下固定的施主离子。
3. 耗尽区内形成了电场，阻止更多电子流动，最终达到平衡。
4. 金属和半导体的费米能级对齐，导带和价带在界面处发生弯曲，形成势垒 ${\Phi }_B$。

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7. 补充理解：导带弯曲与势垒图示

可以把能带的变化画成图：

• 接触前：金属和半导体的费米能级不同，导带平直。
• 接触后：费米能级对齐，半导体导带靠近界面处上升，形成“坡状”势垒。

这样的能带图能够直观展示势垒的形成过程，以及耗尽区的概念。