高速电路设计之电源分类及其应用要点

  电源设计是电路设计中较复杂的一部分，常见的电源电路有整流、斩波、变频、逆变等几种类型。

  整流是指将交流电转换为直流电的过程，常见的AC/DC电源器件即属于整流类型。
  斩波是指将某一电平的直流电转换为另一电平的直流电的过程，是高速电路设计中最常见的类型，后续章节将详细介绍的DC/DC电路即属于斩波类型。
  变频是指将某一频率下的交流电转换为另一频率交流电的过程。变频设计一般应用于工业用电中，其作用是节能、调速。
  逆变是指将直流电转换为交流电的过程，如将12V或24V的直流电转换为220V/50Hz的交流电，一般用于可移动便携式供电。

  高速电路设计中，最常见的电源变换类型是直流转直流（即斩波），有两种常用的电源电路可实现该功能：LDO和DC/DC，以下将详细介绍这两种电源电路。

LDO电源介绍及其应用要点

1. LDO结构
如下图所示，LDO（Low Dropout Regulator，低压差线性稳压器）的核心部分是由一个工作在线性区域的调整管（晶体管MOSFET，即图中的VT）以及一个放大器构成。

如上图所示，由R1和R2构成的分压网络对输出电压VOUT采样，采样值送往放大器，与内部参考电压VREF比较，差值经放大器放大后，驱动VT，以实现对VOUT的调整。当VOUT减小时，VREF与采样值的差值增大，放大器输出电压增大，使调整管的压降减小，VOUT增大，反之亦然，最终都将使VOUT回到设定值。
对LDO而言，通过调整R1和R2的阻值，可实现对VOUT电压值的调整。
LDO的工作原理，从本质上来说是将反馈的误差。负载的变化、输入电压的变化等因素对VOUT的影响都会被反馈电路输送回放大器的输入端，并通过放大器的输出，将VOUT调整回设定值。

2. LDO特性参数
以下讨论在器件资料上提供的，与器件选型相关的参数。

1）输入电压
基于制造工艺的局限，所有器件的输入电压都有一个范围。不同LDO器件的输入电压范围差别很大，例如，SGMIC的SG2002/A推荐输入电压范围为2.5~5.5V，而Micro公司的MIC29302推荐输入电压范围为-20~26V，在设计时应根据输入电压的要求进行选型。

2）输出电压
输出电压是LDO选型最重要的参数之一。常用的LDO有固定输出电压和可调输出电压两种类型，如Linear公司的LT1963A，有不同型号以支持多种输出电压：1.5V、1.8V、2.5V、3.3V，而LT1963A还支持1.2120V的可调电压输出，可根据器件型号的后缀区分不同的输出电压，如后缀“-1.5”指1.5V固定输出电压。
固定输出电压的LDO，优点是无需外部分压电阻，输出电压精确，缺点是可选的输出电压种类少；可调输出电压的LDO，优点是输出电压任意可调，应用范围广，缺点是精度受外部电路的影响。

对于固定输出电压的LDO，其精度可从器件资料直接获得，例如，LT1963A—1.5（输出电压1.5V）的输出电压范围为1.477~1.523V，精度偏差为1.5%。
而对输出电压可调的LDO，由于需在电路中增加外分压电阻，因此分析精度时需考虑两个因素：其一是器件资料上提到的VREF的精度，其二是外加分电阻的精度。以LT1963A—ADJ（输出可调）为例，假如外加电阻R1和R2的电阻值精度均为±1%，则输出电压受R1、R2阻值的影响，精度偏差将达到2%，同时，VREF的范围为1.174~1.246V，即精度偏差为±3.8%，所以极限情况下，输出精度偏差将超过5%。
在设计时，从获得高精度输出电压的角度来看，应尽量选择输出电压固定的LDO。
需说明的是，在某些场合，输出电压可调的LDO能体现出很好的设计灵活性。例如，设计要求输出电压1.5V时，可选择LT1963A—1.5或LT1963A—ADJ。当1.5V供电器件与1.5V电源相距较远时，需考虑在电源传输路径上产生的压降，此时往往要求1.5V电源输出电压略高于1.5V。由于LT1963A—1.5的输出电压范围固定为1.477~1.523V，无法满足可调的要求，而LT1963A—ADJ则可灵活地将输出电压调节到略高于1.5V的电压。

3）最大输出电流
最大输出电流是决定LDO器件成本的重要因素。与DC/DC不同，LDO输出电流往往较小，如LT1963A的最大输出电流为1.5A。

4）输入/输出电压差
压差Dropout是LDO选型时的一项重要参数，对该参数的应用，在案例4-1中已经详细讨论过。
在器件资料中，Dropout参数往往是以确定的负载电流为条件而定义的，且负载电流越大，压差越大。例如，LT1963A的Dropout参数为：
0.10V（在ILOAD=1mA的条件下）
0.22V（在ILOAD=10mA的条件下）
0.35V（在ILOAD=100mA的条件下）

0.55V（在ILOAD=1.5A的条件下）
其中，ILOAD指负载电流值。
不同器件的Dropout参数差别很大，一般而言，当LDO内部的调整管由MOSFET构成时，能获得较小的输入/输出压差。

5）功耗
LDO最主要的缺点在于功耗偏大。
对LDO而言，输入与输出端之间的压差不可避免，且这种压降在调整管上产生的功耗将被全部转换为热能。以输入电压3.3V，输入电压1.5V，工作电流1A的应用为例，在LDO上产生的功耗将达到1.8W，其计算公式是：
P=(VIN-VOUT)xI                                            （4.3）
该功耗甚至超过了某些输出电流高达10A的DC/DC电源电路的功耗。因此在LDO器件的应用中，虽然输出电流不大，但不能忽略散热的问题。为提高散热能力，某些LDO器件提供了专用的散热焊盘，该散热焊盘位于器件的底部，面积较大，以便与PCB充分接触，如下图所示。设计中一般应将散热焊盘连接到单板的信号地GND网络，且在散热焊盘上开多个到内层GND平面的过孔，以实现将热量散发到GND平面的目的。

某些设计中，设计者仅仅将LDO的散热焊盘连接到PCB表层的GND网络，而没有在焊盘上打过孔，这种做法无法真正达到散热的目的。因为，散热焊盘的作用不是接地，而是增大LDO器件与内层大面积铜箔（即GND平面）的散热通道，真正发挥散热作用的是内层平面，而不是散热焊盘。

6）线性调整率
线性调整率（Line Regulation）是指，在某负载电流的条件下，当输入电压变化时，对应输出电压的变化量。LDO器件资料上的线性调整率参数往往是以确定的负载电流以及给定的输入电压变化量为条件的，如LT1963A—1.5的线性调整率参数为：
6mV（在ΔVIN=2.21~20V，ILOAD=1mA的条件下）
线性调整率越小，输入电压的变化对输出的影响越小，则LDO的性能越优异。

7）负载调整率
负载调整率（Load Regulation）是指，在某输入电压的条件下，当负载电流变化时，对应输出电压的变化量。负载电流增大，输出电压将减小，负载电流减小，输出电压将增大。LDO器件资料上的负载调整率参数往往是以确定的输入电压以及确定的负载电流变化量为条件的，如LT1963A—1.5的负载调整率参数为：
18mV（在VIN=2.5V，ΔILOAD=1mA~1.5A的条件下）

负载调整率越小，负载的变化对输出端的影响越小，则LDO性能越优异。在负载变化较大的应用中，负载调整率是LDO选型的重要参数。
8）接地电流
接地电流（GND Pin Current）即静态电流，是指除输出电流以外，在LDO器件内部所消耗的电流。
器件资料上的接地电流参数往往是以某确定的负载电流为条件的，负载电流越大，接地电流越大。例如，LT1963A的接地电流参数的典型值为：
1.0mA（在ILOAD=0mA的条件下）
1.1mA（在ILOAD=1mA的条件下）
3.8mA（在ILOAD=100mA的条件下）
15mA（在ILOAD=500mA的条件下）
80mA（在ILOAD=1.5A的条件下）
LDO接地电流对器件功耗的计算有一定影响。

9）温度
对于集成电路器件，器件资料上都会提供器件正常工作时的节点温度范围（Junction Temperature），如LT1963AE的结点温度范围为-40℃~125℃。
结点温度是器件内部PN结的温度，而单板测试时，测试人员只能测得环境温度（Ambient Temperature），而无法直接测得器件的结温，那么如何验证环境温度是否满足器件结温的要求？
结点到环境的热阻参数为RθJA，该参数由器件资料提供，基于热阻参数RθJA、总功耗PTOT、环境温度TA，可计算出器件工作时的结温TJ为：
TJ=TA+PTOTxRth(JA)                                     （4.4）

【案例4】计算LDO工作时的结温
以LT1963A为例，计算其满负荷工作时的结温。
某设计中采用LT1963A，输出电压1.8V，输入电压波动范围为3.153.45V，负载电流变化范围为0500mA，单板满负荷运行时，环境温度为50℃，LT1963A的RθJA=28℃/W。计算条件下LT1963A的结温。
【讨论】
首先计算LT1963A的总功耗。
LDO总功耗PTOT由动态功耗PD和静态功耗PS构成，分别计算如下：
PD=Imax x(VIN(max)-VOUT)=500mA x(3.45V-1.8V)=0.825W                                               （4.5）
PS=IGND xVIN(max)=15mA x3.45V=0.05W  （4.6）
式（4.6）中，IGND在负载电流500mA时的值为15mA。
PTOT=PD+PS=0.825W+0.05W=0.875W      （4.7）
因此，有：
TJ=TA+PTOT xRth(JA)=50℃+0.875W x28℃/W=74.5℃                                           （4.8）
计算出的TJ小于125℃，因此满足器件的结温要求。

【拓展】
在电源选型和设计中，温度是重要的考虑因素。在选型中，同一型号的器件，往往有不同的温度等级可供选择，区别仅在于工作温度范围的不同。
对器件工作温度范围的定义，不同厂家有不同的方法，有的以结温来定义，有的直接以环境温度来定义。因此，在阅读器件资料时，必须分辨清楚资料上提供的温度是指结温还是环境温度。
在设计时需注意，RθJA取决于器件封装、散热方式等因素，而散热方式取决于单板的热设计，因此有些厂家在器件资料中并不直接给出RθJA，而是给出结点到器件外壳的热阻参数RθJC，而器件外壳到环境的热阻参数RθCA由散热方式决定，利用这种方式计算得到的器件结温更加精确，更有利于散热方式的选择。

3. LDO应用要点

1）VREF滤波
由LDO的工作原理可知，VREF（基准电压）的稳定性与LDO输出电源的纹波及噪声密切相关。
为了减小器件面积，某些LDO芯片内不提供对VREF引脚的滤波。在这种情况下，设计者需在VREF引脚附近添加10μF电容，以保证VREF的低噪声和稳定性。

2）SENSE引脚的处理
SENSE引脚是LDO、DC/DC电源芯片上常见的引脚。
在PCB上，当电源输出端与负载端相距较远时，输出电源VOUT需通过较长距离的PCB导线（或PCB铜皮）才能加载到负载上，由于负载电流流经导线（或铜皮）时会产生压降，造成负载端得到的电源电压低于设计期望值。
为减小电源线路上压降对负载的影响，可采用调高电源输出端电压的方法。例如，负载要求1.8V电压，线路压降0.1V，则可将电源输出端设为1.9V。这种方法的缺陷在于缺乏设计的灵活性，且与PCB批次不同时，线路压降会略有差别。
电源芯片的SENSE引脚则能很好地解决这个问题，如下图所示。

SENSE在实质上是对负载电压进行测量。在负载的电源输入端附近，通过0Ω电阻负载端的电压信息引回到电源芯片SENSE引脚，该段导线（称为SENSE信号线）按照普通信号线的线宽走线即可，由于SENSE信号线不承载大电流，因此压降极小，可忽略，从而使电源芯片的SENSE引脚对地电压近似等同于负载电压。电源芯片获取该信息后，可自动调节VOUT，直到SENSE引脚对地电压接近电源电压的设定值。
在设计中需注意，电源芯片的SENSE功能应用不当，反而会起到许多负面作用。

【案例5】SENSE功能导致电源芯片输出电压不稳定

某设计中，由于电源芯片与负载相距较远，使用了电源芯片的SENSE功能以自动调节电源输出电压VOUT（1.8V），测试时发现，当发起大量数据传输时，经常出现误码，问题定位为VOUT不稳定。

【讨论】
发起数据传输时，测量VOUT，噪声达到190mV，超过输出电压值的10%。检查PCB，在电源输出端、负载电源输入端处，VOUT滤波设计良好，再检查SENSE信号线的走线，发现SENSE信号所在层，相邻20mil距离内没有高速信号线，但打开相邻层后发现，相邻层有大量高速信号与SENSE信号平行走线，且距离很近。发起数据传输后，这些信号线的电平发生高速翻转，对SENSE信号造成了严重的干扰。
在改板设计中，增大相邻层信号与SENSE信号的间距，问题得到解决。
由以上案例可知，虽然SENSE功能可以解决电源压降的问题，但SENSE信号线处理不好却可能导致整个电路的不稳定。因此，一般建议，仅对大电流的场合（如电源电流超过10A）使用SENSE功能，在设计时注意避免SENSE信号线受到其他信号的干扰；而在电流不大的场合，由于电源通路上压降较小，可尽量不使用SENSE功能，此时，SENSE引脚处理方式如下图所示。若不使用SENSE功能时，SENSE引脚应在电源输出端直接与VOUT相接。

由于LDO输出电流一般不大（小于5A），应尽量避免使用SENSE功能。

3）压降
压降（Dropout）参数一般列在电源器件资料的首页，如LT1963A，在器件资料的首页，关键特性（Feature）一栏，列出器件的Dropout为340mV，但在设计中，还应留出更多的裕量。
器件资料首页列出的压降Dropout参数值，往往只是在常温下（25℃）满负荷运行（对LT1963A而言，即负载电流达到最大值1.5A）时的典型值，而不是最大值。例如，根据LT1963A器件资料，在常温下，器件满负荷运行时，Dropout的最大值可能达到450mV，而在125℃（结温）下，器件满负荷运行时，Dropout的最大值将达到550mV。

4）电流降额
随着电源技术的发展，市场上出现了许多支持较大电流的LDO芯片。根据前文对LDO功耗的讨论，不论LDO技术如何更新，其功耗始终等于输入/输出电压差与电流的乘积，电流越大，功耗必然随之增大。
当应用中要求大电流输出，且电源芯片选择LDO时，需注意，不仅应满足负载电流小于LDO的最大支持电流的要求，还应与热设计工程师仔细讨论，针对设计中特定的情况，如LDO附近器件的散热量、风道与风向、LDO本身如何散热、LDO器件热降额，研究在这种大电流场合下，使用LDO是否合适。
此处特别指出，高速电路设计中在考虑器件的散热时，不能忽略相邻器件热量的影响。如下图所示，B、C器件都不是大功耗器件，但由于B器件与大功耗的A器件距离较近，而C器件又正好处在A器件的下风道，因此热设计中，不能忽略对B、C器件的散热设计。

5）输入电源与输出电源之间的延时
在某些有上电顺序要求的应用中，设计者往往可以利用电源芯片本身的延时来实现上电顺序。例如，某FPGA芯片的电源有3.3V和1.8V，且要求1.8V晚于3.3V上电，在电路设计中，设计者考虑到1.8V是由3.3V经过LDO产生的，因此无需额外上电顺序电路。事实上，根据案例2，在满足压降Dropout的要求后，LDO的输出端将与输入端同时上电，完全可能出现输出电压先于输入电压建立的情况，因此，LDO本身并不能保证上电顺序。
而对DC/DC芯片而言，由于芯片启动需要一定的延时（毫秒级），因此能保证输出相对输入的上电顺序。

6）纹波抑制（Ripple Rejection）功能
LDO本身就是抑制纹波的好武器。LDO器件资料一般提供有纹波抑制曲线图。如下图所示为摘自LT1963A器件资料的纹波抑制曲线图。

如上图所示，LDO对低频噪声（一般表现为几百kHz之内的纹波）抑制作用较强，而对高频噪声抑制作用较弱。在后续章节对DC/DC的讨论中将提到，对DC/DC输出电源的纹波抑制处理较复杂，可通过LDO与DC/DC的输出相结合的方法实现对DC/DC输出纹波的抑制。以5V转1.8V的应用为例，设计中，可利用DC/DC电源电路实现5V转2.5V，在2.5V的输出端再接一个2.5V转1.8V的LDO，从而一方面利用了DC/DC的低功耗特性，另一方面也很好地利用LDO实现了纹波抑制，不过这种设计方法成本、功耗相对较高，仅适用于对纹波相当敏感的场合。

 

7）输出端的ESR
在第2章对电容的介绍中，已讨论过输出端外加电容的ESR对LDO工作稳定性的意义。为保证电源输出端对变化负载的快速响应，同时为获得能满足LDO器件要求的输出阻抗值，有以下几种方法。

8）分压电阻阻值的选择
在案例1中，分压电阻R1、R2用于设置输出电源的电压值。
在LDO应用中需注意，分压电阻阻值越小，则电阻功耗越大，而分压电阻阻值太大，又不能满足LDO的偏置电流要求，因此需根据器件资料中的要求选择正确的分压电阻阻值。

表 PCB铜皮的阻值

 理解要点：
① LDO具有很好的纹波抑制能力，但其调整管工作在线性区，因此效率低、功耗大。散热设计是LDO应用中不可忽视的环节，同时应根据在单板长时间工作所处的环境温度下，LDO的结温不超过最大值。
② 分析可调输出LDO的精度时，需考虑分压电阻的因素。
③ LDO的输出电压需满足输入输出压差Dropout。
④ SENSE引脚的应用需注意，如需启用远程感应功能，SENSE信号线应远离干扰源。
⑤ 对于输出端电容的选择，需考虑电容ESR对LDO工作的影响。

DC/DC电源介绍及其应用要点

1. DC/DC电源与LDO电源的比较
DC/DC电源指直流变换为直流的电源，从这个定义看，LDO也应归属于DC/DC电源，但一般只将直流变换到直流，且这种转换是由开关方式而实现的电源称为DC/DC电源。
在前文提到，LDO的优点是低噪声低纹波、应用简单、成本低、输入/输出几乎无延时，而缺点是功耗大、效率低、只能用做降压变换、只支持小电流的输出（受散热条件的限制，LDO最大功耗不能超过3W），无法实现输入/输出的隔离。LDO的这种特性与其内部的晶体管（或MOSFET）工作于线性区有关。
DC/DC电源基本克服了LDO所具有的缺点，DC/DC电源内部的MOSFET工作于开关状态，通过控MOSFET导通和截止的时间比率，可实现对输出电压值的配置。
与LDO相比，DC/DC的优点是功耗低、效率高、支持升压、降压、反相等变换，且支持大电流的输出，并能支持输入/输出端的隔离，而缺点是纹波较大、电路设计复杂、成本相对较高、输入/输出存在较大延时。
在高速电路设计中，由于器件集成度越来越高、运行速度越来越快，因此对电源提出了更高的要求：支持大电流输出、纹波小、功耗低。相对LDO，DC/DC电源无疑是最佳的选择。

2. DC/DC电源调制方式
DC/DC电源属于斩波类型，即按一定的调制方式，不断地导通和关断高速开关（由MOSFET构成），通过控制开关通断的占空比时间，可以实现直流电压值的变换。
DC/DC电源的调制方式有三种：PWM方式、PFM方式、PWM与PFM的混合方式。其中，PWM是最为常见的调制方式。
PWM指脉冲宽度调制（Pulse Width Modulation），PFM指脉冲频率调制（Pulse Frequency Modulation）。
在脉冲恒定的开关频率，通过调节脉冲宽度（占空比）的占空比来实现稳定电源电压的输出。在PWM调制方式下，开关频率恒定，每隔一段时间（开关周期cycle），开关都会有一段时间（ton）处于导通，即不存在长时间被关断的可能性，因此具有以下优点：噪声低、纹波低，对负载的变化响应迅速，且支持连续供电的工作模式，但同样基于PWM的这种工作方式，使得其在轻负载时效率较差，工作不稳定，因此在轻负载时，设计上需提供假负载。
PFM则通过调节开关频率以实现稳定电源电压的输出。与PWM的持续工作方式不同，PFM工作方式下，在输出电压恒定电压后，才重新开始工作。基于这种工作方式，PFM的功耗相对较低，在轻负载时，其效率之高尤为显著，且轻载时无需外接假负载，但在PWM调制方式下，输出端对负载变化的响应相对较慢，且输出电压的噪声和纹波相对较大，同时，由于无法提供限流功能以致其不适合工作于连续供电方式。
为了充分发挥PWM和PEM各自的优势，目前市场上某些 DC/DC 电源芯片可工作于PWM/PFM混合调制模式，在轻负载时采用PFM模式，而在重负载时切换到PWM模式，以便降低功耗，提高电源工作效率，当然，目前市场上的主流芯片仍基于PWM调制模式。

3. DC/DC电源分类
根据输出电压与输入电压之间的关系，DC/DC电源可分为降压、升压、反相三种类别。（需注意，LDO仅支持降压变换。）
以降压为目的的DC/DC电源电路称为BUCK电路，以升压为目的的DC/DC电源电路称为BOOST电路，而以反相为目的的DC/DC电源电路称为BUCK-BOOST电路。
以下简要介绍BUCK电路和BOOST电路。

1）BUCK电路
BUCK电路由开关管Q、续流二极管D，以及在输出端起储能和滤波作用的器件L、C构成。DC/DC电源芯片输出PWM调制波形，控制开关管Q的通断，在一个开关周期tcycle内，Q导通和关断的时间分别定义为ton和toff。
当Q导通时，L电压为Vin（开关管Q完全导通时，压降可忽略），电流方向为顺时针（见下图（a）中①），由输入端电源经开关管、储能滤波器件L、C为负载供电，同时为L充电，充电时间为ton，IL逐渐增大，续流二极管D反向截止；当Q关断时，Ub电压为0，由于L的自感效应，电流方向仍保持为顺时针（见下图（a）中②），续流二极管D正向导通，电容C所储存的能量经D、L放电，IL逐渐减小。

与LDO相同，DC/DC电源电路同样需要将输出端电压VOUT经分压后反馈回电源芯片内部，根据分压值与内部参考电平的比较结果，控制开关管的通断时间，从而实现对输出电压VOUT的控制。
二极管D称为续流二极管的原因在于，当开关管关断时，由该二极管实现电感C的放电回路。
对于BUCK电路，占空比参数δ=ton/tcycle，则输出电压VOUT的计算公式为
VOUT=δxVIN                                                    (4.9)
由式（4.9）可知，通过调整占空比参数δ，可获得不同的输出电压VOUT。根据δ=ton/tcycle，使tcycle不变，通过改变ton以调整δ的方法称为PWM调制，而通过改变tcycle以调整δ的方法称为PFM调制。
由于δ<1，因此有VOUT<VIN，即BUCK电路能获得的输出电压永远小于输入电压。

2）BOOST电路
与BUCK电路相同，BOOST电路也由开关管Q、续流二极管D，以及L、C元件构成。
当Q导通时，电流方向为顺时针，续流二极管D反向截止，电流流向如下图中的①所示，输入电压Vin加在L两端，为L充电，充电时间为开关管导通时间ton。当Q关断时，由于L的自感效应，电流方向仍保持为顺时针（见下图中的②），续流二极管D正向导通，储存于L内的能量经过续流二极管D向负载供电。

在Q导通的过程中，电感L上的电流变化率为：
 ΔIL1=VIN/LxtON                                          （4.10）

在Q关断的过程中，电感L上的电流变化率为：
 ΔIL2=(VOUT-VIN)/LxtOFF                            （4.11）
在DC/DC电源电路启动完成后，电源电路进入稳态工作时，应有ΔIL1=ΔIL2，结合以上二式，可得到：
VOUT=1/(1-δ)xVIN                                        （4.12）
由于δ<1，因此有VOUT>VIN，即BOOST电路能获得的输出电压永远大于输入电压。

理解要点：
① DC/DC电源电路的优点是功耗低、效率高，支持升压、降压、反相等多种变换方式，且支持大电流的输出，并能支持输入输出端的隔离，而缺点是噪声较大、电路设计复杂、成本相对较高、在输入和输出端存在较大的延时。
② DC/DC电源有两种调制方式：PWM和PFM。PWM的优点是噪声低、效率高，对负载的变化响应速度较快，且支持连续供电的输出，但缺点是轻负载时效率较低、工作不稳定；PFM的优点是轻负载时效率较高，缺点是输出电压对负载变化的响应较慢，且输出电压的噪声和纹波相对较大，不适合工作于连续供电方式。PWM/PFM混合调制模式有利于发挥这两种模式各自的优点。
③ 在BUCK电路和BOOST电路的应用中，需注意MOSFET导通和关断时电流的变化。

DC/DC电源电路中MOSFET的应用要点

MOSFET是DC/DC电源电路中最关键的器件之一，MOSFET的正确选型在很大程度上决定了电源电路是否能正常工作。因此，将这一部分内容从后面的“DC/DC电源电路的设计要点”小节中提取出来，专门作为独立的小节，以起到强调的作用。
MOSFET在电路中作为开关器件，首先简要地对比这两种器件的特性。
（1）三极管器件属于双极型流控器件，为获得大的集电极电流，相应地需注入大的基极电流，且三极管的响应速度在很大程度上受其内部少数载流子（少子）的影响。
（2）在大输出电流的场合，往往需要将多个开关管并联使用。在应用中，由于三极管的导通电阻具有负的温度系数，不利于均流，而MOSFET的导通电阻具有正温度系数，当多个MOSFET并联使用时，通流较多的MOSFET上功耗较大，温度上升，导致其导通电阻相应地增大，而导通电阻的增大，又可导致电流分流到其他导通电阻相对较小的MOSFET上，从而自动地实现了均流。因此，MOSFET比三极管更适合实现并联应用。
由以上比较可以看出，MOSFET更适合作为DC/DC电源电路的开关器件。在电源电路中，常用的MOSFET是功率MOSFET。

以下将进一步讨论在电源电路设计中，功率MOSFET的应用要点。在功率MOSFET的选型及应用中，需考虑的重点比较多，下文将先简要介绍功率MOSFET的分类，然后分别就漏源极间的导通电阻RDS(ON)、导通时的栅源极间电压VGS、额定导通电流ID、响应速度、MOSFET栅极去电波形等方面，进行详细的讨论，这五个方面是功率MOSFET选型及应用中必须综合考虑的因素，最后，还将简要介绍功率MOSFET的其他应用、寄生二极管及隔离等问题。

1）功率MOSFET的分类
（1）按照导通道的不同，功率MOSFET可分为N沟道和P沟道两种。
① 导通MOSFET：VGS（栅极与源极之间的电压）大于阈值VGS(th)后，MOSFET开始导通，阈值VGS(th)的电平大于或等于0V。
P沟道MOSFET：VGS小于阈值VGS(th)后（VGS的绝对值大于VGS(th)），MOSFET开始导通，阈值VGS(th)的绝对值大于0V。
② 按MOSFET导通时的栅极电压，可分为增强型和耗尽型。
增强型MOSFET：VGS等于0V时，MOSFET处于导通状态。
耗尽型MOSFET：VGS等于0V时，MOSFET处于导通状态。
在DC/DC电源电路中，一般选用增强型MOSFET作为开关器件，可根据电路设计的需要，对N沟道或P沟道进行选择。增强型N沟道MOSFET的原理图符号和等效电路如下图所示。

2）导通电阻RDS(ON)——MOSFET应用的考虑因素之一。DC/DC电源工作时，功率MOSFET的功耗主要消耗在漏源极之间的导通电阻RDS(ON)上，该参数可从MOSFET元件资料上获得，一般为若干毫欧。
在设计中，对于RDS(ON)，有如下注意事项：
其一，N个MOSFET并联使用有利于减小MOSFET上的功耗。
其二，RDS(ON)具有正的温度系数，不仅有利于多个MOSFET并联使用时的均流，且可有效地保护MOSFET。三极管的导通电阻具有负的温度系数，不利于器件内部的均流，局部的温升将造成局部的过热，以致损坏器件，而MOSFET则可基于其正温度系数的导通电阻，有效地抑制局部温升，实现对器件的保护。
一般而言，RDS(ON)尺寸越大，RDS(ON)越小。
（3）导通时的栅源极间电压VGS——MOSFET应用的考虑因素之一。对N沟道增强型MOSFET而言，仅当栅源极间电压VGS一定电平后，MOSFET才能导通。在MOSFET元件资料上提供有导通时的阈值电压VGS(th)，应用时需注意，如果栅源极间电压VGS只是等于或略大于VGS(th)，MOSFET并不能完全导通，即VGS(th)只是MOSFET开始导通的电压值。
以IRF公司的N沟道增强型MOSFET——IRF6727MPBF为例，该器件在完全导通时，支持最大漏极电流ID达100A以上，阈值电压VGS(th)最大值为2.5V，如果只按照2.5V的栅源极电压设计，MOSFET却无法正常工作，如下图所示。

以TJ=25℃的曲线为例，MOSFET在VGS=2.5V时开始导通，此时导通电流（也称漏极电流）ID极小。根据输出特性曲线，当VGS达到3V以上后，才能支持10A的导通电流，根据转移特性曲线，VGS=3V时MOSFET并没有完全导通，即对于3V的栅源电压，虽然允许10A的通流，但功耗较大，例如，当VGS=3V，ID=13A时，VDS为1V，则MOSFET功耗达到13W。因此在设计中，应尽量提供能使MOSFET完全导通的栅源极间电压VGS。仍以IRF6727MPBF为例，4.5V以上的栅源极间电压才能使其完全导通，完全导通后，可获得较小的VDS，以利于减小功耗。例如，当VGS=4.5V，ID=15A时，VDS为0.1V，则MOSFET功耗仅为1.5W。根据转移特性曲线还可知道，MOSFET的阈值电压VGS(th)具有负的温度系数，结温每升高25℃，VGS(th)下降约5%。
（4）额定导通电流ID——MOSFET应用的考虑因素之三。MOSFET的导通电阻RDS(ON)与额定导通电流ID成反比，因此在MOSFET选型时，除保证电源电路最大工作电流小于额定导通电流外，选择额定导通电流大一些的MOSFET器件，还有利于降低功耗。
（5）响应速度——MOSFET应用的考虑因素之四。MOSFET属于单极型器件，能在极短的时间内被关断。但其导通过程则涉及多个时间因素。
为单极MOSFET，首先需对其栅极电容充电，仅当电平超过阈值电压VGS(th)后，MOSFET才能开始导通。因此栅极电容的容值，是决定MOSFET导通速度的关键因素。
栅极电容是MOSFET器件本身寄生的电容，如下图所示，包括Ciss和Crss两部分，分别为栅源极之间的寄生电容和栅漏极之间的寄生电容，相应的，MOSFET导通时，栅极电流Ig包括流经Ciss和Crss的电流Iiss和Irss。

【案例6】计算栅极电容
某DC/DC电源电路输入1.5V，输出3.3V，MOSFET采用IRF6727MPBF，其Ciss、Crsd参数可从器件资料中获得，分别为690pF、610pF。该MOSFET完全导通时栅源极间电压为4.5V，加上输出电压3.3V，则要求栅极电压达到7.8V以上，本设计中，设置栅极电压为10V，且要求其在100μs内爬升到该电平，则计算公式为：
Iiss=CissxdV/dt=6190pFx10V/100ns=619mA（4.13）
栅极电压达到10V，MOSFET完全导通后，漏源极间电压由15V下降到接近0V的导通电压，则在电容Crss两端，靠近漏极处的电压下降了15V，而靠近源极处的电压上升了10V，因此电压变化量达到25V（15V+10V），Irss计算公式如下：
Irss=CrssxdV/dt=610pFx25V/100ns=152.5mA（4.14）
因此，栅极电流Ig计算公式如下：
Ig=Iiss+Irss=772mA                                      （4.15）
总输入电容Cin计算结果为：
Cin=Ciss+25/10xCrss=6190pF+2.5x 610pF=7715pF（4.16）
根据以上计算结果，在MOSFET导通的过程中，尽管栅极电流超过了700mA，但持续时间仅有100ns，远小于开关周期，因此这一部分的功耗仍不足挂齿。

【拓展】

本案例介绍了如何计算MOSFET的栅极输入电容Cin，而MOSFET的响应速度反比于Cin 与栅极串联电阻的乘积，为提高响应速度，可选择 Cin 小的 MOSFET，也可减小栅极串联电阻的阻值。
在计算栅极电流的过程中，需注意不能直接把Ciss作为栅极电容。本案例中，栅极电容Cin的容值与Ciss的容值差别不大，原因在于本案例中选用的MOSFET的Crss参数仅为Ciss参数的十分之一，若选择IRF公司的IRF7313，其Ciss=650pF，Crss=130pF，则Ciss=975pF，与Cin有较大的差异。
在对MOSFET的选型中，Ciss和Crss参数往往不能直接反映栅极电容Cin的容值，此时可利用元件资料上提供的另一个参数—Qg（栅极电荷），Qg与Cin存在以下关系：
Qg=CinxVgs                                                 （4.17）
因此在Vgs一定的条件下，Qg与Cin成正比，为减小栅极驱动电流，应选择带Qg参数小的MOSFET。
另外，在多个MOSFET并联时还需注意，并联虽有利于MOSFET上功耗的降低，但同时也会增加MOSFET的等效寄生电容，从而导致响应速度的降低。
（6）MOSFET栅极充电波形——MOSFET应用的考虑因素之一。
如下图所示，MOSFET栅极充电波形是理解MOSFET导通过程的重要工具。

A-B阶段，栅极驱动电路为Ciss充电，直到栅极电压达到阈值VGS(th)，在这个过程中，漏极电流ID保持为零，在B时刻，栅极电荷值为Qgs1。
B-C阶段，栅极驱动电路继续为Ciss充电，栅极电压继续增大，由于B时刻MOSFET已开始导通，ID不断增大，但在这个过程中，漏源间电压VDS仍保持不变，在C时刻，Ciss充电完成，栅源极间电荷达到元件资料上指定的电荷值Qgs，ID达到最大值。
C-D阶段，漏源极电流ID和栅极电压Vgs保持不变，而漏源间电压VDS开始减小，栅极驱动电路开始为Crss充电，在D时刻，VDS下降到最低电压RDS(ON)×ID，Crss充电完成，栅源间电荷达到元件资料上指定的电荷值Qgd。
D-E阶段，ID和Vds不再发生变化，而栅极电压Vgs继续增大，直到达到栅极驱动电路的电平值。

（7）MOSFET的并联使用。在前面的介绍中已提到，与三极管相比，MOSFET更适于并联应用，但在具体应用中，需注意以下两点：
要点一，MOSFET引脚的走线对称。
要点二，在PCB上，对并联的MOSFET器件，尽量使用同一个散热片。
这两个措施的目的，是进一步保证并联MOSFET器件之间的电流、散热均衡。
（8）MOSFET的寄生二极管。MOSFET内部寄生有二极管，该寄生二极管的通流能力并不弱，以IRF7313为例，寄生二极管的连续通流能力达到1A，峰值通流能力达到30A。但在实际应用中需注意，寄生二极管并不能保证稳定工作，因此如有反向电流的要求，不建议借用该寄生二极管，而应在电路中并联一个反向的快恢复二极管。
（9）MOSFET的降额使用。设计中应仔细计算和测试，确保满足MOSFET元件资料上提供的极限参数：最大漏源电压VDS、最大栅源电压VGS、连续导通电流ID以及峰值电流IDM、最大功耗PD。

理解要点：
①在DC/DC电源电路中，一般选用增强型MOSFET作为开关管
②功率MOSFET的功耗主要消耗在漏源极之间的导通电阻Rds(on)上，该参数具有正温度系数
③栅源极间阑值电压 Vgs(th)仅能使MOSFET开始导通，在DC/DC电源电路中，应使MOSFET工作在完全导通的状态，此
时所需的栅极驱动能力与MOSFET的栅极输入电容Cin、栅极电荷Qg有关
④MOSFET应降额使用

5. DC/DC电源电路的设计要点

1）同步整流技术
由于二极管导通时至少存在0.3V的压降，因此续流二极管D所消耗的功率构成了DC/DC电源电路的主要功耗，严重地限制了电源效率的提高。DC/DC电源的同步整流技术是指，以导通电阻RDS(ON)极小的功率MOSFET取代传统DC/DC电源电路中的续流二极管，如下图所示，以Q2取代D后，普通的BUCK电路转换为同步整流BUCK电路。由于MOSFET属压控器件，其导通时的伏安特性曲线接近线性，这使得其栅极电压的波形与输出电压的波形能保持一定的同步关系，因此这种整流技术称为同步整流技术。

图中，Q1称为开关管，Q2称为同步整流管。在电路设计中，可将Q1和Q2选为同一型号的MOSFET，且开关频率相同，但二者的功耗并不完全相同。
开关管的功耗包括导通损耗和栅极驱动损耗；
导通损耗来自于MOSFET的导通电阻RDS(ON)，选择导通电阻小的MOSFET有利于降低导通损耗。

栅极驱动损耗来自于MOSFET导通的过程中，栅极电流对栅极电容充电造成的损耗，选择Qg参数小的，或完全导通时所需要的VGS电压小的MOSFET有利于降低栅极驱动损耗。
同步整流管的功耗一般只考虑导通损耗。在前文对MOSFET的介绍中提到，栅极驱动电流的计算在很大程度上取决于栅极电压，由于同步整流管的栅极电压远小于开关管，因此其栅极驱动损耗可忽略。
在MOSFET选型中，从功耗的角度考虑，应选择RDS(ON)和Qg参数小的MOSFET，在厂家的MOSFET选型表中，经常将这两个参数的乘积作为选型的关键依据。
在应用中还需特别注意，同步整流工作时，Q1和Q2不能被同时导通，为保证这一点，DC/DC电源芯片在对这两个MOSFET的通断控制中，一般会在两个的导通时间之间留有一段空当（即Q1和Q2同时处于关断状态），同时为保证此段时间内负载的连续供电，空当时间段内仍应提供电流I2的通路，虽然MOSFET内部寄存有体内二极管，如下图所示，可在空挡时间段内提供该电流通路，但该体内二极管在电流的响应速度较慢，不利于输出小纹波的输出，为此，在一些有高精度要求的DC/DC电源电路设计中，往往会在Q2处并联一个有快速响应能力的肖特基二极管。

以一个例子来分析同步整流BUCK电路相对传统BUCK电路在效率上的优势。假设输入电压源电压为10V，输出电源电压为1V，则占空比参数δ=0.1。参见之前的图，对传统的BUCK电路而言，假定续流二极管D正向压降为0.4V，在90%的时间里，电流将从续流二极管D流过，电感L两端电压为1.6V，其在1.2V提供负载电流，效率为75%。参见前图，对同步整流BUCK电路而言，假定完全导通时，Q2的压降为0.1V，且在90%的时间里，电流将流经Q2，电感L两端电压为1.1V，其在1.2V提供负载，效率可达92%。
在前文提到，为提高DC/DC电源电路的效率，希望电路中的RDS(ON)和Qg参数越小越好，但一般而言，对同一个器件，RDS(ON)和Qg参数往往相背离，MOSFET尺寸越大，RDS(ON)越小，Qg越大，反之，MOSFET尺寸越小，则RDS(ON)越大，Qg越小。因此，建议将Q1和Q2选择为不同型号的MOSFET，以获得最佳的Qg。由于开关管的功耗涉及导通损耗和栅极驱动损耗，而同步整流管的功耗仅需考虑导通损耗，因此开关管的选型应重点关注Qg和RDS(ON)的参数。

以某DC/DC电源电路为例，为获得较高的效率，Q1和Q2的选型及参数如下：
Q1：型号为S14874，参数RDS(ON)=0.007Ω，Qg=25nC；
Q2：型号为S14336，参数RDS(ON)=0.0035Ω，Qg=25nC。

【案例7】MOSFET同导通导致MOSFET损坏
某单板在长期运行中发现某些批次会发生故障，故障单板上3.3V转1.8V的DC/DC电源电路MOSFET损坏。

【讨论】
在设计中，根据DC/DC电源芯片的要求，Q1、Q2选用不同型号的MOSFET。如下图所示，测量故障批次单板上Q1、Q2栅极波形，

得到如下图所示的栅极波形图。

发现Q2栅极的波形过缓，存在两管同时导通的时间段。当两MOSFET同时导通时，在输入端3.3V和GND之间出现一条低阻抗通路，导致MOSFET过流损坏。

上图中，在MOSFET的栅极串有510电阻，Q2栅极波形过缓应是与此有关，将Q2栅极的串联电阻改为220后，问题得到基本解决，栅极波形如，下图所示。

该设计属于第二版，在第一版设计中，两MOSFET的栅极分别通过PCB走线与电源芯片的TG、BG引脚直接相连，测试栅极波形发现振荡较大，导致输出电源1.8V上出现较大的纹波，经调试，在栅极上串联510电阻后，得到正常的输出电源1.8V。
检查所有的故障单板，发现Q2属于同一个批次，且该批次不同于正常单板上的Q2，与MOSFET厂家确认，该批次MOSFET的等效栅极电容参数略大于其他批次，导致波形过缓，而以前批次的MOSFET在工作时，栅极波形虽然同样较缓，但Q2与Q1同时导通的时间很短，没有出现MOSFET损坏的现象，以至于这种潜在的缺陷没有在测试中被发现。
与DC/DC电源芯片厂家确认，一般而言，不建议在MOSFET的栅极串联电阻，而第一版的电路图在原理上是正确的，出现振荡的原因不在于电阻，而在于电源芯片的TG、BG引脚到MOSFET栅极的PCB走线太长。因此在设计中，应注意缩短这部分走线的长度，从而有效确保MOSFET栅极信号的质量。

【拓展】
对同步整流DC/DC电源电路，上下两管MOSFET管的驱动波形是很容易出问题的环节，因此电源测试时不能忽略对波形的测量。
根据前文对MOSFET的介绍可知，栅极驱动波形与MOSFET的输入电容密切相关，某些型号的MOSFET，在不同批次之间，Ciss和Crss参数的器件差异性较大，这将造成在不同批次的单板之间，出现栅极驱动波形差别较大的情况。因此，在MOSFET批次更换，或厂家替换时，需特别注意对MOSFET的测量。
对于MOSFET波形的振荡，一方面与栅极信号走线长度有关，另一方面还需要注意是否产生谐振。受限于制造工艺，MOSFET内部寄存有电阻、电容、电感等，同时结合PCB走线的电感，在MOSFET工作时，这些参数可能构成某种频率的振荡，当振荡频率与开关频率接近时，将产生谐振，表现为输出电源波形上出现较大的振荡。对此，可通过两个措施予以解决：

措施一，通过在栅极串联电阻，降低振荡电路的Q值（品质因数）。
措施二，可通过更改开关频率予以解决。

2）电感值与开关频率对DC/DC电源的影响
与LDO不同，DC/DC电源电路设计中，整个电路的尺寸相对较大，以Linear公司的LTC3704推荐电路的布局为例，如下图所示在整个电路中，核心器件DC/DC电源芯片LTC3704仅占极小的面积，大量的PCB面积被电感（L1、L2）、电容（CIN、COUT等）、MOSFET（M1）、稳压二极管（D1）等被动元器件占据。

因此，被动元器件（如电容、电感、MOSFET等）尺寸的减小对DC/DC电源电路有重要的意义，而电感的选型和开关频率的选择，与被动元器件的尺寸密切相关。
电感L取值越大则滤波效果越好，对纹波的衰减作用越强，但缺点是占用PCB面积较大，同时也不能灵敏地实现输出电压的反馈，动态效果差。
开关频率是DC/DC电源芯片的一项关键参数。开关频率越高，则电感L和电容C的值可以越小，有利于电路尺寸的减小，电路成本的降低，但由于每开关一次，在MOSFET上都会产生一次栅极驱动损耗，因此开关频率越高，电源电路的功率损耗也越大，同时开关频率的升高，也不利于EMI（电磁干扰）的抑制。常用的DC/DC电源芯片的开关频率一般可调，如Linear公司的DC/DC电源芯片LTC3704，开关频率可在50kHz1MHz的范围内调节，设计时需综合考虑电路尺寸、功耗、EMI等几方面因素，选择适合的开关频率。

3）功耗
在大功率DC/DC电源电路设计中，需注意功耗对设计的影响，以下用案例说明。

【案例8】-48V 缓启动电路中MOSFET烧坏

某设计中，单板输入端的-48V缓启动电路中MOSFET经常烧坏。

【讨论】
该单板-48V输入电流为16A，测试单板工作时峰值电流为22A，且单板处于峰值电流的时间极短。设计选用的MOSFET是最大漏极电流ID为40A，从通流能力来看，MOSFET选型正确。
在单板工作时，测量MOSFET壳温，达到98℃。查阅MOSFET器件资料，其RDS(ON)在常温下的最大值为0.028Ω，根据器件资料上的RDS(ON)-T曲线可知，结温达到120℃时，RDS(ON)为常温下的1.6倍，即RDS(ON)=0.046Ω。MOSFET上功耗计算如下：
P=I^2xRDS(ON)x1.6=16^2x0.028x1.6=11.5W （4.18）
计算出的功耗已远远超过MOSFET器件资料提供的最大功耗参数PD。正是此原因造成MOSFET无法正常工作。
将MOSFET更换为另一款通流能力类似，但RDS(ON)参数仅为0.004Ω，PD参数为19W的MOSFET，问题得到解决。

【拓展】
MOSFET损坏的原因包括过热、过流、过大的上电浪涌电流、潮湿等。
针对大电流应用的DC/DC电源电路，对从功耗角度对MOSFET的选型中，需注意综合考虑以下一些参数，缺一不可，分别是：最大漏极电流ID、导通电阻RDS(ON)、最大允许结温Tj，以及等效到器件外壳的热阻参数RθJA(RθJC)、RDS(ON)-T曲线，以及高结温条件下的RDS(ON)值、最大允许功耗PD。

4）纹波和噪声
在高速电路设计中，高端芯片往往对电源的纹波和噪声有更高要求，一般要求将纹波限制在电源电压的1%之内，而噪声应限制在电源电压的3%~5%之内。对DC/DC电源而言，虽然相比LDO有更高的效率，但其工作依赖于不断开关的MOSFET，导致纹波和噪都相对较大。因此，对纹波和噪声的抑制，始终是DCIDC电源电路设计的难题。
首先介绍纹波和噪声的基本概念
纹波和噪声都是电源的波动，如下图所示。

纹波：纹波指电源波动中的低频成分，一般处于5MHz 之内的频段，产生自 MOSFET的开关动作。
噪声：噪声指电源波动中的高频成分，一般高于5MHz，成分较为复杂，包含MOSFET的开关噪声、随机白噪声，以及周围信号的干扰等。

使用示波器对纹波的测量方法：限制示波器带宽为20MHz，将时基设定为每格1μs，修改垂直偏置以将电压波形显示在示波器屏幕的中央，波形的显示采用余辉模式，触发方式设置为边沿触发。
使用示波器对噪声的测量方法：不限制示波器带宽（默认为全带宽），其他方面与纹波测量方法相同。
以下将简要介绍纹波和噪声的抑制方法：
常用的抑制纹波、噪声的方法有两种：吸收式滤波器和反射式滤波器。
吸收式滤波器，由磁珠与电容的组合电路构成，其原理可参考第2章内容。
反射式滤波器，由π、T或L型LC滤波电路构成。其原理是使电源电路形成阻抗失配，使直流的电源信号无衰减地通过，而频率较高的纹波、噪声等干扰被反射回源端。因此对反射式滤波器，应根据源端和负载端的阻抗，选择适合的滤波电路。
针对纹波和噪声，电感L体现为高阻抗，而电容C体现为低阻抗，根据源端阻抗和负载端阻抗的不同，有以下四种反射式滤波电路可供选择，如下图所示。

DC/DC电源电路中常用的是图中的（a）和（c）所示的滤波电路。LC电路的滤波原理是反射，干扰仍存在于电路中，因此设计者需注意避免这些干扰对其他电路产生的影响，可采取以下两种措施。
措施一，增加滤波电容。如下图所示为输入3.3V、输出1.8V的DC/DC电源电路示意图，为减小输入端电源的干扰对电源电路的影响，需在电源输入端（A处）放置输入滤波电容，其效果是将3.3V上的干扰反射回3.3V平面，为避免这部分干扰对其他3.3V器件的影响，建议在B处放置若干滤波电容。

措施二，将磁珠联在LC滤波电路上，利用磁珠吸收电源干扰。如图下图所示，将磁珠E79串联在LC滤波电路中，既有效地发挥了LC滤波电路对干扰的反射作用，又充分地利用了磁珠对纹波和噪声等干扰的吸收功能。

5）上电时需注意的要点
电路设计中，高速芯片往往需要多种工作电源，同时，芯片对这些电源的上电顺序也提出了相应的要求。假如设计中没有满足这些上电顺序的要求，可能导致总线冲突、器件自锁等故障。
除上电顺序外，某芯片还对工作电源之间的上电延时有一定的要求。例如，某芯片的工作电源有2.5V、1.8V、1.2V三种，出于保护的目的，芯片内部各电源之间通过反偏二极管相连，如下图所示。

该芯片的上电顺序要求如下：GND→1.2V→1.8V→2.5V，在满足该要求的条件下，芯片仍可能产生故障。例如，设计中满足1.2V先于1.8V上电，则1.2V上电后，将通过二极管灌入1.8V平面，如1.8V延迟1.2V很长时间后才开始上电，则芯片内部1.8V和1.2V平面之间将长时间地存在大电流，可能烧坏芯片的电源。
此外，电源上电的速度对芯片也有很大的影响。上电速度过快，基于公式\[P=C\times\frac{dV}{dt}\]可知，将产生很大的上电电流，芯片受到大电流冲击易损坏；而上电速度过慢，由案例7可知，两个MOSFET同时打开的可能性增大，同样会产生较大的上电电流，使器件损坏，因此电源设计中不能忽略对上电速度的控制。
总之，在电源上电过程中，需注意以下要点：上电顺序、上电延时、上电速度。
首先讨论对上电顺序和上电延时的控制。市场上有许多电源监控芯片可完成该类功能，如ADI公司的ADM1066，能同时完成对10路电源的电压监测和上电控制，监控精度可达到1%。

【案例9】基于ADM1066对多路电源实现监控
如下图所示，使用ADM1066对5路电源实现监控（注：ADM1066能实现10路监控，作为示意，此处只列举了5路）。以2.5V和1.8V为例，假定芯片要求，1.8V上电完成10ms后，2.5V开始上电，ADM1066的输入监测引脚VX2与1.8V相连，输出控制引脚PD03与2.5V电源芯片的使能引脚EN相连，则VX2检测到1.8V达到阈值（可在芯片通过编程设定）后，计时10ms，然后驱动PD03引脚为有效电平，控制2.5V电源的输出。

接着讨论对电源上电速度的控制。常用的上电速度控制方法有两种：
方法一，缓启动电路。
方法二，利用电源芯片的上电速度控制引脚。

【案例10】基于LTC1422实现上电速度的控制
LTC1422是Linear公司开发的缓启动芯片，基于LTC1422设计的上电延时电路示意图如下图所示。

LTC4222的功能很多，与缓启动相关的引脚有以下三个：
（1）ON引脚，当ON变为高电平（3.3V以上）后，LTC4222芯片内部计时器开始工作。
（2）TIMER引脚，通过TIMER引脚上并联的电容C，可以控制从ON变为高电平到GATE输出有效的栅极驱动信号之间的延时。在芯片内部，TIMER引脚由2μA电流源供电，阈值电平为1.232V，根据公式t=CxdV/dt可知，延时量t=1.232VxCTIMER/2μA，TIMER引脚并联的电容越大，延时越长，其输出电流为10μA。因此通过调整GATE引脚并联的电容，可以调整栅极驱动信号的边沿速率，驱动信号边沿越陡峭，电源上电速度也越慢。
综上所述，利用TIMER引脚并联的电容，可以实现上电延时，而利用GATE引脚并联的电容，则可以实现对上电速度的控制。

【拓展】
在缓启动电路的应用中，为避免缓启动电源在上电过程中产生的振荡，建议增大缓启动电路输出端的电容容量。

【案例11】基于电源芯片实现上电速度的控制
以TI公司的TPS54310为例。TPS54310是MOSFET内置的，支持3.4V输出的DC/DC电源芯片。本案例重点讨论该芯片的缓启动/使能引脚SS/ENA。
对于TPS54310而言，仅当SS/ENA引脚上的电平超过1.2V后，电源芯片才开始工作，在芯片内部，有一个5μA的电流源，通过外部电路，对SS/ENA引脚充电。因此利用SS/ENA引脚上并联的电容C，可调整电源芯片的上电延时和速度。
定义上电延时为从TPS54310开始工作（器件的主电源VCC上电完成）到开始输出电压时，该延时td的计算公式为：
td=Cx1.2V/5μA                                             （4.19）
当SS/ENA引脚电平达到1.2V后，电源芯片启动时，5μA电流源继续对电容C充电，在这个过程中，输出电源电压缓慢上升，直到充电完成，SS/ENA引脚电平达到1.9V，输出电源电压才完全建立，因此，通过调节电容C的容值，同样可以配置输出电源的上电速度。

速度，从输出电源开始启动到完全建立的延时t4的计算公式为：
tss=Cx(1.9-1.2)V/5μA                                   （4.20）
以SS/ENA引脚上并联电容C的容值为1μF为例，可以计算出\td=24ms，tss=14ms。
以上讨论了如何利用监控芯片或电源芯片自身的功能来实现对上电过程的控制，在电路设计中，有时还可以利用非常简单的RC电路实现延时的功能。

【案例12】基于RC阻容电路实现延时功能
某设计要求对单板上的3.3V提供监测，且要求在3.3V上电完成100ms后，输出有效的3.3V_MON信号。
前面案例中提到的电源监控芯片可轻松地实现此功能，但缺点是需外购芯片，成本较高。此处建议采用简单的RC电路实现该功能，电路图如下图所示。

电路中使用56kΩ电阻和1μF电容构成的RC延时电路，延时时间t4的计算公式为：
td=2.2xRxC=2.2x56kΩx1μF=123ms         .    （4.21）
带有施密特触发功能的非门有两个作用：其一是波形整形，其二是加强驱动。

【拓展】
在RC延时电路的应用中需注意，当设计要求的延时时间较长时，应考虑为电容C提供快速泄放通路。以本设计为例，可在1μF电容的接地端与3.3V之间并联有带基二极管，二极管的正极与电容接地端相接。

【案例13】上电电流过大引起电源啸叫
某业务板的设计采用分布式电源架构，给背板引入电源板输出的24V，在业务板上，利用隔离式DC/DC电源模块将24V转为中间电源12V，再利用非隔离DC/DC电源模块，由中间电源12V转出本板所需的各路电源。测试时发现在隔离电源模块的输出端啸叫，12V电源输出电压仅7.5V。

【讨论】
上电时，利用电流探头测量隔离式电源模块输入端24V的电流波形，峰值电流达到10A，而根据器件资料，该电源模块的最大输出电流仅3.5A，而上电瞬间，确认啸叫出现在电源模块内部输出端的电感上，该电感的参数是电感值10μH，额定电流3A。
由以上信息可基本确认，问题发生时，电感饱和，产生啸叫，并导致输出电压达不到设定值。
进一步与电源厂家确认，得知该电源模块并不包含上电缓启动功能，而上电冲击电流过大，很可能造成电感的饱和。在调试中，将输出端的电容减小，发现尽管输出端的纹波和噪声相对较大，但电感不再啸叫，且输出端电压达到12V。
改版设计中，在24V输入端增加上电缓启动电路，有效地解决了问题。

【拓展】
本案例最终采取的输入端增加缓启动电路，以便减弱上电冲击电流。而在调试中，尝试着将输出端滤波电容的容值减小，也能实现减弱上电冲击电流的作用，假定输出纹波和噪声符合要求，是否可以采用减小输出端电容的方法？
本设计采用的是电源模块，相对DC/DC电源电路，由于电源模块已将控制电路、MOSFET、电感等器件包含在内，应用较为简便。
在电源模块的应用，需注意以下要点：
（1）输出电容的容量。在电源模块的资料上，提供了外部容性负载参数（External Load Capacitance）的最小值和最大值，例如，某电源模块要求外部容性负载的最小值为1500μF，最大值为5000μF。该参数包括以下几项容值：一，电路板上，在电源模块输出端增加的电容容量；二，单板上耗用该电源的芯片的容性负载。
容性负载有最小值的要求，原因是，为保证输出电源的纹波和噪声满足要求，需在输出端增加一定的电容；容性负载有最大值的要求，原因是，若容性负载过大，可能造成上电时过大的冲击电流。
由于芯片的容性负载估计，因此在设计中，需增加端引脚增加的电容容量为该参数的最小值。
（2）散热。在单板上，与其他器件相比，电源模块的个头相对较高，且对于分布式电源架构，输入端的隔离式电源模块一般布放于PCB的边角，由于电源模块是单板上重要的热源，在散热设计中需得到重点关注。一方面，电源模块的高度可能挡住风道，影响其他器件的散热；另一方面，顺着风道，电源模块的热量将流向下风向的其他器件，可能反而增加其他器件的热度。
（3）正负逻辑。目前常用的电源模块带有开关引脚，该引脚为高电平开启或关断电源模块。同一型号的电源模块有正、负逻辑之分，正逻辑是指高电平开启电源模块，而负逻辑是指低电平开启电源模块。设计时，需根据所选电源模块的逻辑状态，提供对应的控制电路。
（4）尺寸。在电源模块的应用中，模块的尺寸是重要的参数。电源模块的尺寸以“砖”为单位，常见的尺寸有1/2砖、1/4砖、1/8砖。需注意的是，1/4砖的尺寸为1/4砖的尺寸并非是1/2砖的一半，例如，1/2砖的尺寸是2.3英寸×4.3英寸，1/4砖的尺寸是1.45英寸×2.3英寸，1/8砖的尺寸是0.9英寸×2.3英寸，1/16砖的尺寸是0.9英寸×1.35英寸。因此，在PCB布局时，并不能认为两个1/4砖的模块紧邻布放，占用面积就等同于一个1/2砖的电源模块，尺寸规格的模块，尺寸相同。

【案例4】输入电源上电时缓速成输出电源上电波形不平滑
某设计中，选用TI公司的TPS54310，输入端由3.3V供电，输出电源3.3V，测试发现该电源电路下图所示。

【讨论】
TPS54310正常工作时，要求输入电源电压处于36V之间。由于此时测量输入电压的波形，由于波形较缓，需要较长时间才能达到电源芯片正常工作的最低电压3V，在输入电压达到3V之前，电源芯片无法正常工作，从而无法实现对输出的控制，但在这段时间内，芯片内的某些电路已开始启动，造成输出端有电压产生。当输入电压达到3V后，电源芯片开始正常工作，完全对输出端进行控制，使原先已爬升到一定电平的输出端电压产生跌落，然后再在电源芯片的控制下完成上电过程。
输入电压上电过缓是这个问题的罪魁祸首，在达到电源芯片正常工作所需的电压之前，电源芯片处于上电不稳定状态，在设计上需缩短这种不稳定状态的时间。

类似的案例还出现在许多 DC/DC电源电路上，因此，设计者不仅应对输出电源电压的上电过程进行控制，还需确保输入电源电压的上电过程，既不过快，也不过慢。

6. DC/DC电源电路设计示例

1）设计概述
本小节以Linear公司LTC3704为例，讨论该DC/DC电源电路的设计。
LTC3704是一款支持正向电源电压转换为负向电源电压的DC/DC电源芯片，其支持的输入端电源电压范围是2.536V，输出端电源电压可调。
设计要求利用LTC3704实现3.3V1.5V的转换，最大输出电流1A。

2）LTC3704引脚介绍
VIN：电源输入引脚。
INTVCC：芯片内部LDO的输出，该输出为芯片的控制部件和GATE引脚供电，由于芯片内部没有为该引脚集成滤波电容，在外部电路上，应就近布放滤波电容。
ITH：芯片内部比较放大器的补偿引脚，用于调整比较门限值。
NFB：反馈输入引脚。
RUN：电源启动引脚，该引脚电平达到1.248V后，电源芯片开始启动。
FREQ：开关频率设置引脚。
MODE：设置电源芯片的工作模式，该引脚接地时，芯片工作于突发模式，该引脚接INTVCC时，芯片工作于连续模式。
SENSE：电流感应引脚。
GATE：栅极驱动输出引脚。

3）电路原理介绍
本设计中，如下图所示，由DC/DC电源电路实现正电源到负电源的转换。分析方法和BUCK、BOOST电路类似，通过LTC3704控制开关管Q1的通断，以形成输出电压。

由下图可知，电源电路工作时，电感L1和L2上始终有电流流过，MOSFET导通时，L1与L2电流会合后流经Q1，MOSFET关断时，L1和L2电流会合后流经二极管D1。

电源输入端由3.3V供电，输入端的滤波电路由电感（L3）、磁珠（E1）与电容构成，其作用是滤除3.3V电源平面上的纹波和噪声，以免对电源电路构成干扰。四个滤波电容中，C4应最靠近Vin引脚，其次是C3和C2，C1应布放在最外边，其作用是滤除由LTC3704产生的对3.3V电源平面的干扰。当原理图设计和PCB设计由不同工程师负责时，在原理图上，建议按照PCB布局的顺序绘制对应电路，如本设计中，C1C4与LTC3704，而C1距离LTC3704最远，不
建议按照电容容值大小的顺序绘制原理图。对电感和磁珠的选型，需根据 3.3V 电源平面的情况而定，电路设计完成后，可根据测试情况予以调整。
4）元器件的选型
（1）输出电压的设定。NFB引脚用于对输出电压的设置。输出端的分压反馈经NFB引脚输入到电源芯片内部，经反向后接到比较器的一端，比较器的另一端接参考电平1.23V，当分压反馈的绝对值低于1.23V时，电源芯片调整MOSFET的占空比，增大输出电压，反之同理，从而使输出电压达到设定值。
基于以上原理，在设计中，应通过分压电阻设置NFB引脚的电平为1.23V，这可通过R7、R8、R9予以实现。

（2）MOSFET占空比的计算。
本设计输入电源Vin=3.3V，输出电源Vout=-1.5V，占空比δ计算如下：
 δ=VOUTx(VOUT-VIN)=-1.5Vx(-1.5V-3.3V)=0.32（4.22）
在这一步，还需要验证δ是否超过了电源芯片所允许的最大占空比，LTC3704最大占空比为0.92，本设计符合该项要求。

（3）选择电源芯片的工作模式。MODE引脚用于设置芯片的工作模式。LTC3704支持突发模式和连续模式。突发模式适合负载较轻的场合，而连续模式适合重负载场合，本设计选择连续模式，因此需将MODE引脚与INTVCC相连。

（4）工作频率的确定。通过FREQ引脚与GND之间连接电阻的阻值，可对电源芯片的开关频率进行设置。LTC3704支持50kHz~1MHz之间的开关频率，由于前文已讨论过如何选择开关频率，本设计中，选择380kHz的开关频率，即R为380kHz，根据器件资料，取电阻值为61kΩ。在实际应用中，可由10kΩ和51.1kΩ取值组合。

（5）电感的选型。基于LTC3704的电源电路涉及两个电感，即L1和L2，其中，L1承载输入电流，而L2承载输出电流，在DC/DC电源电路中，输出电感的作用是滤波的，首先需确定设计所允许的波动范围。
电流波动越大，电感值越大，则电感波动越小。电流波动过大，不利于电流检测环路的建立；电感值越小，则电流波动越大，则电路不适合工作于连续
模式，LTC3704器件资料建议，电流波动范围为平均电流的20%~40%，本设计取电流波动值入=40%。

在确定了电流波动值λ后，可计算流过L1和L2的峰值电流。由于设计要求输出平均电流Iout(AV)为1A，由占空比δ可计算输入平均电流In(AV)如下：
Iin(AV)=Iout(AV)xδ/(1-δ)]=1Ax(0.32/0.68)=0.47A(4.23)

则流经L1和L2的峰值电流分别为：
Il1(PEAK)=(1+λ/2)xIin(AV)=1.2x0.47A=0.56A     (4.24)

Il2(PEAK)=(1+λ/2)xIout(AV)=1.2x1A=1.2A          (4.25)

在前文已提到，L1和L2电流方向相同，则汇流后的总峰值电流为：
Itot(PEAK)=Il1(PEAK)+Il2(PEAK)=(1+λ/2)xIout(AV)x[1/(1-λ]=1.76A                         (4.26)

为减少单板元器件的种类，可将L1和L2选择为相同型号的电感，由于V=L×dI/dt，则有：Ll1=Ll2=Vxdt/dI=VINx(δ/f)/ΔItot]                      (4.27)
ΔItot=λxIout(AV)x[1/(1-Δ)]=0.4x 1Ax(1/0.68)=0.59A  (4.28)
Ll1=Ll2=3.3Vx(0.32/380kHz)/0.59A=4.7uH      (4.29)

电感的额定电流应大于Il1(PEAK)}和Il2(PEAK)}二者中较大的一个，即1.2A。通过以上计算，电感的感值为4.7μH，要求额定电流大于1.2A，可选择TDK公司的SLF7032T-4R7M1R7-2，其电感值为4.7μH，额定电流1.7A。

（6）确定电流感应电阻的阻值。LTC3704支持两种电流感应方法，原理都是利用电阻将流过MOSFET的电流转变为电压，并与内部的参考电平比较。方法一是利用Q1的导通电阻Rds(on)，此时，LTC3704的SENSE引脚应与Q1的漏极相连，在Q1的栅极和GND之
间无需添加电阻；方法二是利用Q1的栅极和GND之间的电阻，本设计采用方法二。
MOSFET 导通时，流过Q1的峰值电流为 Itot(PEAK)，而 LTC3704器件资料要求SENSE引脚对地电平最大值为0.15V，则电流感应电阻计算公式为：
Rsense Vsense(MAX) /Itot(PEAK)= 0.15V/1.76A=85mΩ                                          (4.30)

本设计中，取R5取0.05Ω， R6取0.015Ω，构成65mΩ的 Rsense，满足要求。

（7）INTVCC引脚的处理。LTC3704内部有一个输出5.2V的LDO，该电源将为芯片内部控制逻辑和GATE引脚供电。在本设计中，输入电源电压低于5.2V，因此用二极管作为内部LDO，通过将VINCC引脚连接到VIN引脚，可将其关闭，内部控制逻辑和GATE引脚由输入电源VIN供电。

（8）MOSFET选型。当INTVCC与VIN引脚相连后，由输入电源3.3V驱动GATE引脚，即MOSFET栅极驱动电平不能超过3.3V。本设计中，MOSFET源极与GND之间的电阻值极小，可近似地认为MOSFET源极电平为零，即MOSFET栅源极间电压近似地等于MOSFET栅极电平，因此，在MOSFET选型中，要求MOSFET完全导通所需的栅源极间电压不能超过3.3V，MOSFET的源极间电压可从器件资料上直接得到，选择FAIRCHILD公司的S1484，当栅极电流小于1A时，该MOSFET完全导通所需栅源极间电压小于3V，且该MOSFET具有较小的Qg和Rds(on)值。

（9）二极管D1的选型。当MOSFET关断时，L1和L2的电流在后将通过D1形成回路，因此D1的选型与Q1同样重要。为提高电源效率，要求D1的正向导通压降和反向漏电流参数都较小。在本设计中，D1所需承受的最大导通电流为ITOP(PEAK)。最大反向电压为VIN(AV)×VOUT(AV)=4.8V。选择GENERAL SEMICONDUCTOR公司的SS32，其支持的最大导通电流为3A，最大反向电压为20V，满足设计的要求。二极管选型完成后，还需从功耗的角度加以验证。SS32的正向导通电压为0.5V，则功耗可由式4.31计算：

PD=Iout(AV)xVF=1Ax0.5V=0.5W                       (4.31)

当环境温度为55℃，可计算出二极管Tj的结温为：

Tj=Ta+PDxRth(JA)=55℃+0.5Wx55℃/W=82.5℃(4.32)

式中，Rth(JA)参数可由SS32器件资料获得，计算结果为小于SS32所能承受的最高结温，因此选型满足要求。

（10）ON引脚的处理。在本设计中，并没有提到-1.5V与其他电源的上电时序关系，可由输入电源3.3V MON直接驱动ON引脚。

（11）耦合电容C25的选择。C25在电路中的作用是直流耦合，实现输入和输出的桥接。

该电容两端应能承受的电压值为VIN-VOUT=4.8V，流经电容的均方根电流由式（4.33）计算：

ICOUPLER(RMS)}

=[IIN(AV)xIOUT(av)]^0.5=0.68A                        (4.33)

选择Murata公司的GRM3225R61C226KE20，容值22μF，额定电压为16V，且具有较小的ESR和较好的漏流能力。

（12）输出电容的选择。输出电容的容值与输出电源的纹波密切相关。由于输出电源的电流与流经L2的电流相等，且MOSFET导通和关断时输出电源的纹波电流相等，则根据V=L×dI/dt，在MOSFET关断时，L2上的纹波电流可由式（4.34）计算：

ΔIl2=dI=V/Lxdt=VOUT/2x[(1-δ/f])                   (4.34)

将各参数代入式（4.34），ΔIl2=0.38A。为计算输出电源的纹波电压，需获得输出电源的等效电阻。输出端等效电阻由两个部分构成，其一是输出电容的ESR，其二是负载电路的等效电阻Rload。输出ESR产生的纹波电压ΔVOUT1计算公式为：ΔVOUT1=ESR      xΔIl2    (4.35)

由Rload产生的纹波电压ΔVOUT2计算公式为：

ΔVOUT2=(1/C)x∫Il2dt=ΔIl2x[1/8xfxC]               (4.36)

因此，总的输出纹波电压为：

ΔVOUT=ΔVOUT1+ΔVOUT2=ΔIl2x[ESR+1/(8xfxC)]](4.37)

由式（4.37）可知，输出电容的ESR越小，开关频率、输出电容容值越大，则输出纹波电压越小，由式（4.34）可知，纹波越大，纹波电流越小，同样也能减小输出纹波。在本设计中，输出电容选用两颗AVX公司的钽电容TPSE107K010R010（C5和C6），其容值为100μF，耐压为10%，额定电压为16V，ESR为100mΩ。对本设计中的输出电容，需特别注意的一点是电容电压为16V，由于输出电源电压为24V，VOUT应与电容的负极相接，若极性接反，电容很可能被击穿。

计算输出纹波电压：

ΔVOUT==ΔIl2x[ESR+1/(8xfxC)]]
=0.38Ax[50mΩ+1/(8x380kHzx200μF)]
=19mV+0.6mV=19.6mV                                    (4.38)

由以上计算过程可知，由于ΔVOUT2极小，输出纹波电压主要取决于输出电容的ESR，且二输出电容容值达到一定数值后，再增加输出电容，对纹波的抑制效果不大。

总结：

通过以上步骤可以看出，DC/DC电源电路的设计并不简单，几乎每个元器件的选型都需要进行仔细推敲，电源芯片资料上往往提供有参考电路，但其仅起到参考作用，在具体电路设计中，需要根据输入电压、输出电压、输出电流和噪声的要求、环境温度、占用PCB面积、EMC要求以及成本等进行选型和设计。

5）PCB设计注意事项

在DC/DC电源电路的PCB设计中，需注意以下几点：

要点一，关键电流通路。

本设计的关键电流通路有两条，如下图所示。

在PCB布线阶段，对这两条关键电流通路需铺电源平面，并尽量远离对干扰敏感的走线。常见的错误发生在R5和R6，某些设计者认为R5和R6仅是作为电流感应，用普通导线连接即可，而事实上，R5和R6同时还作为MOSFET导通时电流回路路径的一部分，因此必须包括在关键电流路径之内。另一个常见的错误是没有充分考虑R5和R6的通流能力，R5，R6将承载较大电流，选型时除考虑阻值外，还需考虑其额定功耗。另外，对L1和L2的布局，无需特意将这两个电感布得很近。

本设计中，LTC3704的SENSE引脚与MOSFET的源极相连，PCB设计时，设计者在为关键电流通路铺平面时，往往不加思考地将SENSE路径包括在该平面之内，这是错误的设计方法。SENSE路径的作用是为LTC3704提供电流感应，该路径要承载噪声，而关键电流通路承载着大电流，且电流将随着MOSFET的通断而不断波动，是高噪声路径，因此，推荐用普通信号线将LTC3704的SENSE引脚与MOSFET的源极相连，且该路径应远离干扰源。

要点二，栅极驱动路径。

栅极驱动路径指LTC3704的GATE引脚到MOSFET的栅极之间的路径，应尽量缩短该路径的长度，加粗走线，且远离干扰源。

要点四，INTVCC引脚的滤波。

C20和C21应紧密地靠近INTVCC引脚，特别是C20。这两个电容将为快速波动的GATE引脚提供电感回路，对电路的正常工作极其重要。这里再次强调原理图工程师与PCB工程师协同工作的重要性，根据本设计中原理图的画法，PCB工程师可能会误以为C20和C21是为R70滤波的电容，而没有就近INTVCC引脚放置。

6）测试注意事项

测试时，除了测量输出电源的纹波、噪声外，还需测量MOSFET的栅极波形，栅极波形爬升沿太缓或过冲过大都属于异常波形，应通过调整R1的阻值或缩短栅极驱动路径予以解决。

同时，在测试中，建议在满负荷条件下测量Q1和D1的光温，确保器件的结温符合要求。
重要提示：
①同步整流技术有利于提高电源电路的效率，应用同步整流技术时，需注意避免出现开关管和同步整流管同时导通的现象。
②开关管的功耗包括导通损耗和栅极驱动损耗，同步整流管的功耗一般只考虑导通损耗。开关管的选型应重点关注Qg、小的导通，而同步整流的选型应重点关注Rds(on)小的型号。
③确定开关频率和电感的值时，需在成本、占用PCB面积、功耗、EMI等方面综合考虑。
④注意纹波和噪声的测试及各自的测试方法。
⑤在电源上电过程中，需注意的要点有：上电顺序、上电延时、上电速度。
⑥在电源模块的应用中，需注意的要点有：输出电容、散热、正负逻辑、尺寸的选择。

4.3.3 电源管理

高速电路设计中，电源种类、电源芯片数目越来越多，电源电压越来越低、电流越来越高，芯片对电源的要求越来越严格，上电顺序的监控越来越复杂，使用传统的手段已不能有效地对全板电源实现监控，如何有效地实现电源管理，是高速电路设计的一项新课题。

Artesyn 公司联合多家电源厂商，开发出一种电源管理总线，即PMBus，通过PMBus总线，可实现软件对单板上各路电源的监控。该总线已完成规范（需要两根信号线（时钟和数据信号线）即可将单板上各个支持PMBus标准的电源互连，数据传输方式与I2C总线（将在其他章介绍）相同，其基本架构如下图所示。

4.3.4 保险管的选型及应用

在电源电路的设计中，常用保险管（Fuse）实现过流保护。

保险管属于电源保护器件，正常工作时，其在电源电路中只是起到连接作用，基于其自身极小的电阻，将部分电能转换为热能以实现对电流的监测，只要通过保险管的电流小于额定值，则转换后的热能可以通过辐射或传导的方式散发出去，而当电流超过保险管的额定值后，热能无法全部得到散发，剩余的热能将积累于保险管上，累积一定时间后，保险管被熔断。

在设计中，应重点关注保险管的以下几个参数：

1. 额定电流

额定电流（Rated Current）是保险管正常工作所能承受的最大电流。在选型时，保险管的额定电流既不能选得过大，也不能过小。保险管的额定电流过大，将无法起到电源保护的作用；额定电流过小，将影响电路的正常工作。在环境温度为25℃时，推荐对保险管的额定电流降额到75%使用，在设计中，首先要计算电路满负荷运行时的最大电流Imax，然后根据降额值，选择保险管的额定电流为Imax/75%。请注意，保险管器件资料上提供的额定电流值是基于环境温度为室温（25℃）的条件获得的，随着环境温度的升高，额定电流将减小，因此需相应地增大额定电流的降额值，该降额值应根据保险管器件资料上提供的额定电流-环境温度曲线确定。以某保险管为例，环境温度25℃时，额定电流等于器件资料的定义值，而在环境温度达到65℃时，额定电流仅为器件资料定义值的80%，若该保险管工作的环境温度为65℃，则保险管的额定电流应降额到60%使用。

2. 额定电压

保险管的额定电压是指保险管熔断瞬间所能承受的最大电压，一般要求额定电压大于电源电压即可，根据IEC标准，无需降额，而根据UL标准，需降额80%使用。出于成本的考虑，无需对额定电压过度降额。

3. 直流电阻

根据保险管器件资料上提供的直流电阻参数R，可计算出保险管功耗P=I²max×R，如果功耗过大，在设计中需考虑散热问题。

4. 压降

保险管器件资料上提供了额定电流条件下的压降值ΔV，若芯片要求电源电压V+，则保险管的输入端电压应达到V++ΔV。

5. 热熔值Pf

额定值，则转换后的热能可以通过辐射或传导的方式散发出去，而当电流超过保险管的额定值后，热能无法全部得到散发，剩余的热能将积累于保险管上，累积一定时间后，保险管被熔断。

在设计中，应重点关注保险管的以下几个参数：

1. 额定电流

额定电流（Rated Current）是保险管正常工作所能承受的最大电流。在选型时，保险管的额定电流既不能选得过大，也不能过小。保险管的额定电流过大，将无法起到电源保护的作用；额定电流过小，将影响电路的正常工作。在环境温度为25℃时，推荐对保险管的额定电流降额到75%使用，在设计中，首先要计算电路满负荷运行时的最大电流Imax，然后根据降额值，选择保险管的额定电流为Imax/75%。请注意，保险管器件资料上提供的额定电流值是基于环境温度为室温（25℃）的条件获得的，随着环境温度的升高，额定电流将减小，因此需相应地增大额定电流的降额量，该降额量应根据保险管器件资料上提供的额定电流-环境温度曲线图而定，以某保险管为例，环境温度25℃时，额定电流等于器件资料的定义值，而在环境温度达到65℃时，额定电流仅为器件资料定义值的80%，若该保险管工作的环境温度为65℃，则保险管的额定电流应降额到60%使用。

2. 额定电压

保险管的额定电压是指保险管熔断瞬间所能承受的最大电压，一般要求额定电压不小于电源电压即可，根据IEC标准，无需降额，而根据UL标准，需降额到80%使用。由于成本的考虑，无需对额定电压过度降额。

3. 直流电阻

根据保险管器件资料上提供的直流电阻参数R，可计算出保险管功耗P=I²max×R，如果功耗过大，在设计中需考虑散热问题。

4. 压降

保险管器件资料上提供了额定电流条件下的压降值ΔV，若芯片要求电源电压为V，则保险管的输入端电压应达到V+ΔV。

5. 热熔值Pf

对于保险管而言，Pf参数的重要性等同于额定电流参数。该参数定义了保险管熔断所需要的热能。

在选型中，Pf参数的选型有以下几点需注意。

作用一，判断电源运行中某些正常的电流脉冲是否可能熔断保险管。

作用二，判断电源波动时，非正常电流脉冲是否足以熔断保险管。

根据Pf参数的大小，保险管分为快熔断和慢熔断两种。工作电流超过保险管额定电流时快熔断保险管能在几十毫秒之内迅速熔断，一般应用于正常工作时电流较恒定，且对电流脉冲非常敏感的场合，而慢熔断保险管则需等数秒才能熔断，一般应用于正常工作时经常出现较大电流脉冲的场合（如感性、容性较大的电源电路）。为提高保险管寿命，建议保险管的Pf参数应达到电源正常工作时所可能遇到的最大电流脉冲Pf值的35倍。

需要特别注意的是，在热插拔单板的设计中，若缓启动电路后接有大容量电容，则缓启动电路时的保险管的Pf参数应更加充分的降额。

【案例15】热插拔单板的保险管选型

某单板要求支持热插拔，该单板输入电源为-48V，正常工作时最大电流为7A，热插拔时，用电流探头可测得一个持续100μs的30A电流脉冲。

【讨论】

该单板-48V电源的保险管选型如下：

熔化热能值Pf参数：热插拔时电流脉冲的Pf值为0.09A²s，因此推荐保险管的Pf参数值至少为0.45 A²s。

额定电流：该单板正常工作时最大电流为7A，且最高环境温度可达65℃，因此对额定电流降额到75%，对环境温度需降额到80%，推荐保险管额定电流最小值为11.7A。

额定电压：该单板输入电压为-48V，而该产品需通过UL认证，因此保险管额定电压需降额到80%，推荐保险管额定电压最小值为60V。

由此可见，应选择Pf参数为0.45A²s以上、额定电流为11.7A以上、额定电压在60V以上的保险管。

重要提示：
在保险管选型和应用中，需注意的要点有：额定电流、额定电压、直流电阻、压降、热熔值Pf。