基于“有限元计算(TCAD)+电路分析(SPICE)”Mixmode 混合仿真模型的开发

于 2021-07-27 09:34:08 发布
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分类专栏： 仿真模拟
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随着微电子技术的发展，半导体器件性能不断提升，其中两大仿真工具功不可没，分别是TCAD半导体工艺和器件仿真工具和SPICE电路仿真。TCAD是建立在半导体物理基础之上的数值仿真工具，它可以对不同工艺条件进行仿真，取代或部分取代昂贵、费时的工艺实验，计算和分析半导体器件的电学特性、热学特性、光学特性及电热光多场耦合的特性，从而助力于新型半导体器件结构的研发。SPICE为电路级仿真，给定已知的器件的物理模型，通过电路分析基础公式计算出给定电路的输入和输出特性，从而助力于电路及系统级模块的设计。图 1..
摘要由CSDN通过智能技术生成

随着微电子技术的发展，半导体器件性能不断提升，其中两大仿真工具功不可没，分别是TCAD半导体工艺和器件仿真工具和SPICE电路仿真。TCAD是建立在半导体物理基础之上的数值仿真工具，它可以对不同工艺条件进行仿真，取代或部分取代昂贵、费时的工艺实验，计算和分析半导体器件的电学特性、热学特性、光学特性及电热光多场耦合的特性，从而助力于新型半导体器件结构的研发。SPICE为电路级仿真，给定已知的器件的物理模型，通过电路分析基础公式计算出给定电路的输入和输出特性，从而助力于电路及系统级模块的设计。

图 1 传统TCAD+SPICE联合仿真技术路线图

图1展示的是传统模式下TCAD+SPICE联合仿真的技术路线图，首先利用TCAD计算获得器件特性参数，然后利用建模工具将生成的器件特征参数打包成电路模拟可用的模型及参数，最后利用SPICE工具导入生成的器件模型及参数进行电路仿真，获得电路输出特性。这种“TCAD计算提参+SPICE”的联合仿真技术路线大大促进了微电子技术的发展，加速了产品迭代进程。

然而采用传统路线局限性较大

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Simucal
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浅谈计算机仿真技术对各行业发展的重要性和必要性
04-06 2350
浅谈计算机仿真技术对各行业发展的重要性和必要性计算机仿真技术是以计算机为基础，根据问题对象的实际要求，建立真实的数学模型，并将其转换成仿真模型。在不同的问题下，利用计算机系统来演示运行状态，从而将抽象的问题真实的展现在计算机系统的显示器上。随着计算机技术的高速发展，计算机仿真技术的应用已经渗透到了各个领域，促进了各行各业的发展。以下我们主要讨论常用的几个领域：Ø 在交通运输领域中，计算机仿...
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倾斜侧壁增强光提取效率相关机制的建模仿真研究
06-06 910
所设计的微型LED阵列的最佳侧壁倾斜角度为35°，这与之前的理论分析是一致的，即在具有倾斜侧壁的LED中，两种散射机制同时产生，最佳倾斜侧壁角在25°到65°之间。为进一步对比说明上述不同器件尺寸产生的差异，我们在图3（a）中示展示了两种散射路径的①和②以及逃逸锥分布的示意图，并通过计算反射逃逸锥与倾斜侧壁角之间的关系进一步揭示了倾斜侧壁处产生的两种散射机制以及其增强LEE的不同来源。图2 不同尺寸的深紫外LED的（a）TM偏振光和（b）TE偏振光的光提取效率随侧壁倾斜角度的变化；
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GaN功率电子器件中体缺陷相关机制的建模仿真研究
05-29 396
近期，河北工业大学和广东工业大学联合开发了缺陷相关的仿真模型，深入剖析了体缺陷对GaN基肖特基势垒二极管的影响，并实现了对器件动态特性的仿真。图3（a）和（b）展示了GaN基肖特基势垒二极管动态特性的仿真模型，电压从0 V增加到1.5 V再回到0 V时，具有施主型缺陷的肖特基势垒二极管的正向导通特性几乎不发生变化，而具有受主型陷阱的肖特基势垒二极管会产生显著的充电/放电效应，使正向导通特性发生显著漂移。（c）不同浓度施主型缺陷和（d）不同浓度受主型缺陷对GaN基肖特基势垒二极管阻断特性的影响。
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具有图形化衬底与空气腔反射镜混合结构的深紫外Micro-LED阵列芯片
04-18 475
通过对比分析可以看出，相比于Device A，Device B的空气腔反射镜结构设计可以提高器件台面倾斜侧壁反射镜的反射率，增加倾斜侧壁的散射作用，并提供额外的光逃逸路径，提高器件的光提取效率。相比于Device B，Device 2中设计了NPSS与空气腔反射镜混合结构，NPSS可以作为散射中心破坏波导效应，最终将光散射到空气腔中，这些散射的光子经历了底部反射镜的反射，可以被有效地提取到空气中，如图3（c）中路径。（d）Device A、Device B和Device 2所提取出的光强与位置之间的关系。
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新成果展示：AlGaN/GaN基紫外光电晶体管的设计与制备
10-23 574
图1（a）展示了AlGaN/GaN基紫外光电晶体管的三维结构示意图，源极和漏极为左右两侧台面上的金属电极，栅极的设计采用凹槽和Al0.20Ga0.80N层功能结构。图1（b）为实验测得的光暗电流，由于暗电流值太小超过了源表的量程，因此准确的暗电流值无法测出，但是可以推测出暗电流值低于3.40 × 10−11 A/cm2。图1（c）为仿真计算得到的光暗电流，与实验测试结果结论一致，也证明了数理模型的合理性。图1（a）器件的三维结构示意图，（b）实验测试的光暗电流，（c）仿真计算的光暗电流。
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横向AlGaN/GaN基SBD结构及物理模型数据库的开发
10-07 1469
为进一步优化器件性能，技术团队对场板结构的长度、厚度、材料等参数进行了优化设计，例如图2（a）-（d）的研究结果所示，随着SiO2、Si3N4、Al2O3、HfO2的介电常数从3.4、7、9增加到20，凹槽阳极侧壁的电荷耦合效应逐渐增强，从而有效地减小了阳极边缘肖特基结电场强度并抑制肖特基势垒降低效应，降低器件的漏电流【见图2（e）】；此外，图3还展示了外部环境温度对SBD反向电学特性的影响，β1是以器件发生雪崩击穿为击穿点得到的温度系数，从图可知器件C1-C4的击穿电压都随着温度的增加而增加；
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最新成果展示：GaN基Micro-LED热学模型数据库的开发及应用
08-08 463
如图1（b）所示，随着缺陷复合电流的降低，相对应的器件中也会产生更少的复合热。图1（c）表明小尺寸器件产生更少的焦耳热，然而缺陷区域的存在与否对器件内部的焦耳热并无影响。通过考虑复合热和焦耳热带来的综合效应，得到图1（d）所示的结果：减小非辐射复合有助于降低自热效应，尤其是对于小尺寸的。Device A1、A2、B1、B2在不同电流密度下的（a）SRH复合电流、（b）复合热、（c）焦耳热和（d）总热源。导致非辐射复合产生的自热效应更加显著，因此，如图2（a）和（b）所示，芯片尺寸为。LED效果更加显著。
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斜率效率为~ 4.8 W/A的910 nm GaAs基半导体激光器架构及数据库成功开发
07-20 179
在5 A的单管输出功率可达20.4 W，其功率-电流特性曲线信息如下图所示。此器件架构的开发有助于高效地设计900 nm ~ 1000 nm的GaAs基激光器的结构参数，同时为分析器件内部机理提供了重要的参考价值，对研发高性能的GaAs基激光器有着重要的指导意义。半导体激光器最重要的性能参数之一是激光输出功率，如在激光切割、激光焊接等领域，半导体激光器需具备较高的输出功率以满足实际应用的要求。目前，提高半导体激光器的输出功率主要有两种方法：一种是提高半导体激光器单管的输出功率；
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AlGaN基深紫外FP激光器仿真模型及材料信息数据库有何用途？
07-14 261
波长范围为UVC波段（100-280 nm）的深紫外FP（Fabry-Pero，法布里和珀罗是两位法国的科学家）激光器可广泛应用于数据通信、光通信、3D打印、材料加工、显示与照明、激光雷达、人脸/手势识别、医疗和表面监测等领域。，可以输出不同偏置条件下的能带、增益谱分布、光场分布和功率-电压等特性曲线，具体信息如下图所示。此模型有助于高效地设计AlGaN基深紫外FP激光器的结构参数，同时为分析器件内部机理提供了重要的参考价值，对研发高性能的AlGaN基深深紫外FP激光器有着重要的指导意义。
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最新成果展示：AlInN/GaN DBR模型数据库的开发与应用
06-07 495
有源区中的极化电场强度并同时降低量子垒与量子阱中能带倾斜程度，从而增加电子。的设计在一定程度上牺牲了器件的热学特性，但最终提升了器件的光输出功率和。具有更高的热阻，最终使得器件的热衰退提前，结温也明显增加。之间存在较大的晶格失配和热膨胀失配，导致很难获得。空穴波函数的重叠率，提高器件的输出功率。器件的散热性能产生影响。表示量子阱的能带倾斜程度；表示量子垒的能带倾斜程度；系统地研究了晶格匹配的。）平衡态下的电场分布（注入电流下的电场分布；电学和热学特性的影响。表示量子垒的势垒高度。）中展示的热量分布，
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最新成果展示：多结VCSEL模型数据库的开发及应用
03-08 239
该模型数据库有助于分析器件内部电流分布、光场分布、受激辐射复合分布等微观信息，协助优化有源区架构、隧穿结组成、DBR等设计参数，为实现高功率、高响应速度的多结VCSEL器件设计提供可靠的技术分析手段。相比于传统垂直腔面发射激光器（Vertical-CavitySurface-Emitting Laser，VCSEL），多结VCSEL具有更高的光输出功率、更快的响应速度、更高的斜率效率和电光转换效率等优势。图1.（a）多结VCSEL能带分布和（b）PIV曲线特性。多结VCSEL模型数据库。
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新成果展示：载流子输运与复合模型数据库在台面二次刻蚀的Micro-LED中的应用
03-01 183
为了揭示具有二次刻蚀台面的Micro-LED结构中载流子的输运与复合机制以及对器件的发光效率影响的物理机制，技术团队利用载流子输运与复合模型数据库系统地研究了器件结构内部电场对载流子输运的影响以及载流子的分布与复合情况。另外，我司技术团队也对上述器件结构进行了对比实验制备，并将测试结果与仿真结果进行了比较：如图3所示，利用极化效应和二次刻蚀台面的载流子限制作用可以有效地提高器件B的外量子效率（EQE）和光功率密度。图3（a）器件A和（b）器件B在不同注入电流密度下的外量子效率和光功率密度。
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最新成果展示：半导体激光器光学模型数据库的开发及应用
01-16 238
为解决该问题，我司技术团队提出通过调控空穴的注入路径来控制不同模式的增益，最终提升GaN基VCSEL的基模输出功率。如图2所示，当减小GaN基VCSEL的电流注入的孔径尺寸时，VCSEL B2依然能够保持高斯形态的单模激光输出。此外，VCSEL B2有源区内的增益覆盖范围与基模分布重叠率上升，与表面浮雕结构所在范围的重叠率下降，器件基模增益上升，激光器输出功率相应提高。图2. VCSEL B1至B3以及VCSEL A2的（a）一维横向光场分布，（b）远场发散角和（c）光输出功率对比图。
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新成果展示：具有倾斜台面的Micro-LED模型数据库的开发与应用
11-25 319
除此之外，台面的倾斜角度也会对器件的电学性能产生影响，如图2所示，这主要体现在两个方面：一是倾斜的台面会造成侧壁区域的电场增加，导致边缘区域的量子阱中量子限制斯塔克响应增强，从而降低器件的有效辐射复合效率；图2 （a）各器件内部横向的电场分布，（b）Device 1和（c）Device 5边缘区域量子阱中的能带图，（d）各器件的非辐射复合电流随外加电流密度的变化曲线。其中Device 1/Ⅰ, 2/Ⅱ, 3/Ⅲ, 4/Ⅳ和5/Ⅴ的台面倾斜角度分别为45°，53°，63°，79°和90°。
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最新成果展示：Ga2O3材料数据库的开发及其在日盲紫外光电探测器中的应用
10-25 772
所示，技术团队将上述器件结构的实验测试结果与仿真计算结果进行了对比：由于测试设备精度的限制，实验测试的暗电流无法达到理论计算值的量级，但获得的实验测试光电流与仿真计算的光电流在同一数量级水平，验证Ga2O3材料信息数据库的可行性。所示，在光照条件下，Ga2O3吸收层产生的光生电子在电场作用下输运至2DEG沟道，补充了金属栅下方被耗尽的电子，2DEG沟道重新导通，促进光生电子的快速输运。所示，在黑暗条件下，金属栅对AlGaN层的耗尽作用有效地抑制了器件的暗电流，即表现为对2DEG沟道的“夹断”作用。
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最新成果展示：利用缺陷信息数据库探索界面工程，助力GaN基肖特基势垒二极管的研究
10-08 697
在电力电子器件的外延生长和器件制备过程中，特别是对于具有凹槽结构的GaN基肖特基势垒二极管（TMBS）而言，ICP刻蚀将不可避免地损伤材料的表面，产生大量的缺陷，最终牺牲器件的击穿电压、导通电阻等性能，同时影响器件的可靠性。展示了所设计的器件的反向IV特性曲线，可以发现设计有MIS结构的TMBS器件的反向漏电流显著减小，击穿电压提升，例如相对于具有Pt电极的TMBS器件，具有Pt电极的MIS-TMBS器件的漏电流减小了近3个数量级，击穿电压从1200 V提升到3200 V。
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最新成果展示：具有1.1 kV级高击穿电压的GaN基肖特基二极管
08-04 477
为实现具有高击穿电压和优异正向特性的第三代半导体功率器件，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队依托先进的半导体TCAD仿真平台，优化设计了一种具有p-NiO插入终端的混合式肖特基势垒二极管结构（Hybrid SBD）。...
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新成果展示：基于Metal/Ga2O3/GaN混合结构的日盲紫外探测器的设计与制备
04-07 384
基于先进的TCAD半导体仿真设计平台，天津赛米卡尔科技有限公司的技术团队设计了一种具有Ni/Ga2O3/GaN混合结构的日盲紫外探测器。该探测器分为Ga2O3吸收层和GaN传输层，如图1（a）和1（b）所示，在无光照情况下，Ga2O3吸收层中的电子浓度被Ni/Ga2O3异质结的内建电场耗尽；如图1（b）和1（d）所示，在有紫外光照情况下，Ga2O3吸收层中产生的光生电子被内建电场推入电子迁移率更高的GaN传输层中进行输运，提高了光生载流子的传输效率。图1（a）无紫外光照情况下和（c）有紫外光照情况下
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最新成果展示：p+-GaN/SiO2/ITO隧穿结模型的开发与应用
03-23 533
AlGaN基深紫外发光二极管（DUV LED）中具有高Al组分的p-AlGaN空穴注入层的掺杂效率较低，导致器件中空穴浓度以及材料的电导率降低，同时DUV LED中还存在电流拥挤效应，严重影响了器件光电性能。此外，蓝宝石衬底上的异质外延生长所产生的高缺陷密度还会引起漏电流的产生，而较高的空间电荷复合电流也会增大器件的理想因子。 为解决上述问题，天津赛米卡尔科技有限公司技术团体设计并制备了一种具有p+-GaN/SiO2/ITO隧穿结的发光波长为280nm的DUV LED，如图1所示。由于1 nm厚的...
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新成果展示：p-NiO插入终端结合MOS结构实现高性能GaN基SBD
01-25 1087
依托先进的半导体TCAD仿真平台，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队设计了一种具有p-NiO插入终端结合侧壁MOS场板的混合式肖特基势垒二极管结构（Hybrid TMBS），期望通过该设计能同时改善传统GaN基SBD的正向导通特性和反向击穿特性。图1展示了技术团队设计的Hybrid TMBS器件结构（Device A3），该结构的设计核心是利用p-NiO插入终端结合侧壁场板MOS结构形成混合式肖特基势垒二极管结构。如图2（a）所示，该设计方案，在器件正向偏置时，具有更高的电流密度，这主要归功于引入的p-N

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