新成果展示：p-NiO插入终端结合MOS结构实现高性能GaN基SBD

依托先进的半导体TCAD仿真平台，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队设计了一种具有p-NiO插入终端结合侧壁MOS场板的混合式肖特基势垒二极管结构（Hybrid TMBS），期望通过该设计能同时改善传统GaN基SBD的正向导通特性和反向击穿特性。

图1展示了技术团队设计的Hybrid TMBS器件结构（Device A3），该结构的设计核心是利用p-NiO插入终端结合侧壁场板MOS结构形成混合式肖特基势垒二极管结构。如图2（a）所示，该设计方案，在器件正向偏置时，具有更高的电流密度，这主要归功于引入的p-NiO插入终端可以有效地改善器件的电流拥挤效应，使器件台面底部附近的电流分布更均匀，从而减小器件的导通电阻 [图2（b），（c）和（d）]。此外，图2（e）和（f）中台面底部附近横截的能带图也展示了对于参考器件而言存在0.42 eV的电子势垒，而Hybrid TMBS器件结构则不存在所谓的势垒，这很直观地证明了Hybrid TMBS器件结构可以有效地促进电子向器件两侧输运，从而增强器件的电流扩展。