晶体管的热阻，Rjc( Junction−to−Case)、Rja(Junction−to−Ambient )

学习记录：

MOS选型考虑散热，散热包含导通损耗和开关损耗

功率加到一起小于最大耗散功率

最大耗散功率乘以RJC，被最高温度减TJ,得到环境温度，让散热装置维持低于这个温度就会正常工作；

那导通损耗=工作电压乘以RDSON，

那只剩导通损耗求导；

晶体管(或半导体)的热阻与温度、功耗之间的关系为：
        Ta=Tj-*P(Rjc+Rcs+Rsa)=Tj-P*Rja

公式中，Ta(Ambient temperature)表示环境温度

Tj(Junction temperature)表示晶体管的结温，也就是封装内部半导体裸片的温度。硅片的最高温度一般为150度。

P表示功耗，即在此晶体管上消耗掉的功率。

Rjc( Junction−to−Case)表示结壳间的热阻，内部硅片与封装外壳间的热阻，大功率的晶体管一般采用金属封装，其热阻小于陶瓷，陶瓷又小于塑料。

Rcs()表示晶体管外壳与散热器间的热阻，晶体管封装与散热器温度并不相同，因此要在两者间加垫片或者涂导热硅脂，进一步减小热阻。

Rsa()表示散热器与环境间的热阻

Rja(Junction−to−Ambient )表示结与环境间的热阻

        当功率晶体管的散热片足够大而且接触足够良好时，可以认为封装壳温Tc=Ta(环境温度)，晶体管外壳与环境间的热阻 Rca=Rcs+Rsa=0。此时 Ta=Tj-*P(Rjc+Rcs+Rsa)演化成公式Ta=Tc=Tj-P*Rjc。
        数据手册一般会给出：最大允许功耗Pcm、Rjc及(或) Rja等参数。一般Pcm是指在Tc=25℃或Ta=25℃时的最大允许功耗。当使用温度大于25℃时，会有一个降额指标。

        以ON公司的三级管2N5551为例：

        可知，当壳温Tc=25℃时的最大允许功耗是1.5W，Rjc是83.3度/W。
        代入公式Tc=Tj- P*Rjc有：25=Tj-1.5*83.3可以从中推出最大允许结温Tj为150度。一般芯片最大允许结温是确定的，半导体裸片一般能耐受的最高温度是固定的，大约150度。

        所以，2N5551的允许壳温与允许功耗之间的关系为：Tc=150-P*83.3。比如，假设管子的功耗为1W，那么，允许的壳温Tc=150-1*83.3=66.7度。当使用时必须保证2N5551外壳的温度低于66.7度，不然就会使结温超过150度，可能损坏2N5551。

        注意，上面的计算是基于壳温是25度的前提下的，如果壳温高于25℃,功率就要降额使用。

        最大允许功耗1.5W下面的就是降额常数值。规格书中给出的降额为12mW/度(0.012W/度）。比如，当Tc=40度，那么最大功耗降为了1.5-0.012*(40-25)=1.32。我们可以用公式来验证这个结论。假设壳温为Tc，那么，功率降额为0.012*(Tc-25)。则此时最大总功耗为1.5-0.012*(Tc-25)。把此时的条件代入公式Tc=Tj- P*Rjc得出：Tc=150-(1.5-0.012*(Tc-25))*83.3，公式成立，说明我们的推论是没有问题的。

一般情况下没办法测Tj，可以经过测Tc的方法来估算Tj。公式变为：

Tj=Tc+P*Rjc

同样以2N5551为例。假设实际使用功率为1.2W，测得壳温为60℃，那么，Tj=60+1.2*83.3=159.96此时已经超出了管子的最高结温150度了！

按照降额0.012W/℃的原则，60℃时的降额为 (60-25)*0.012=0.42W，1.5-0.42=1.08W。也就是说，壳温60℃时功率必须小于1.08W，否则超出最高结温。

总之，晶体管手册上的持续电流ID只是说在散热理想的状态下能够达到（比如液氮），而实际的稳定工作持续电流则受制于热阻和封装耗散功率，公式如下：

设计考虑半导体的功耗和温度间的关系时，即使厂家没给出降额系数，也可以根据热阻来得出其降额系数。即 Kc=1/Rjc 或Ka=1/Rja。

要特别说明，这里说的环境温度降额系数指的是最大额定功耗本身的降额，为了保证晶体管的可靠性，设计降额还需在环境温度降额系数的基础上再降额0.5至0.75左右！

热路的计算，只要抓住这个原则就可以了：从芯片内部开始算起，任何两点间的温差，都等于器件的功率乘以这两点之间的热阻。这有点像欧姆定律。任何两点之间的压降，都等于电流，乘以这两点间的电阻。

不过要注意，热量在传导过程中，任何介质，以及任何介质之间，都有热阻的存在，当然热阻小时可以忽略。比如散热器面积足够大时，其与环境温度接近，这时就可以认为热阻为0。如果器件本身的热量就造成了周围环境温度上升，说明其散热片（有散热片的话）或外壳与环境之间的热阻比较大！这时，最简单的方法就是直接用Tc=Tj-P*Rjc来计算。其中Tc为壳温，Rjc为结壳之间的热阻。如果你Tc换成散热片(有散热片的话)表面温度，那么公式中的热阻还必须是结壳之间的加上壳与散热器之间的在加散热器本身的热阻！另外，如果你的温度点是以环境来取点，那么，想想这中间包含了还有哪些热路吧。比如，散热片与测试腔体内空气之间的热阻，腔体内空气与腔体外空气间的热阻。这样就比较难算了。

看完了还是没懂MOSFET的散热怎样计算