4 DDR5 SDRAM命令描述和操作-2
4.3 预充电命令
1. PRECHARGE命令用于关闭打开的行,这个行可以是指定bank的也可以是所有bank的;
2. PRECHARGE命令发出tRP时间后,指定的行被激活,相应的bank或者所有bank可访问;
3. bank预充电结束,将处于idle状态,且在任何READ或WRITE命令到达该bank前它必须已经完成激活;
4. PRECHARGE命令允许发出的时候为当前bank无open row(即处于idle状态),或者是前一个open row正处
5. 于预充电过程中。
6. 预充电周期取决于发到bank的最后一次PRECHARGE命令。
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tRP:预充电命令发出到行被激活(即相应的bank或banks激活)
PRECHARGE command period,内存行地址控制器预充电时间(内存从结束一个行访问到重新开始的间隔
时间),注册预充电命令(由于要访问不同的行)到bank/row可用(可激活)的延迟,见PRECHARGE命令。
CL :CAS(READ) latency,列选择到数据输出的时间(注册读取命令到第一个输出数据之间的延迟),
见READ 命令。
tRAS:ACTIVE-to-PRECHARGE command,内存行地址控制器激活时间。
tRCD:ACTIVE-to-READ or WRITE delay,行选择(RAS)到列选择(CAS)延迟。
1. RD或WR命令的第二个脉冲为L,即RDA或WRA,自动刷新功能被启用;
2. 这个特性允许预充电操作在burst read时间段(取决于CAS延迟,即CL)中部分地或完全地隐藏,提高了
3. 随机数据访存系统的性能。
4. RAS锁定电路内在地延迟了预充电操作,直到阵列恢复操作完成(即tRAS满足),以便于自动预充电命令
5. 可以在任何读的时候都可以发出。
SDRAM采用电容存储数据信息,电容的漏电造成数据丢失,必须要定时刷新才不会丢失。为了保存内部数据,
DDR2每隔一定的时间就要对每一行进行刷新。根据SDRAM的JEDEC标准,最多每隔7.8us就要刷新一次,用来
保持DDR2内部数据的正确性。DDR2有两种刷新模式:自刷新(self-refresh)和自动刷新(auto-refresh)。自
刷新通常工作于所有bank都处于空闲的状态,功耗低,但是进入自刷新模式和退出自刷新模式都要经过复杂
的时序步骤来完成,控制复杂。自动刷新模式由定时器产生刷新命令,易于控制,因此一般选择自动刷新模
式。
上电后控制器首先执行的是初始化过程,然后才是读写操作。在读写过程中,会遇到刷新请求,刷新的优先
权要高于读写操作。如果刷新操作与读写操作冲突,则控制器会先通知用户停止发送读写命令,并等待现有
的读写操作完成,然后进行刷新操作。
执行读写操作时,控制器会先根据映射的行地址来判断操作所需要的行是否已经激活,如果已经激活,则直
接发送列地址;如果没激活且在不同的bank中,则先发送激活命令再发送列地址和读写命令;如果没激活且
在相同的bank中,则先要发送预充电命令关闭已经打开的行,然后依次发送激活命令和读写命令。
如果执行读操作,则在读命令发出后,要等待读数据传回,根据DQM信号来接收读数据。
4. 在WR命令中,也会执行自动刷新命令。在burst write的最后一个数据完成在存储阵列存储后,自动刷新
5. 命令引起的自动刷新操作开会开始。
6. 隐藏的PRECHARGE命令(自动刷新)到达bank之后,经过tRP时间,下一个行被激活,bank随之可用。
pulse:脉冲
engaged:引起
lockout circuit:锁定电路
restore:恢复
implement:执行,实施
预充电到预充电的延迟被定义为core timing tables的tPPD,tPPD适用于任何PRECHARGE命令的组合,也适
用于3DS DDR5 SDRAM不同die的PRECHARGE命令组合。
tPPD:预充电命令到预充电命令的延迟。
4.3.1 预充电命令模式
1. DDR5支持不同类型的PRECHARGE命令,Precharge,Precharge All,和Precharge Same Bank;
2. Precharge:PREpb—适用于BG[2:0]和BA[1:0]确定的特定bank;
Precharge All:PREab—适用于所有BG的所有BA的banks;
Precharge Same Bank:PREsb—适用于所有BG的BA[1:0]定义的相同序号的bank。
3. 在3DS DDR5 SDRAM设备,CID[3:0]用于选择目标die。