【JESD79-5之】4 DDR5 SDRAM命令描述和操作-3(precharge command)

4.3 预充电命令

1. PRECHARGE命令用于关闭打开的行，这个行可以是指定bank的也可以是所有bank的；
2. PRECHARGE命令发出tRP时间后，指定的行被激活，相应的bank或者所有bank可访问；
3. bank预充电结束，将处于idle状态，且在任何READ或WRITE命令到达该bank前它必须已经完成激活；
4. PRECHARGE命令允许发出的时候为当前bank无open row（即处于idle状态），或者是前一个open row正处
5. 于预充电过程中。
6. 预充电周期取决于发到bank的最后一次PRECHARGE命令。

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tRP：预充电命令发出到行被激活（即相应的bank或banks激活）
PRECHARGE command period，内存行地址控制器预充电时间（内存从结束一个行访问到重新开始的间隔
时间），注册预充电命令（由于要访问不同的行）到bank/row可用（可激活）的延迟，见PRECHARGE命令。

CL ：CAS(READ) latency，列选择到数据输出的时间（注册读取命令到第一个输出数据之间的延迟），
见READ 命令。
tRAS：ACTIVE-to-PRECHARGE command，内存行地址控制器激活时间。
tRCD：ACTIVE-to-READ or WRITE delay，行选择（RAS）到列选择（CAS）延迟。

1. RD或WR命令的第二个脉冲为L，即RDA或WRA，自动刷新功能被启用；
2. 这个特性允许预充电操作在burst read时间段（取决于CAS延迟，即CL）中部分地或完全地隐藏，提高了
3. 随机数据访存系统的性能。
4. RAS锁定电路内在地延迟了预充电操作，直到阵列恢复操作完成（即tRAS满足），以便于自动预充电命令
5. 可以在任何读的时候都可以发出。

SDRAM采用电容存储数据信息，电容的漏电造成数据丢失，必须要定时刷新才不会丢失。为了保存内部数据，
DDR2每隔一定的时间就要对每一行进行刷新。根据SDRAM的JEDEC标准，最多每隔7.8us就要刷新一次，用来
保持DDR2内部数据的正确性。DDR2有两种刷新模式：自刷新(self-refresh)和自动刷新(auto-refresh)。自
刷新通常工作于所有bank都处于空闲的状态，功耗低，但是进入自刷新模式和退出自刷新模式都要经过复杂
的时序步骤来完成，控制复杂。自动刷新模式由定时器产生刷新命令，易于控制，因此一般选择自动刷新模
式。
上电后控制器首先执行的是初始化过程，然后才是读写操作。在读写过程中，会遇到刷新请求，刷新的优先
权要高于读写操作。如果刷新操作与读写操作冲突，则控制器会先通知用户停止发送读写命令，并等待现有
的读写操作完成，然后进行刷新操作。
执行读写操作时，控制器会先根据映射的行地址来判断操作所需要的行是否已经激活，如果已经激活，则直
接发送列地址；如果没激活且在不同的bank中，则先发送激活命令再发送列地址和读写命令；如果没激活且
在相同的bank中，则先要发送预充电命令关闭已经打开的行，然后依次发送激活命令和读写命令。
如果执行读操作，则在读命令发出后，要等待读数据传回，根据DQM信号来接收读数据。

4. 在WR命令中，也会执行自动刷新命令。在burst write的最后一个数据完成在存储阵列存储后，自动刷新
5. 命令引起的自动刷新操作开会开始。
6. 隐藏的PRECHARGE命令（自动刷新）到达bank之后，经过tRP时间，下一个行被激活，bank随之可用。
pulse：脉冲
engaged：引起
lockout circuit：锁定电路
restore：恢复
implement：执行，实施

预充电到预充电的延迟被定义为core timing tables的tPPD，tPPD适用于任何PRECHARGE命令的组合，也适
用于3DS DDR5 SDRAM不同die的PRECHARGE命令组合。
tPPD：预充电命令到预充电命令的延迟。

4.3.1 预充电命令模式

1. DDR5支持不同类型的PRECHARGE命令，Precharge，Precharge All，和Precharge Same Bank；
2. Precharge：PREpb—适用于BG[2:0]和BA[1:0]确定的特定bank；
  Precharge All：PREab—适用于所有BG的所有BA的banks；
  Precharge Same Bank：PREsb—适用于所有BG的BA[1:0]定义的相同序号的bank。
3. 在3DS DDR5 SDRAM设备，CID[3:0]用于选择目标die。