ANSYS仿真DDR4的眼图

1  眼图的基本知识

对于数字信号,高低电平转换可以组合在多个序列中。以3位为例,总共有000-111和8种组合。在时域中,根据某个参考点对足够多的序列进行对齐,然后将波形叠加形成眼图,如下图所示。

                                          图:眼图中的信息

2  用ANSYS仿真DDR4的眼图的步骤

2.1 准备工作

导入待测的PCB文件到ANSYS SIwave中,选好数据,时钟等网络。

导入PCB的方法参考:

ANSYS_Q3D仿真激光发射的寄生电感_ansys q3d-CSDN博客

1>点simulation菜单下的DDRwizard。

2>选择DDR的类型、速率等,我们这里是DDR4,1866Mbps。

3>工作电压Vdd=1.2v。

                                         图:打开DDRwizard

4>打开setting,设置ODT为48Ω。

                                                     图:设置ODT电阻

2.2  IBIS模型的调用

1>这步可以导入PCB后做,选STYLE下的option,把待测DDR,主控芯片的IBIS模型放到2中的目录下面。

                                            图:放IBIS模型到指定的路径下

2>选择器件对应的IBIS模型;选择供电是用真实的VRM模型,还是理想VRM。

注意:这里还要继续设置DQ/DQS 的读写模式下的IO对应的IBIS模型。

                                                  图:IBIS模型的关联

2.3  配置仿真参数

这里可以参考下面的配置,点击OK后跳转到ANSYS DESKTOP

                                                   图:仿真参数配置

2.4 跳转到ANSYS DESKTOP

跳转到desktop界面后右键Analysis,开始仿真。

                                                  图:ANSYS DESKTOP界面

2.5  配置眼图输出结果

选择result → creat Eye Diagram Report → Rectangular Plot , 出现下图的配置,这里重点是Unit Interval的设置,我这里设置我速率1866M对应的周期535.9ps。

                                                图:输出结果波形的配置

2.6 输出眼图

选择DQ0~DQ7,输出眼图。

                                          图:输出的眼图结果

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SIwave中文培训手册,详细介绍了SIwave的使用入门基础,包括目录 1 现代 PCB 设计面临的挑战.....................................................................................................1 2 SI/PI 的基本概念,SI/PI 与 EMI 的关系...............................................................................1 2.1 传输线...........................................................................................................................1 2.2 特性阻抗.......................................................................................................................1 2.3 反射系数和信号反射...................................................................................................2 2.4 截止频率.......................................................................................................................3 2.5 S 参数 ...........................................................................................................................3 2.6 电源完整性的定义.......................................................................................................4 2.7 同步开关噪声...............................................................................................................5 2.8 PDS 的阻抗以及目标阻抗的定义...............................................................................5 2.9 去耦电容.......................................................................................................................6 2.10 SI/PI 与 EMI 的关系....................................................................................................7 3 PCB 前仿真——熟悉软件界面和基本操作 ..........................................................................8 3.1 PCB 数据的导入和检查 ..............................................................................................8 3.2 预布局阶段的设计与仿真.........................................................................................13 3.2.1 层叠设计.........................................................................................................13 3.2.2 平面分割.........................................................................................................14 3.2.3 添加去耦电容.................................................................................................14 3.2.4 仿真之前的参数设置.....................................................................................15 3.2.5 谐振分析.........................................................................................................16 4 布线后仿真.............................................................................................................................18 4.1 PI 仿真:....................................................................................................................18 4.1.1 谐振模式分析,退耦电容的作用.................................................................18 4.1.2 阻抗分析,阻抗和谐振的关系.....................................................................20 4.1.3 传导干扰分析和电压噪声测量,及其与谐振的关系.................................22 4.1.4 SSN 仿真(建议初学者跳过本节).............................................................25 4.2 DC Voltage (DCIR) drop 仿真....................................................................................33 4.3 SI 仿真........................................................................................................................38 4.3.1 信号线参数抽取.............................................................................................38 4.3.2 TDR.................................................................................................................41 4.3.3 信号完整性与串扰仿真.................................................................................42 4.3.4 差分信号参数提取和眼图仿真.....................................................................49 4.4 PCB 的 EMI 设计与控制...........................................................................................52 4.4.1 PCB 远场辐射分析 ........................................................................................52 4.4.2 频变源加入(建议初学者跳过本节).
### 回答1: DDR4眼图模板眼高要求是指DDR4存储器的眼图在使用高速信号时具有更高的稳定性和可靠性。眼图是指在高速信号传输过程中波形的打开程度和关闭程度,它反映了信号的稳定性和传输质量。 对于DDR4存储器,它具有更高的时钟速率和更高的传输速率。因此,它对眼图的要求也更高。一个好的DDR4眼图应该有较宽的打开幅度和迅速的关闭时间,以确保在高速信号传输时能够保持稳定和可靠的表现。而高性能眼图模板是设计出来满足这种要求的。 高性能眼图模板通常使用更高的采样速率、更高的分辨率以及更复杂的算法,来捕获更精确的波形和信号特征。这些模板还可以分析信号传输前后的特征变化,从而提供更准确的眼图参数。 此外,高性能眼图模板还可以用于测试DDR4存储器的稳定性和可靠性。利用这些模板可以精确地分析DDR4存储器在不同负载和环境条件下的性能表现,从而确定其性能是否符合预期。这对于优化DDR4存储器的设计、改进测试方法显得尤为重要。 综上所述,DDR4眼图模板眼高要求是为了确保DDR4存储器在高速信号传输时具有更高的稳定性和可靠性。高性能眼图模板可以捕获更准确的波形和信号特征,并用于测试DDR4存储器的性能表现。 ### 回答2: DDR4是一种高速的内存条技术,在计算机硬件中有着广泛的应用。在DDR4的设计和测试中,眼图模板眼高要求被广泛接受。 眼图模板是用于测试和分析数据传输的重要工具。它可以帮助设计师评估数据传输的质量和稳定性。在DDR4的设计和测试中,眼图模板眼高要求非常重要,因为它们可以提高设计的品质,降低系统故障的风险。 眼图模板的眼高要求意味着模板必须能够在传输过程中提供足够的信号余量,以确保正确的数据传输。如果眼高要求不满足,那么数据传输可能会受到干扰,导致系统无法正常工作或发生误操作。因此,DDR4的设计和测试中,眼图模板眼高要求是不可或缺的。 要满足DDR4眼图模板眼高要求,设计师必须考虑多个因素,例如电路板布局、信号线长度、信号完整性等。通过专业的设计和精确的测量,可以获得符合标准的眼图模板,从而保证DDR4内存条的高质量和稳定性。 综上所述,DDR4眼图模板眼高要求十分重要。它们能够帮助设计师评估数据传输的质量和稳定性,提高设计的品质,在使用过程中减少系统故障的风险。 ### 回答3: DDR4眼图模板是用于验证存储器芯片的电信号品质的工具,其眼高要求表示它必须具有极高的品质和精度。眼图是指在一定条件下对信号进行采样后,我们所看到的完全开放的“眼形图像”,它是评估信号品质的关键参数之一。眼高是指眼形图像的高度(即Y方向的变化范围),它表征了存储器芯片在特定电气条件下可靠地工作的能力。 由于DDR4存储器速度更快、容量更大,其信号品质要求也更高。DDR4眼图模板的眼高要求通常在200mV以上,这意味着测量出的眼形图像必须具有高达200mV的开口高度,以确保存储器芯片在最苛刻的电气条件下仍能正常工作。眼高的高低直接影响到存储器的可靠性和性能,因此DDR4眼图模板的眼高要求是一个十分重要的指标。 在制造DDR4存储器时,为了确保其符合行业标准和客户的需求,必须对存储器芯片的电信号品质进行严格测试和验证,而DDR4眼图模板是测试过程中必不可少的工具。因此,DDR4眼图模板的眼高要求是十分重要的指标,它能够为制造商提供一个可靠的品质保证,确保DDR4存储器的品质和性能能够满足客户的需求。
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