并联去耦电容的反谐振

1 串联谐振与并联谐振

       并联谐振是一种电流谐振现象，其中电容器（C）和电感器（L）上的电流相互交换，形成谐振状态。在谐振时，电容器和电感器上的电流对外交换为零，电路呈现开路状态，谐振时阻抗最大。

      串联谐振是一种电压谐振现象，其中电容器和电感器上的电压相互交换，形成谐振状态。在谐振时，电容器和电感器上的电压对外交换为零，电路呈现短路状态，谐振时阻抗最小。

                                 图：串联谐振

                                 图：并联谐振

串、并联谐振频率为：1 / 2*pi*√LC

串联谐振品质因数Q = w*L / R = (1 / R ) *√L/C

并联谐振品质因数Q = w*C* R =  R  *√C/L

2  单个去耦电容的阻抗

下图为去耦电容的RLC模型，LC的谐振频率为1 / 2*pi*√LC = 50MHz。

                                                     图：RLC等效电路

可以从仿真的结果看LC的谐振频率为50M左右，还对比了ESR对阻抗的影响，ESR小的谐振Q值更高，选的3个频率点的阻抗也更小，所以ESR小的电容，阻抗更低。

                                                          图：RLC的阻抗波形

3  并联去耦电容的阻抗

验证并联电容对去耦效果的影响，增加一路RLC并联，增加这路的谐振频率为：

1 / 2*3.14 = 159MHz，考虑相互之间LC的并联谐振，则有谐振频率：

1 / 6.28*√100 = 15.9MHz  和  1 / 6.28* √10 = 50MHz。

                                        图：并联的RLC去耦电路

从并联的RLC仿真电路看，可以明显看到有5M，48M，163M，三个谐振点，其中48M这个谐振点是由于并联反谐振造成的。

                                               图：并联的RLC去耦阻抗波形

4 ESR对并联反谐振的影响

        为了解决上面的并联反谐振峰，可以尝试用减小Q值的方式，也就是增大ESR，下图中把1nF电容这里的ESR由0.1R增大到1R，看仿真的阻抗波形，48M这里的阻抗由44减小到8，只是163M谐振这里的阻抗由0..1增大到0.9，并联反谐振峰是有明显减小的，所以有些场合用大ESR的电容也是有好处的。

                                                    图：增加ESR对阻抗的影响

5  晶体的并联反谐振

        晶体的等效模型如下图所示，Co为封装电极的寄生电容，Lm ，Rm， Cm为晶体的等效RLC，Lm和Cm形成自谐振，谐振频率Fs = 1 / 2*pi*√Lm*Cm。

       Co也会与Lm并联反谐振，谐振频率为Fa = Fs *√(1+Cm / Co)

                                             图：晶体的频率与阻抗的关系

按下图中的RLC参数仿真：

计算：Fs = 7988768 Hz    Fa = 8008102 Hz

仿真结果如下图所示，与计算的值是一样的。

                                      图：晶体的仿真结果

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