本文介绍了LDO、MCU内部基准和电压基准芯片的精度误差。LDO如富满电子SC662K和南京微盟ME6216系列精度分别约为±2%和±1%。STM32F103XX的内部基准精度在宽温范围内为±4%。而TI的REF30XX基准芯片精度高达0.2%。
首先我们要了解LDO、DCDC和电压基准源的一般能做到什么样的精度，了解这些可以使我们对一个系统的误差分析做到心里有数。
1、LDO的精度误差
一般LDO的内部原理图如下：一个PMOS，一个运放，一个电压基准源，就是一个非常典型的恒压电路，如果我们可以修改里面的两个电阻就是一个可调的稳压源。
图：LDO的内部电路
LDO的一般精度都是1%或者2%，比如看下面的两个国产LDO：
1>富满电子的SC662K
精度：±2%
图：LDO的精度规格
这个是3.3v输出的LDO
精度：0.06/3.3=1.8%，也就是精度±2%左右
2>南京微盟的ME6216系列
精度：±1%以内
图：LDO的精度规格
2、MCU内部基准的精度
精度=（1.25-1.2）/ 1.23 = 4%
图：MCU的内部基准精度
表中MCU的为STM32F103XX的内部基准参数。注意这个测试条件是宽温度范围内的精度误差。
3、电压基准芯片的精度
看一下TI的一个非常便宜的REF30XX的基准芯片的精度有：0.2%
图：基准芯片的精度
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