LDO的降噪方法

噪声对高性能的模拟电路设计是一个比较关键的参数，下面是含有噪声的LDO内部框图：

Vout = VR*(1+R1/R2)，其中(1+R1/R2)为直流闭环增益，这时噪声VN也被直流增益放大，下图就是随着增益的变大噪声也是变大的。

所以我们降低噪声的办法就是减小噪声的增益，使交流增益接近于单位增益。电路如下：

通过Cnr与Rnr降低误差放大器的噪声增益，使交流增益接近于1.1。

这里有一个问题，为什么交流增益只降到了1.1，我只接一个电容不好吗？

ADI针对这个问题解释如下：有些LDO具有低相位裕量，或者在单位增益下不稳定；因 此，可以随机选择RNR阻值使放大器的高频增益接近1.1。 尽管降噪幅度会减小，但为了确保LDO保持稳定，RNR的 阻值可以根据需要进行调整。所选的CNR用于将降噪网络 的低频零点(由CNR、RFB1和RNR构成)设置在10 Hz以下，确保 1/f区域的噪声得到充分降低。

加入降噪网络后的噪声频谱密度如下：最下面的线为单位增益时的频谱密度，中间的线为加入降噪网络后的，最上面的为不加入降噪网络的。

参考文章：ADI的AN-1329        作者：Glenn Morita