1 LDO的噪声分析
噪声对高性能的模拟电路设计是一个比较关键的参数,下面是含有噪声的LDO内部框图:
图:LDO的内部原理图
Vout = VR*(1+R1/R2),其中(1+R1/R2)为直流闭环增益,这时噪声VN也被直流增益放大,下图就是随着增益的变大噪声也是变大的。
图: LDO的噪声频谱密度
2 LDO的降噪
所以我们降低噪声的办法就是减小噪声的增益,使交流增益接近于单位增益。电路如下:
通过Cnr与Rnr降低误差放大器的噪声增益,使交流增益接近于1.1。
这里有一个问题,为什么交流增益只降到了1.1,我只接一个电容不好吗?
ADI对这个问题解释如下:有些LDO具有低相位裕量,或者在单位增益下不稳定;因 此,可以随机选择RNR阻值使放大器的高频增益接近1.1。 尽管降噪幅度会减小,但为了确保LDO保持稳定,RNR的 阻值可以根据需要进行调整。所选的CNR用于将降噪网络 的低频零点(由CNR、RFB1和RNR构成)设置在10 Hz以下,确保 1/f区域的噪声得到充分降低。
图:LDO的降噪原理图
加入降噪网络后的噪声频谱密度如下:最下面的线为单位增益时的频谱密度,中间的线为加入降噪网络后的,最上面的为不加入降噪网络的。
参考文章:ADI的AN-1329
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