二极管三极管基础学习

1  二极管

1.1  基础知识点

       将p型半导体和N型半导体进行原子级别的结合就形成了PN结，如下图所示，因为接触电场的存在会在PN结上形成固定的压降，硅材料的一般为0.6v，锗材料的一般为0.3~0.5v，锗材料的温度敏感性比较强，稳定性不如硅材料的。

PN结的伏安特性曲线如下图所示，V2为正向导通的电压，V1为反向击穿的电压；

V1点的电压比较稳定（限制电流后可以做稳压），这个点的电压是可以通过不同的工艺做成不同值的。

V2点的电压不是稳定的，不同的电流情况下管压降是不一样的，所以在我们用万用表测量管压降和实际在电路中使用可能是不同的。

1.2  不同类型的二极管

1>小信号开关二极管

以最常用的1N4148为例，参数如下：

伏安特性曲线如下图所示：

 

2>肖特基二极管

 

       对比肖特基和小信号开关管，各有特点，小信号开关管的体电容比较小，漏电流也非常的小，肖特基的漏电流一般较大，体电容也非常的大。

2  三极管

2.1  三极管的放大

三极管最主要的作用就是具有电流放大的作用，示意图如下，

 

当满足发射结BE正偏，集电极BC反偏的时候，发射结就会有从基极流向发射极的电流Ib，同时集电结反向导通，形成集电极电流，经过基极流向发射极，发射极的电流就是基极电流加上集电极的电流，有如下的关系：

2.2  BJT的输入输出特性

1>输入特性曲线

 

注意一点：当Uce>1v时，特性曲线右移！Ube的值有所增加。

上图的输出特性为共射放大电路的输出曲线，从上图可以看出：

1>截止区：随着Ib减小到一定的值后，无论怎么增加Uce，Ic的电流都维持在一个较小的值。

2>放大区：在曲线中间的放大去，集电极电流Ic=β*Ib。

3>饱和区：在Uce一开始逐渐增加时，Ic的电流时逐渐增加的，是一段近似线性的增加。一般进入饱和区时，三极管的ce压降为0.3v左右。

2.3  共射放大电路与共基放大电路的带宽

       三种放大电路中共射放大电路的带宽最窄，频率特性最差，不适合放大高频信号。产生这个问题的原因如下图所示：

1>电阻r与Cbe构成低通滤波，无法避免且没有被放大。

2>电阻r与Cbc构成低通滤波，但由于共射放大电路的接法有倍增低通效果。

                                              图：共射放大电路的米勒效应

        共基放大电路因为输入在E极，输出在C极，又因IE≈IC，所以没有电流放大能力，只有电压放大能力，即具有电流跟随的特点；输入电阻小，电压放大倍数、输出电阻与共射电路相当，高频特性好；输入与输出是同相的关系，属同相放大。

                                                      图：共基放大电路

共基极放大电路的输入电容和RE是没有构成低通滤波器的，为了验证这个问题，我做了一个仿真。

1>在射极电阻后面加了一个10u电容，R4与R3构成低通滤波，截止频率在16Hz，那么此时输入信号的幅度会被足够的衰减，那么我输出的信号幅度肯定会很小，但是下面中绿色的波形为输出波形。

经过R4与R3后确实被足够的衰减了。

3、三极管的参数

       MMBT3904的参数，常用的有Ic的大小，开关参数上的ft，既要开关速度够快，电流还大的三极管比较少，满足这两个条件还能找到的型号有MMBT3904 + MMBT3906(两个对管)MMBT2222A + MMBT2907(两个对管)

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