低功耗设计基础：Multi-Vth

最新推荐文章于 2024-10-14 11:58:03 发布
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分类专栏： IC低功耗 文章标签： stm32
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静态漏电流主要部分为sub-threshold：
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Vth(Vt)越大，对应的Isub越小，反之Isub就越大。进一步地说，就是Vth越小，leakage power越大，Vth越大，leakage power越小。同时我们知道Vth还与器件的速度息息相关，那我们就可以总结出Vth与速度，leakage之间满足如下关系：
在这里插入图片描述
例如高通芯片大小核采用更低的VTH域值CMOS管，而LP CPU(处理音频和SENSOR)采用更高的VTH.

如何成为一名高级数字 IC 设计工程师（5-2）理论篇：ULP 低功耗设计技术精讲（上）
新芯设计的博客
07-03 540
--引言 数字系统的性能特征总是和电路的执行速度和处理能力是密切相关的，在微处理的设计领域中，其性能通常是按照 MFLOPS（每秒 时间内浮点运算的次数）或者 MIPS （每秒时间内可执行的指令数）来衡量的。 然而， 数字系统处理性能的增加， 就意味着电路负载的增大， 于是， ----功耗增加 -> 温度上升，影响工作状态) -> 续航减少，影响用户体验) -> 稳定性低，影响性能潜力) -> 散热成本，影响竞争方案) 最终影响产品的市场推广 可靠性是温度的函数，据估计温度....
【转】低功耗设计汇总
叫好与叫座虽然不是对立面，但想在同一个作品中达到双重效果很难。
04-22 1230
在芯片设计中，我们经常提到PPA权衡，即Power，Performance和Area。功耗过大会导致便携设备的电池寿命变低，芯片散热成本增高，温度变高芯片的可靠性和电路的时序会受到影响，电源网格设计难度加大，以及产品竞争力降低。为了缓解上述问题，我们会在系统、架构、前端、后端、生产、工艺以及量产各个阶段都采用相应的PPA设计技术。
低功耗实现——常用EDA工具中Multi-VT的实现方法
qq_36480087的博客
04-14 2119
从Synopsys Multi-VT实现过程主要是在逻辑综合（Logic Synthesis）阶段。DC完成Multi-VT的实现，主要是在target_library中找出可以使用的所有逻辑单元，并在满足时序约束的情况下，使用最低leakage power的单元进行实现。 其实现步骤可以如下： #读入不同VT的逻辑单元作为target library，当DC有充分的选择空间 set_target_library {dbtcbn90lphdbwptc.db dbtcbn90lphdbwphvttc.db
学习数字电路低功耗
u011393762的博客
11-02 252
大佬写得非常详细： 基于design compiler中power compiler的低功耗设计方法 - 知乎 为了防止再次大意看错，记录下。锁存器门控时钟在时钟CLK为低电平，EN输出到锁存器Q（非D触发器，电平触发。一个D触发器由两个锁存器组成），CLK为高电平，Q端保持。 ...
【数电】理解MOS管的Vth（增强型）
weixin_44697411的博客
04-27 1万+
其实就是，对NMOS来说，栅极底下是P型半导体，有空穴和B-离子，栅衬之间加电压，电子往栅极底下跑，与空穴复合，此时形成耗尽层（虽然因为B-离子的原因带负电，但无法自由移动）；当电压超过Vth，多余电子来到栅极底下，可自由移动，形成沟道。 ...
第二十九课：Placement
qq_47485904的博客
06-11 2218
冲冲冲~！
闪存的基础知识1-Vt的定义
whm128的博客
01-15 3163
阈值电压(Vt)阈值电压(Vt或Vth)的概念是从MOS管来的。在一些特殊应用里，MOS管会有更多需要考虑电压及电流的节点，如果后面有碰到，再做介绍。(2)约定不变，不代表不可以改变。在一些情况下，我们也可以改变Vd和It的来改变Vt，
低功耗设计指南：NMOS与PMOS晶体管的选择与考量
晶体管技术是现代电子工程的核心，其低功耗设计对于延长电子设备的电池寿命、减少能量消耗以及提高集成电路的性能至关重要。本文系统地介绍了NMOS与PMOS晶体管的工作原理及其在低功耗设计中的应用。通过分析晶体管的...
【带隙基准电路的低功耗设计】：绿色电子的新标杆
本文探讨了带隙基准电路的基础知识及其在低功耗设计中的应用。文章首先分析了低功耗设计的重要性，包括能源消耗的影响因素和绿色电子的目标。接着，文中详细介绍了低功耗设计的常见技术，如动态电压频率调整（DVFS）...
逻辑这回事（三）----功耗优化
冬瓜
06-01 3873
Short-current功耗(Pshort)是指 CMOS电路的输入变化导致输出状态翻转的时候，在电源和地之间形成的短暂通路所消耗的功耗(可以理解为Q1、Q2的延迟不一致，当Q1导通时，Q2也导通，会形成一瞬间的VDD到GND的通路), Pshort = A*V*Isc*f,其中，A为反转活动因子，V为供电电压，Isc为短路电流，f为运行频率。对设计中的算术运算单元做操作数隔离设计，主要思想是:在不进行算术运算的时候，使这些模块的输入保持不变，不让新的操作数进来，使得输出结果不会翻转;
一分钟了解MOS管基础知识
攻城狮鹏哥
04-04 1461
在栅极电压（VGS）为零时，耗尽型MOS管已经形成了导电沟道，即使没有外加电压，也会有漏极电流（ID）。通过选择合适的场效应管类型和设计合适的电路，可以实现高效、可靠的电子系统。只有当施加适当的正向栅极电压时，才会在半导体表面感应出足够的多数载流子，形成导电沟道。当在栅极施加适当的电压时，会在栅极下方的半导体中形成一个导电沟道，从而控制漏极和源极之间的电流流动。：在开关电源中，场效应管用于控制能量的存储和释放，实现高效的电压转换。，较小的导通电阻意味着较低的功耗和较高的电流驱动能力。
MOS管的选型
YY_Share的博客
08-08 2156
MOS管是一个电压控制型器件，而三极管是一个电流控制型器件，下面简要介绍一下如何在工程应用上选型一个MOS管。1.封装封装指的是MOS管的外形，尺寸。封装的大小基本和可通过的电流成正比，选取的时候也要考虑板子的大小，所以合适即可。2.Vgsth对于NMOS管来说，给GS施加一定的电压，可将MOS管打开，这个电压的大小，在规格来说，就是Vgsth。很多MOS管的Vgsth都在3.3V以下，所以可以直接使用3.3V供电的单片机IO直接去控制，但是一定要将这个参数确认好。3.Rdson。
[UPF]低功耗（Low Power Design）and UPF介紹
元直的博客
06-09 2万+
低功耗（Low Power Design）and UPF介紹 一、低功耗設計策略（Lower-power design strategies） 1.1、動態和靜態功耗（Dynamic and Static Power） 1.1.1、Dynamic power Switch power：取决于时钟频率（每秒翻转的次数）以及开关活动性（在连续时钟周期实际反转的次数） Internal power: 当输入信号处于翻转的中间状态时在p和n之间.........
SRAM 中 Multi-Vt 选择（BASE、LL、ULL）
最新发布
hzmscut的博客
10-14 880
之间的关系，以满足特定设计需求。选项时，设计者需要权衡。
OLED显示原理7T1C基础分析（PWM与DC调光）
runafterhit的博客
12-24 1万+
ELVSS和ELVDD通常由特定的电源控制芯片PMIC提供，开机时电源芯片启动输出，ELVSS和ELVDD有一个逐步爬坡的过程，在这个过程的时候，如果EM信号不能一直拉低关闭，就会导致玻璃上非预期的发光。：EM拉低时OLED开始发光，拉低的时间决定了发光时间长度，举例60Hz的屏幕刷新率下一帧的显示时间为16.6ms，如果一个像素电流固定情况下，一帧里面EM拉低发光8ms 或者 1ms，二者亮度就会出现明显差异。Gn打开（Gn-1和EM关闭），此时Data电压充电到N1点，如圈选处 TFT关闭的临界条件。
芯片行业常用的英文术语及其含义
goodCodeVsBadBs的博客
08-31 3万+
前言： 整理芯片行业中一些常用的英文专业术语。（待完善） 一、专业术语 1.CP (Chip Probing芯片/晶圆/晶片+测试/检测): 2.CVD (chemical vapor deposition 化学气相沉积):利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。具体的有如MOCVD（金属氧化物～）和PECVD（等离子体增强～） 3.Datasheet (规格/说明书):总结产品、机器、部件（例如电子部件）、材料、子系统（例...
施密特触发器原理图解
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施密特触发器原理图解详细分析 重要特性：施密特触发器具有如下特性：输入电压有两个阀值VL、VH，VL施密特触发器通常用作缓冲器消除输入端的干扰。   施密特波形图 　　施密特触发器也有两个稳定状态，但与一般触发器不同的是，施密特触发器采用电位触发方式，其状态由输入信号电位维持；对于负向递减和正向递增两种不同变化方向的输入信号，施密特触发器有不同的阀值电压。 　　门电路有一个阈
TSMC 40nm工艺使用笔记（i）
dongdaxiaobai的博客
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1、MOS管的Vth和gate面积有关。使用短finger，多个并联可以有效降低Vth。 exp：length=200n,width=1u,number of fingers=1，m=1 Vth=402mV length=200n,width=250n,number of fingers=4，m=1 Vth=394mV 原因猜想：gate面积越大，反型层下方积累电荷越多。 2、MOS管饱和...
LPMM阅读笔记
hbcbgcx的博客
12-25 1801
https://www.cnblogs.com/ChipView/p/9278614.html LPMM阅读笔记——第1章 引言 LPMM阅读笔记（1） 写给自己： 转眼间我已经工作了两年，在这两年里，为了工作需要我看了很多相关书籍，在我看书的时候都会对自己说等我后面有空的时候要对这本书上的知识点做一个整理和总结，但我发现每次我都只是一如既往地这说说而已，等到书看完了也就仍在一边了，最后充其量拿来...
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