低功耗实现——常用EDA工具中Multi-VT的实现方法

最新推荐文章于 2024-06-01 19:10:32 发布

时钟树上的小猴子

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分类专栏：低功耗设计文章标签：低功耗

本文链接：https://blog.csdn.net/qq_36480087/article/details/123696764

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本文介绍了在数字集成电路低功耗物理实现中，如何利用Synopsys的Multi-VT技术进行逻辑综合降低功耗。通过在DC工具中设置不同阈值电压的逻辑单元库，结合时序约束和漏电电流限制，实现低功耗优化。在布线后优化阶段，可以通过特定选项进一步调整以保持时序并减少功耗。通过对单元库的分析，设计者可以了解不同阈值电压对设计速度和功耗的影响，以选择合适的库进行设计。

摘要由CSDN通过智能技术生成

转载来源：数字集成电路低功耗物理实现技术与UPF——孙轶群

从Synopsys Multi-VT实现过程主要是在逻辑综合（Logic Synthesis）阶段。DC完成Multi-VT的实现，主要是在target_library中找出可以使用的所有逻辑单元，并在满足时序约束的情况下，使用最低leakage power的单元进行实现。
其实现步骤可以如下：

#读入不同VT的逻辑单元作为target library，当DC有充分的选择空间
set_target_library {dbtcbn90lphdbwptc.db dbtcbn90lphdbwphvttc.db
dbtcbn90lphdbwplvttc.db dbtcbn90lphdbwpulvttc.db}
#读入HDL代码
read_verilog design_include.v
#link design
current_design design_top
uniquify
link
#读入约束
source design_constraint.tcl
#其他设置
……
#设置最大漏电电流，该设置必须有，否则优化过程不考虑漏电的优化
set_max_leakage_power 0 mw
#开始编译
compile_ultra