自举开关为啥用NMOS管，不用PMOS管

最新推荐文章于 2024-10-15 13:19:48 发布
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自举开关对输入信号范围有限制？

在这里插入图片描述

NOMS管和PMOS管的区别

  1. 首先，单从性能上讲，pmos的性能不及nmos。因为nmos的导电沟道中载流子是电子，而pmos导电是空穴，电子的迁移率是空穴迁移率的2.5倍左右，导致了电子的电流驱动能力和跨导高于空穴。这里多说一句，迁移率是单位电场内载流子的运动速度。
  2. 另外，对于给定的器件尺寸和偏置电流，nmos晶体管呈现出较高的输出阻抗，为放大器提供了更加理想的电流源和更高增益。所以人们更加倾向与采用NFETs而不是PFETs。
  3. 不是说pmos就一无是处了，在实际的CMOS工艺中，我们常常采用nwell工艺，在p-sub上形成很多相对灵活的局部衬底nwell作为pmos的衬底，所以，对于pmos来说，这种灵活性也经常被利用。
  4. PMOS的噪声性能优于NMOS。PMOS器件的1/f噪声无疑比NMOS晶体管的低，因为前者输运空穴是在“埋沟”中，也就是在距硅-氧化物界面有一定距离的地方。（拉扎维P177）
  5. 除了PMOS本身的 Noise 比NMOS 小一點之外
    有些電路之所以會採用 P-type 而不用 N-type 有可能是因為
    用N-TYPE做 可能會受到 Ground Bounce的影響 如果改用 P-Type卻只會受到 Power IRDrop的影響
    相較之下 後者較佳. 因為在一般情況下 Ground的行為往往比POWER更加多變
PMOS和NMOS管
道亦无名
10-21 1265
PMOS（P-channel Metal-Oxide-Semiconductor）即P型金属氧化物半导体，是一种使用P型掺杂（空穴作为载流子）的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。在PMOS晶体管中，栅极（Gate）电压低于源极（Source）和漏极（Drain）电压时，晶体管导通，形成导电通道。相反，当栅极电压高于源极和漏极电压时，晶体管关闭，不导电。值得注意的是，虽然PMOS和NMOS在功能和结构上有差异，但它们在CMOS电路中通常是成对出现的，以实现更复杂的逻辑功能和更高的性能。
【ShuQiHere】晶体管小科普：小白也能轻松懂的 PMOS 和 NMOS ✨
ShuQIHere的博客
10-12 2113
嘿，大家好！今天我们来聊聊电子世界中最重要的“小家伙”之一：**晶体管**，特别是 **PMOS 和 NMOS** 晶体管！它们可是现代电子设备中不可或缺的存在哦，手机、电脑、甚至你家里的智能家居设备都离不开它们。💡 那么，NMOS 和 PMOS 究竟是什么？它们有什么区别呢？今天就让我们一起来看看，保证你会有一个轻松愉快的学习之旅~ 🚀
MOS管当开关控制时为什么一般用PMOS做上管NMOS做下管
07-07
了解MOS管的开通/关断原理你就会发现，使用PMOS做上管、NMOS做下管比较方便。使用PMOS做下管、NMOS做上管的电路设计复杂，一般情况下意义不大，所以很少采用。
DCDC 高端 NMOS 的自举秘诀
m0_63909752的博客
12-12 3964
开关电源作为电子产品的“心脏”，发挥着提供动力的作用。今天让我们一起来认识下有效导通关断NMOS管的“窍门”。 NMOS管的主回路电流方向为D极到S极，导通条件为VGS有一定的压差，即VG-VS>VTH；PMOS管的主回路电流方向为S极到G极，导通条件为VSG有一定的压差，即VS-VG>VTH。故一般把NMOS作为下管，S极接地，只要给G极一定电压即可控制其导通关断；把PMOS作为上管，S极接VIN，G极给个低电压即可导通。当然NMOS管也可作为上管，但需要增加自举驱动电路。 对于一
为什么NMOS管比PMOS管用得多--电子迁移率-宽禁带-半导体材料参数介绍
weixin_42005993的博客
03-16 1万+
上期文章我们最后提到了半导体参数，之所以专门挑一篇文章来说，因为它确实比较重要，可以让我们明白当前各种半导体材料的优势与劣势的原因。 不仅如此，还可以让我们明白一些东西，特别是二极管和三极管的一些特性。 其实这些问题，如果明白了下面参数的含义，那么也就理解得差不多了。 禁带宽度 首先来看禁带宽度，这个参数是从能带模型里面来的。 固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带，要导电就要有自由电子或者空穴存在，自由电子存在的能带称为导带（能导电）。被束缚的电子要成为..
SAR ADC系列1 采样开关（MOS开关和栅极自举开关）
wang201938的博客
01-21 9800
采样开关（MOS开关和栅极自举开关）
高速SAR ADC 关键技术研究和实现（一）：自举开关
HZY2020的博客
06-15 4877
高速ADC技术
有关CPU供电NMOS自举驱动电路设计
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本文件讲叙了CPU中有关NMOS自举电路的设计
NMOS和PMOS的区别
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m0_53033596的博客
05-28 1万+
文章所有公式、文字都是本人一个一个敲出来的，部分图是一点一滴画出来的，创作不易，对您有所帮助的话。
PMOS开关管的选择与电路图
10-21
正确的选择PMOS（P沟道MOSFET）或者NMOS（N沟道MOSFET）开关管，是电子电路设计成功的关键因素之一。 MOSFET作为功率开关，其工作原理依赖于栅极与源极间的电压差。当N沟道MOSFET的栅极施加高于源极的正电压时，会...
nmos高端驱动自举电路
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一、电容自举驱动NMOS电路 VCC经过二极管D2、电容C2、电阻R1到地，所以加载在电容C2两端的电压约为14V。 图1电容自举驱动NMOS电路 （1） 当V1输入高电平时，Q1、Q4导通，B通道输出高电平，Q2截止，C通道输出高电平，Q3导通，D通道输出高电平48V，由于C2两端电压14V，所以Q3的导通使电容抬升了VDD的电压，即电容C2的正极电压位62V左右，经过三极管Q4、二极管D1到达Q3的栅极，电容C2起到了自举抬升电压的作用，使Q3持续导通。 （2） 当V1输入低电平时，Q1、Q4截止，B通道输出低电平，Q2导通，Q2的导通为Q3的栅极提供放电电路（栅极电压通过Q2、电阻R1放电），使得电容C2的负极电压接近0V，即D通道输出低电平。 图2 电容自举驱动NMOS电路仿真 二、MOSFET驱动电路 图3 MOSFET驱动电路 （1） 当V1=V2=5V时，Q1、Q4导通，Q2截止，VCC经过D2、Q4、D1、R4到达Q3的栅极，Q3导通；Q6、Q7截止，Q8导通，Q8的导通为Q5的栅极提供放电回路，Q5截止； （2） 当V1=V2=0
DC-DC开关电源学习（一）---NMOS与PMOS内部结构，寄生/体二极管应用与参数，简单自举电路
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记录学习NMOS和PMOS管的硬件结构、工作原理和应用场景，以及简单自举电路与MOS管的应用
自举电容的工作原理
朵朵的博客
08-11 5227
对HS Drvier而言，以A点电位为参考，输出高电平时，Vgs依然是VCC，大于Vth，可以让Q1持续导通。对HS Drvier而言，以V-点电位为参考，输出高电平时，Vgs依然是VCC，大于Vth，可以让HQ持续导通。当电感储存的能量泄放完，D1反向截止，而HS Driver要驱动高边MOS管Q1导通时，细心的你会发现：Q2的S极直接接地，G极只要输出高电平(>Vth)，Mos管Q2即可导通。此时，MOS管的Vgs刚好就是Cboot两端的电压(约等于VCC)，Vgs>Vth，Q1导通。
自举电路原理分析
《运放秘籍》系列视频原创作者、畅销书《硬件设计指南 从器件认知到手机基带设计》原创作者
03-20 1万+
原文来自公众号：硬件工程师看海 自举电路字面意思是自己把自己抬起来的电路，是利用自举升压电容的升压电路，是电子电路中常见的电路之一。 我们经常在IC外围器件中看到自举电容，比如下图同步降压转换器（BUCK）电路中，Cboot就是自举电容。 为什么要用自举电路呢？这是因为在一些电路中使用MOS搭建桥式电路，对于下管NMOS导通条件很好实现，栅极G与源极S之间的电压Vgs超过Vgs(th)后即可导通，Vgs(th)通常比较低，因此很容易实现。 而对于上管Q1而言，源极S本来就有一定的输出，要
射频毫米波芯片设计10:详解集成电路中MOS管的基本原理和工作特性
射频问问 (RFASK.NET) 是在"微波射频网(MWRF.NET)”系列原创技术专栏基础上升级打造的技术问答学习平台。
10-14 2512
在前面几期我们聊到了常见的射频基础概念，也基于几个实际例子给大家演示了射频电路的设计方法，学习了如何设计滤波器、耦合器、天线、低噪声放大器等等，如下所示（大家有时间的话，可以链接过去复习下，或许学习的过程是痛苦的，但希望这几篇博文可以是苦寒中的梅花清香，让大家有所获）
高边nmos驱动与自举电路仿真
qq_45464808的博客
07-21 3991
半个月前写了个mos高边开关为什么用nmos有固定压差问题，当时说可以用电容升压驱动。后面的一周我就在tps5430的芯片手册的框图里面找到了这个初学时没有弄明白的东西：自举电容。本文主要是两部分：1nmos的高边驱动方案与仿真2自举电路元件选型，仿真，以及常规mos驱动芯片怎么搭建自举电路来驱动高边mos。
MOS做电源开关的电路，NMOS、PMOS高侧低侧驱动大全解，电容浮栅自举电路，泄放电阻的作用，MOS选型参数分析_高侧用pmos
2401_85013863的博客
05-15 4401
大到一定程度，MCU端口能提供的几mA电流就显然不够用了，继续使用MCU端口直驱，一方面会使MCU过载，另一方面会对输出信号的波形造成衰减，严重时会影响NMOS的正常开通。分类，能外接NMOS的型号还是非常多的。，低频时对电流的需求不明显，而随着频率升高，电容充放电频率的加快，电容的容抗与频率成反比，容抗变小。，而单单低侧的栅极驱动由于较为简单，搞个NP对管就能实现相近的效果，即使芯片有很多选择，也并不常用。，在PMOS开通时，导致Vgs超出了手册中的Vgs允许范围，也会造成PMOS的损坏。
PMOS做信号开关NMOS做电平转换
AirCity123的博客
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PMOS做信号开关NMOS做电平转换 作者：AirCity 2019.10.19 Aircity007@sina.com 1 PMOS与NMOS 硬件工程师在设计原理图是，肯定会遇到一些状况，需要一个开关或转换一下接口电平。当然，可以找专用的芯片来解决这个问题。但如果对这些功能电路的性能要求不高，并且预算有限，用MOS管电路就能实现，简单便宜有效。如下是两个MOS管的图例。 你可能会觉得本文...
为什么需要自举电容？
named_1的博客
10-15 522
如图所示，上管的 S 极连接 PH 点，该点的电压为 +5V，要打开 NMOS 需要Vgs>0，驱动 MOS 管打开的压降需要 5V，那么驱动电压就需要 +10V 才可以打开上管，但是纵观整个电路并没有能达到 +10V 级别的电压，所以需要自举电容来进行升压才能打开上 MOS 管。但是一般因为生产工艺问题，PMOS 导通电流往往做不不到很大，而在相同成本下 NMOS 的导通电流可以做到更大，也就是 Rds-on可以做到相对较低，所以往往更倾向于 NMOS。
NMOS管和PMOS管选择
最新发布
03-27
<think>好的，我需要帮助用户了解如何选择合适的NMOS管和PMOS管，以及它们的应用场景。首先，我得回顾一下用户提供的引用内容，看看里面有没有相关的信息。 根据引用[1]，NMOS适合源极接地的情况，也就是低端驱动，而PMOS适合源极接VCC的高端驱动。这说明在选择的时候，首先要看电路中的位置，是放在电源侧还是地侧。引用[3]提到PMOS在控制电压时可以保持共地，这可能在某些情况下更优，比如避免电压不匹配的问题。 然后，引用[4]比较了MOS管和继电器的区别，其中提到MOS的开关速度快，适合高频应用，而继电器适合常开常闭的场景。这可能意味着在高频开关电路中，NMOS或PMOS更适合，而如果涉及交流电或者需要隔离，可能需要继电器，但用户的问题是关于MOS管的，所以这部分可能暂时不用。 接下来，我需要整理选择标准和应用场景。选择标准可能包括电压、电流需求、导通条件、功耗、成本等。应用场景比如低端驱动用NMOS，高端驱动用PMOS，或者需要快速开关的场合。 还要考虑体二极管的影响，引用[2]和[4]提到体二极管的存在，这可能影响反向电流的保护，所以在电路设计时要考虑是否需要利用或避免体二极管的影响。 另外，引用[3]指出PMOS在控制电压时可以保持共地，这可能在某些控制电路中更合适，比如当负载需要连接到电源正极时，使用PMOS可以方便地通过低电平控制。 总结下来，选择NMOS和PMOS需要考虑以下几点： 1. 电路拓扑结构：低端驱动选NMOS，高端驱动选PMOS。 2. 导通条件：NMOS需要Vgs超过阈值，PMOS需要Vsg超过阈值，注意电压极性的不同。 3. 电压和电流参数：确保MOS管的额定电压和电流满足应用需求。 4. 开关速度：高频应用优先选择MOS管，尤其是NMOS通常开关速度更快。 5. 功耗：根据导通电阻Rds(on)选择，较低的Rds(on)能减少导通损耗。 6. 体二极管的影响：是否需要反向保护，或者是否需要避免体二极管导致的漏电流。 7. 成本：通常PMOS比NMOS成本更高，因此在满足需求的情况下可能优先选择NMOS。 应用场景的例子可以举低端开关、电源管理、电机驱动等，具体说明NMOS和PMOS各自的适用情况。 最后，生成相关的问题，比如如何计算导通电阻的影响，或者体二极管在电路中的作用等。</think>### 如何选择NMOS管与PMOS管 #### 一、选择标准 1. **电路拓扑需求** - **NMOS**：适用于低端驱动（源极接地）。例如：当负载一端接地，另一端通过NMOS连接到电源时，NMOS的$V_{GS}$只需高于阈值电压即可导通[^1]。 - **PMOS**：适用于高端驱动（源极接电源）。例如：当负载一端接电源，另一端通过PMOS接地时，PMOS的$V_{SG}$需高于阈值电压[^1][^3]。 2. **导通条件与电压极性** - NMOS的导通条件为$V_{GS} > V_{th}$（栅极电压高于源极），适合正电压控制。 - PMOS的导通条件为$V_{SG} > |V_{th}|$（源极电压高于栅极），适合负电压或共地控制[^1]。 3. **电压与电流参数** - 选择额定电压$V_{DS}$（漏源极电压）高于电路最大电压的1.5倍以上。 - 额定电流$I_D$需覆盖负载最大电流，并考虑散热条件。 4. **导通电阻（$R_{DS(on)}$）** - $R_{DS(on)}$越低，导通损耗越小。NMOS通常比PMOS的$R_{DS(on)}$更低，成本也更低[^4]。 5. **开关速度与频率** - NMOS的开关速度通常更快，适合高频应用（如开关电源、PWM控制）。 - PMOS在高端驱动中可简化控制逻辑（如直接由MCU引脚控制）[^3]。 6. **体二极管的影响** - MOS管的体二极管可用于反向极性保护，但可能引入漏电流。需根据电路需求决定是否需额外并联二极管[^2]。 --- #### 二、应用场景对比 | **场景** | **NMOS适用性** | **PMOS适用性** | |-----------------------|---------------------------|---------------------------| | 低端开关（负载接地） | ✅ 直接由逻辑电平驱动 | ❌ 需负电压或电平转换 | | 高端开关（负载接电源） | ❌ 需电平转换或自举电路 | ✅ 直接由逻辑电平驱动 | | 高频开关（如DC-DC转换） | ✅ 低导通损耗，快速响应 | ❌ 高成本，导通损耗较高 | | 反向极性保护 | ✅ 利用体二极管单向导通 | ✅ 类似作用，但需注意方向 | | 电池供电设备 | ✅ 低功耗设计首选 | ⚠️ 仅在高端控制必需时使用 | --- #### 三、设计示例 **低端驱动电路（NMOS）** ```plaintext 电源+ --- [负载] --- Drain | NMOS（Source接地，栅极由MCU控制） ``` - 当MCU输出高电平时，$V_{GS} > V_{th}$，NMOS导通，负载通电[^1]。 **高端驱动电路（PMOS）** ```plaintext 电源+ --- PMOS（Source接电源，栅极由MCU控制） | [负载] --- GND ``` - 当MCU输出低电平时，$V_{SG} > |V_{th}|$，PMOS导通，负载通电。 --- #### 四、常见误区 1. **忽略体二极管的影响** - 在开关电源或感性负载中，体二极管可能引发反向电流，需额外并联快恢复二极管。 2. **电平匹配问题** - 使用PMOS高端驱动时，若电源电压高于MCU逻辑电平，需添加电平转换电路。 ---
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