vcs+upf

一、upf介绍
芯片的功耗主要由静态功耗(static leakage power)和动态功耗(dynamic power)构成。静态功耗主要是指电路处于等待或者不激活状态时的泄漏电流所产生的功耗,主要是有反偏二极管泄漏电流,门栅感应漏极泄漏电流,亚阈值泄漏电流和门栅泄漏电流。动态功耗是指晶体管处于跳变状态所产生的功耗,主要由动态开关电流引起的动态开关功耗以及短路电流产生的短路功耗两部分组成。
在数字后端阶段,可以通过多电源多电压技术来降低功耗,Multi supply Multi Voltage(MSMV)。这是一种可以有效降低动态功耗的技术。芯片可以划分为不同电压域(Voltage Area),也被称为Power Domain,不同逻辑模块处于不同的电源域中,由不同电源供电。高性能的部分在高电压域,低性能要求的部分就分配在低电压域。举例来说,一个SOC芯片中,CPU应该工作在尽可能高的时钟,则它的电压应该是最高电压;而外设中的USB模块,有协议定义的固定速率,则只要分配给能满足要求的工作电压即可;一些平时不工作的模块甚至可以将电压关断(Power Gating),也就可使功耗趋于0。这样一个芯片中,就会划分为各种不同的电压域。
二、vcs+upf仿真
Upf(unified power foemat),可以使用vcs直接吃upf文件进行低功耗仿真。Upf文件可以是后端人员或验证人员同tcl写,规范可参照IEEE1801,假设文件名为sim.upf。Upf文件中应当定义Voltage Area的信息,创建default voltage area上供电连接关系,创建不同 voltage area中的供电连接关系,创建供电集合,关联到Voltage Area。在vcs仿真选项加上-upf sim.upf指定upf文件即可。
三、vcs 关于upf选项

vcs -debug_access+pp+f -lca -kdb -upf sim.upf -sverilog Test_top Top 
-power=supply_aware_ie 
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