芯片低功耗相关的术语简介

1.IR Drop电压降

由于芯片内部电源网络寄生参数的存在，从而导致电源从输入输出接口到达芯片内部各点的电势不同，其差值称为电压降（IR Drop）。电压降分为两种，一是内部节点电压VDD低于供电点的电压降，另外一种是内部节点电压VSS高于供电点电压（ground bounce）。

2.EM（electro migration）电子迁移

在高的电流密度作用下，互连线中大量向阳极运动的电子碰撞金属，使金属原子受迫随着电子运动的方向进行定向扩散，即金属原子的电迁移。
当电流密度超过一定阈值，金属连线产生断路或短路，从而引起IC失效，其表现：
    连线中形成空洞，增加电阻；空洞扩大，最终贯穿连线，形成断路
    在连线中形成“突起”，造成线间短路；
    在连线间形成“晶须”，造成层间短路；
 

3.CMOS电路功耗

MOS管消耗的功耗可以表示为：P=∫_0^t▒(V_DD "I" _leak+CV_DD^2 f_c )dt
其中，∫_0^t▒〖V_DD "I" _leak dt〗 为静态功耗（也叫泄漏功耗），由供电电压（漏源电压V_DD）、泄漏电流"I" _leak和供电时间决定；∫_0^t▒〖CV_DD^2 f_c dt〗 为动态功耗，由负载电容、供电电压、信号频率和供电时间决定。
由公式知，降低静态功耗的方法有三个：降低供电电压、减小泄漏电流、减少供电时间。降低动态功耗的方法有四个：减少负载电容、降低供电电压、降低信号翻转频率、减少供电时间。
在静态功耗没有收起大家特别注意时，低功耗方法主要集中在降低电压与降低信号翻转频率两个方法上。随着工艺的进步，静态功耗在总功耗中所占的比例越来越重，光降低动态功耗已经完全不能满足需求。