芯片的IR drop是什么（解读）

芯片的IR drop是什么（解读）

解读文章：芯片的IR drop是什么

​ IR这个词并不是什么缩写，这里的I就是指电流，R是指电阻，他们放在一起相乘，得出来的结果就是电压。所以说IR drop就是指电压降，哈哈，刚接触芯片后端会看到太多缩写，突然来个IR一时会反应不过来是电压。

​ 所谓电压降，就是指从芯片源头供电到instance所消耗的电压，对于flipchip封装形式，就是从bump到instance PG pin的电压降。Instance实际得到的电压就是供电电压减去电压降的部分。比如bump接的外界输入电压Vdd 5V，Vss 0V，这个bump的电压到某一个instance后，可能Vdd只剩4V，Vss变为1V，那么这个instance得到的电压就只有3V，电压降就是2V。IR drop是芯片后端signoff的一项重要内容，必须保证IR drop不能过大，否则芯片可能会因为得不到所需的电压而发生逻辑错误或停止工作。这个IR drop也是会有相应spec要求的，一般会按照供电电压的百分比来定，如果定了10%，对于5V的输入来说，就要求IR drop不能大于0.5V。

​ IR drop分为静态压降和动态压降，即static IR & dynamic IR。静态压降的计算不考虑电流随时间的变化，或者说以很长一段时间内的平均电流代指instance的电流。R值的计算也相对简单，不会过多考虑电流趋肤效应对电阻的影响，可以由PG网络抽取出R值，并认为它也是恒定不变的。这样，IR相乘得出静态压降也是一个不变量，算静态压降的意义在于可以快速评估芯片的PG网络如何，powerplan是否做的足够好。如果出现许多static IR的violation，可能就需要重新调整PG网络。那么，static IR的这个平均电流是如何得到的呢？实际上，我们是先利用primepower等算power的工具先算出instance的power值，再根据power和instance的电阻得出流过他的电流。

​ Dynamic IR的计算相对复杂，它考虑了电流随时间的变化，通过对芯片长时间的模拟，可以认为某个instance的电流是随时间周期性变化的，相应的它的IR drop也会是一个随时间变化的函数。一般会有三个比较关心的指标：peak IR、average IR、RMS IR。Peak IR即为电压降的峰值，我们需要保证峰值压降也在可接受范围内。Average IR指的是每个周期的平均压降，其实也有点类似static IR，但是计算方式会有所差异。RMS IR指root mean squre IR，也就是算IR drop随时间变化的方差，有的时候我们需要保证instance的电压降要平缓的变化，RMS就可以反映电压降随时间的离散程度。一般来说，dynamic IR的计算耗时很长，适用于找到个别instance的violation，而后针对性的调整某个instance。可以挪动它的位置到IR比较好的区域，也可以针对性的在某一块补一些PG mesh。

​ 我知道的IR分析工具有redhawk、redhawksc、voltus等。以后也可以专门写几篇文章来介绍一些EDA工具哈哈。

上文内容相关资料

instance：实例

https://www.zhihu.com/question/408394951/answer/1368477598?utm_id=0

Flip chip

https://baike.baidu.com/item/%E5%80%92%E8%A3%85%E8%8A%AF%E7%89%87/578028?fr=aladdin

倒装芯片（Flip chip）是一种无引脚结构，一般含有电路单元。 设计用于通过适当数量的位于其面上的锡球（导电性粘合剂所覆盖），在电气上和机械上连接于电路。

Flip chip又称倒装片，是在I/O pad上沉积锡铅球，然后将芯片翻转加热利用熔融的锡铅球与陶瓷基板相结合此技术替换常规打线接合，逐渐成为未来的封装主流，当前主要应用于高时脉的CPU、GPU(Graphic Processor Unit)及Chipset等产品为主

Bump

https://blog.csdn.net/Michael177/article/details/121238444

bumping指凸点。在wafer（晶圆）表面长出凸点（金，锡铅，无铅等等）后，（多用于倒装工艺封装上，也就是flipchip）。

Wafer：晶圆。

PG pin

http://blog.chinaunix.net/uid-7859882-id-1015358.html

PG代表的是power good

在开机之后，PG管脚会保持在低阻抗状态，当输出电压达到额定稳压值的83％以上，这个管脚就会进入高阻抗状态。

这个管脚加个上拉电阻，则在上电前管脚输出是低电平 在输出稳定后，管脚高阻，输出为高电平了

VCC、VDD、VSS、VDDA等区别

[ VCC、VDD、VSS、VDDA等区别_BUG从入门到精通的博客-CSDN博客]

VCC：C=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压；

VDD：D=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压；

VSS：S=series 表示公共连接的意思，通常指电路公共接地端电压。

CC与DD的区别是：供电电压与工作电压的区别（通常VCC>VDD）
VDD是指工作电压，就是供电进芯片的

1、对于数字电路来说，VCC是电路的供电电压,VDD是芯片的工作电压（通常Vcc>Vdd），VSS是接地点。
2、有些IC既有VDD引脚又有VCC引脚，说明这种器件自身带有电压转换功能。
3、在场效应管（或COMS器件）中，VDD为漏极，VSS为源极，VDD和VSS指的是元件引脚，而不表示供电电压。

4、一般来说VCC=模拟电源,VDD=数字电源,VSS=数字地,VEE=负电源

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