阻抗匹配跨分割问题

其中L2,L7都是完整的GND。L4、L5为电源（不完整）。上图中，紫色的为DDR数据线，在L6层，那么L7是完整的GND，可做其参考平面，上图可见，DDR数据线跨越了L5的电源层，这是否意味着，这个板子阻抗匹配时，L6的参考平面只有L7一层 ? (同理L3的阻抗参考平面只有L2一层？)
如果同一块板子，A,B 两部分走线线宽一样，都要求50欧姆阻抗匹配，A部分走线有2个完整的参考平面（GND和电源），B部分走线有1个完整的参考平面，如果保证B部分的50欧姆阻抗，那么A部分由于有两个参考平面，是不是就不为50欧姆阻抗了？这种情况如何处理呢？

不为50，但是A B两部分走线的阻抗误差不大，可以忽略不计。

对于内层信号控制阻抗是要考虑到上下两个参考层的，而不是只参考一个，上图的这个层叠结构理论上应该是l2,l3是一个core，l4，l5是一个core，l6，l7是一个core，这样的话理论上l6与l7会很近，相对于l5层因为中间是pp所以就厚了很多，通过si9000计算会发现PP介质厚到一定程度后阻抗变化会很小。

内层阻抗计算是由两个相邻的参考层共同决定的，而非只有一个参考层，只能说l5层因为中间是PP厚度会更厚，可能影响不会像l7层那么明显，而且看楼主的设计有些ddr的走线出现的跨分割情况，阻抗可能会不连续，回流路径也可能有问题，个人感觉如果空间允许的情况下适当加大ddr-vref的铜皮，使ddr走线的投影区域是两个相对的完整参考平面。

所有内层走线的阻抗都是参考两个平面来计算的，因为第五层铜箔不连续，所以有一小段的阻抗会失真而已