专利使用权能否作为知识产权出资?

案例甲公司与乙公司约定双方联合组建丙公司,甲公司以专利技术的使用权出资,乙公司以货币资金投资。然而公司章程则记录甲公司以专利权本身作为出资。丙公司在实际经营的过程中,与丁公司签订了专利技术许可合同,后甲公司以专利侵权为由对丙公司提起仲裁,理由是丙公司仅对专利技术享有使用权,没有授权他人使用的权利。
丙公司则认为专利技术作为出资已经属于丙公司的资产,同时对甲公司提起反请求,要求甲公司赔偿因其未将专利技术过户到丙公司名下给丙公司造成的损失。该案争议的主要焦点在于甲公司出资的究竟是专利使用权还是专利权,对此《公司法》作出了相应规定:《公司法》第四十八条股东可以用货币出资,也可以用实物、知识产权、土地使用权、股权、债权等可以用货币估价并可以依法转让的非货币财产作价出资;但是,法律、行政法规规定不得作为出资的财产除外。对作为出资的非货币财产应当评估作价,核实财产,不得高估或者低估作价。法律、行政法规对评估作价有规定的,从其规定。从上述规定可以看出,法律赋予了知识产权作为非货币财产出资的能力。但是专利使用权能否直接依据该条款作为出资财产呢?专利使用权是指使用人基于其与专利权人的专利实施许可合同而对专利所享有的使用权。实践中一直存在有关专利使用权能否作为出资的争论,肯定者认为专利使用权具有资本属性,且其本质也是商品,属于出资人的一项财产权利,在满足可评估性和有价性的情况下是可以作为出资的;反对者则认为专利使用权本质是一种债权,且由于专利使用权属于无形资产,会因市场波动导致价格失衡从而违背了资本维持原则,因此认为专利使用权不能作为出资财产。上述两种观点均有一定合理性,小编更倾向于认为:专利使用权可以作为出资的一种方式。首先,根据《公司法》第48条规定,“可以用货币估价并可以依法转让的非货币财产”说明专利使用权作为一种非货币财产,只要其可以作价评估且法律、行政法规没有将其列入不得出资的财产就不禁止该种出资方式。
其次,根据《最高人民法院关于审理技术合同纠纷案件适用法律若干问题的解释》第16条,“当事人以技术成果向企业出资但未明确约定权属,接受出资的企业主张该技术成果归其享有的,人民法院应当支持”。该条默认当事人可以对技术成果的权属进行约定,也可以认为是认可仅对专利使用权进行转让的依据。另外,对于反对者所担心专利使用权会使公司资本波动,双方可以用合同约定的方式避免,例如在约定具体风险分担时,可以约定以专利使用权出资的股东承担更多的补足义务,这样可以对因无形资产的不稳定给公司造成的损失进行补救。实践中法院也有以判决确认专利使用权出资的效力:美国环球科技开发股份有限公司诉北京橡果经贸有限公司确认协议无效纠纷案(2003)一中民初字第9658号
【案情】万钧开发部与新加坡必威私人有限公司签订氧立得公司合同及章程约定双方合资经营氧立得公司,其中万钧开发部以制造、生产氧气发生器和氧气发生剂的配方、专利使用权和商标使用权总计折合10万美元作为出资。合营期限届满后2002年9月经北京市对外经济贸易委员会批准氧立得公司成立特别清算委员会。清算时原告发现北京麦拉克科技中心(原万钧开发部)未经原告同意,私自与被告橡果公司签订项目转让协议和氧立得项目转让备忘录,将氧立得公司的财产包括氧立得商标、专利、生产基地、生产工艺和销售渠道等转让给被告橡果公司。被告橡果公司认为万钧开发部与原告合资经营氧立得公司时,是以有关专利、商标和配方的使用权作为出资,并非所有权。因此,被告与北京麦拉克科技中心签订的项目转让协议是合法有效的。
【法院认为】合营期满后,麦拉克中心与被告橡果公司签订氧立得项目转让协议及备忘录,双方意思表示真实,符合国家法律法规的规定,应属有效。理由如下:首先,依据万钧开发部与环球公司签订的氧立得公司合同,虽然万钧开发部作为氧立得公司出资的是氧气发生器和氧气发生剂的配方、专利使用权和商标使用权,但该合同还约定万钧开发部在合营期届满后,有权全部收回其提供给氧立得公司技术工艺、配方、专利使用权和商标使用权。也就是说,氧立得公司在合营期间依法享有前述的技术工艺、配方、专利和商标的使用权,并非所有权。其次,关于麦拉克中心与被告橡果公司签订的项目转让协议所称的“生产工艺”。

<think>嗯,用户问的是开关电路中由于MOS管的寄生电容导致的尖峰原理。我需要先回顾一下MOS管的结构和寄生电容的来源。MOS管有三个极:栅极、源极和漏极。在制造过程中,极间会形成寄生电容,主要是Cgs(栅源电容)、Cgd(栅漏电容)和Cds(漏源电容)。这些电容在开关过程中会充放电,可能导致电压或电流的突变,从而产生尖峰。 接下来,用户可能想知道这些电容在开关过程中如何具体导致尖峰。比如,当MOS管导通或关断时,寄生电容的充放电电流会流经电路中的寄生电感,可能引发电压尖峰。尤其是在高频开关的情况下,这种效应会更明显。此外,PCB布局中的走线电感也可能加剧这个问题。 用户可能还关心这些尖峰对电路的影响,比如EMI问题、器件应力增加甚至损坏元件。因此,需要解释尖峰产生的机制,以及如何通过设计来抑制,比如使用缓冲电路、优化驱动电阻或改善布局。 需要确保解释清晰,分步骤说明寄生电容的作用,并结合开关过程中的电压电流变化。可能还需要提到米勒效应,因为Cgd在开关过程中会有较大的充放电,导致栅极驱动电流的变化,从而影响开关速度并产生尖峰。 另外,用户可能没有明确提到具体是电压尖峰还是电流尖峰,但通常寄生电容导致的更多是电压尖峰,尤其是在关断时,由于电流突变在电感上产生高电压。这时候需要区分不同的工作阶段,比如导通和关断时的不同现象。 最后,总结可能的解决方案,帮助用户理解如何在实际设计中避免这些问题。需要避免过于技术化的术语,用通俗的语言解释,同时保持准确性。</think>### 开关电路中MOS管寄生电容导致尖峰的原理及解析 --- #### **一、寄生电容的来源** MOS管内部存在**三个主要寄生电容**(以NMOS为例): - **$C_{gs}$(栅源电容)**:栅极源极之间的电容 - **$C_{gd}$(栅漏电容,米勒电容)**:栅极漏极之间的电容 - **$C_{ds}$(漏源电容)**:漏极源极之间的电容 这些电容由MOS结构中的PN结和氧化层形成,其大小芯片面积、电压相关。例如,功率MOSFET的$C_{gd}$可达数百pF。 --- #### **二、尖峰产生的核心机制** **开关过程中电容充放电 + 寄生电感谐振** ##### **1. 导通阶段(Turn-On)** - **栅极驱动电流路径**: 驱动电路对$C_{gs}$和$C_{gd}$充电 → 电流流经驱动回路中的**寄生电感$L_{loop}$** - **米勒平台效应**: 当$V_{ds}$开始下降时,$C_{gd}$反向充电($V_{gd}$突变) → 栅极电流突增 → 驱动回路电感$L_{loop}$产生电压尖峰$V = L \cdot di/dt$ ##### **2. 关断阶段(Turn-Off)** - **漏极电流突变**: MOS管关断瞬间,漏极电流$I_D$快速下降 → PCB走线电感$L_{trace}$相互作用 → 产生反向电动势$V_{spike} = L_{trace} \cdot dI_D/dt$ - **体二极管反向恢复**: 若电路中有续流二极管,其反向恢复电流$C_{ds}$谐振 → 进一步加剧尖峰 --- #### **三、典型波形现象** ``` Vds波形 ▲ │ 米勒平台 │ │ │ │ 尖峰 │ ▼ ├───────┼───────► t │导通延迟 关断 ``` - **导通尖峰**:主要由$C_{gd}$充电电流驱动回路电感谐振引起 - **关断尖峰**:漏极电流突变PCB电感共同作用(实测可达电源电压的2-3倍) --- #### **四、影响因素量化分析** 1. **开关速度**: $dV/dt$或$dI/dt$越大 → 尖峰幅度越高(例如:快速开关的SiC MOSFET更易产生尖峰) 2. **寄生电感**: 公式:$V_{spike} = L_{parasitic} \cdot \frac{\Delta I}{\Delta t}$ 典型PCB走线电感:1nH/mm(10mm走线 → 10nH,在100A/μs变化率下产生1kV尖峰!) 3. **温度影响**: 高温下$C_{oss}$(输出电容)增大 → 谐振频率降低,尖峰能量增加 --- #### **五、抑制尖峰的设计措施** 1. **优化驱动回路**: - 缩短驱动走线(降低$L_{loop}$) - 使用低电感封装MOSFET(如PowerPAK®) 2. **添加缓冲电路(Snubber)**: - **RC缓冲器**:在漏-源间并联RC(例如:10Ω + 1nF),吸收谐振能量 - **TVS二极管**:箝位电压至安全范围 3. **调整驱动电阻**: 增大栅极电阻$R_g$ → 降低$dV/dt$(但会增大开关损耗,需折中) 4. **PCB布局优化**: - 采用星型接地,减小电流环路面积 - 使用多层板,增加电源/地平面 --- #### **六、实测仿真对比** **案例**:100V/10A Buck电路中,未加缓冲时关断尖峰达150V(输入48V),添加RC缓冲后尖峰降至80V以下。 **仿真工具建议**: - LTspice:精确模拟寄生参数 - Ansys Q3D:提取PCB寄生电感/电容 --- **总结**:MOS管寄生电容导致的尖峰本质是**电容储能电感释能的瞬态过程**,需通过**降低回路电感、控制开关速度、增加能量吸收路径**综合抑制。
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