亚阈值区和深三极管区讲解

对于CMOS管,电压电流关系如下:

 

不过gm的两段论还是粗浅了,在深亚微米的工艺下,CMOS不仅工作在饱和区和线性区,还有可能工作在亚阈值区和深三极管区。

亚阈值区(即second-effect order效应中的subthreshold conduction)是CMOS器件在现实中并不会像理想情况那样,在Vgs<Vth时,管子直接截止,没有电流从drain端流到source端, ID=0。

根据Razavi的书上来说,在Vds大于100 mV左右时,亚阈值区的ID和Vgs表现出指数关系,

 其中I0正比如W/L,也就是aspect ration, ξ 是非理想常数,VT=KT/q。此时跨导为

这里有个两个问题:

第一个问题:在饱和区如果固定流过管子的电流ID和栅长L,只增加栅宽W,gm会一直增大吗?答案是并不会,因为要保证栅宽增大而电流不变的话,Vgs就会自动变小,管子就会进入亚阈值区。这样gm就不会一直增大。

另一个问题是:如果ID不能像理想那样直接关断,那对电路的影响是什么?亚阈值区管子的因为电流依旧存在,对于亿级别的门电路来说,整个电路的静态功耗就很大。

注意,这里的亚阈值区还可以有另一个名字:弱反型区(weak inversion)。弱反型区和强反型区(strong inversion)的区别,也就是Vgs和Vth的大小区别,Vgs小于Vth,管子工作在弱反型区,也可以说是亚阈值区。Vgs>Vth,管子工作在强反型区。反型区,包括耗尽层(depletion),这些说法主要是用在器件领域,电路设计者提的少。

MOS的导通就是在gate的控制下导致substrate产生了所谓的”反型层“,我们定义的”阈值电压“是指器件本身达到“强反型”时的gate电压,但实际上即便gate上的电压达不到阈值时,substrate表面附近也会有“反型层”存在,因此上drain和source之间仍然存在“通路“,器件也是可以导通的。

因为反型层的出现本质上是个载流子的热运动过程,这一过程是不能突变的,只能是随时间的逐渐积累,当积累到一定程度认为器件”导通”,但不能认为在达到“阈值”之间器件是完全关断的。这里要牵扯到由mos管电容模型推导出的“亚阈值摆幅”——一个专门衡量器件在亚阈值区特性的参数。

 

上面两个公式可以发现,我们可以通过增大Vt来减小Ioff,但是在高速电路中高的Vt几乎不可用。或者通过减小 η 来减小S,例如增加Wdep (width of depletion region)。或者让管子在远低于室温的环境下工作。但是实际上无限增加Wdep和无限减小T在实际中是不可行的,这会增加单个晶体管体积和应用中的冷却系统开销。这就是关断漏电流Ioff的来源,换句话说当Vt或者Wdep不是无限大的时候, 或者当T不是无限小的时候就会有漏电流产生,亚阈值mos管就能够导通。

既然有很小的漏电流,亚阈值mos管就可以看作“导通”,就可以产生跨导gm,有gm有Rout就有gain。亚阈值管子的gm/Id 比饱和区的管子更大,所以在设计中用更小的电流产生更大的gm/Id是被设计师所喜欢的。当然亚阈值MOS也有很多缺点,例如需要在速度上,信号摆幅上做Trade-Off。

除 了亚阈值区外,还有一个区叫深三极管区(deep triode region)

三极管区

亚阈值区的主要辨别参数是Vgs和Vth的关系,而深三极管区是继承了三极管区(triode region),也称线性区(linear region)和饱和区的关系,Vds和Vgs-Vth的关系而得来的。Vds<Vgs-Vth,管子工作在三极管区,但如果有Vds<<2(Vgs-Vth),管子就工作在线性区的末端,也就是深三极管区,如上图所示。

此时三极管区的公式ID=1/2·μn·Cox·W/L[2(Vgs−Vth)·Vds−Vds^2]就变成深三极管区公式

ID=μn·Cox·W/L·[(Vgs−Vth)·Vds]

所以ID和VDS的关系就是电阻的关系,电阻值的大小受过驱动电压Vgs-Vth控制,电阻值是

Ron=1/μn·Cox·W/L(Vgs−Vth)

 

对比

注意深三极管区和亚阈值区的区别,管子工作在深三极管区主要是Vds小,Vgs的值还是可以满足沟道开启的,也就是Vgs>Vth。而亚阈值区是Vgs<Vth,对于Vds来说,此时Vgs-Vth都小于0了,按理说Vds只要大于0就可以了管子就可以工作了,不过还是有要求的,要在亚阈值区正常工作,Vds要大于一定值,Razavi书里是100mV。

应用

深三极管区因为表现出可调电阻的特性,所以可以用作电阻。

而亚阈值区虽然有一个很严重的缺陷—管子的速度严重受限。但是在如今越来越低的栅长工艺来说,这个并不是什么大问题。亚阈值区可以提供一个非常诱人的好处,因为Vgs和Vds都可以很小,所以这个区域适合low power的应用。

我们使用的gm/ID的设计方法,如下图所示,就能明显的看到亚阈值区的特征,虽然Vov<0情况下,但gm/Id不会无限大,但截止频率ft就很小了。但如果是28nm,7nm这样的工艺,管子的速度一般是满足我们的低频设计需求的。

注意这里的long-channel device是模型的理想状态,在深亚微米下器件表现出不一样的特性,需要更精确的模型,如BSIM3v3等。

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从TFT的转移特性曲线图中计算阈值电压、开关电流比和阈值斜率的方法如下所述: 1. 阈值电压的计算:阈值电压是指当TFT的栅极-源极电压等于某个值时,漏电流开始出现明显变化的电压。可以通过找到转移特性曲线上的漏电流增长速率最快的域来确定TFT的阈值电压。通常,阈值电压的计算可以通过拟合转移特性曲线上的数据点来进行。拟合过程中可以采用线性或非线性的方法,如线性回归或Logistic回归等。最终得到的拟合曲线与x轴的交点所对应的电压值即为阈值电压。 2. 开关电流比的计算:开关电流比是指TFT在工作状态下的饱和电流与线性电流之比。可以通过在转移特性曲线上测量TFT的饱和电流和线性电流来计算开关电流比。通常,饱和电流可以通过找到转移特性曲线上的最高点来确定,线性电流可以通过找到转移特性曲线上的线性域来确定。最终得到的饱和电流与线性电流之比即为开关电流比。 3. 阈值斜率的计算:阈值斜率是指TFT在低于阈值电压的域内漏电流与栅极-源极电压之间的变化关系。可以通过在转移特性曲线的低电压域内测量TFT的漏电流电流增益来计算阈值斜率。通常,阈值斜率可以通过对转移特性曲线上的数据点进行线性回归来计算。最终得到的回归直线的斜率即为阈值斜率。
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