亚阈值区和深三极管区讲解

对于CMOS管，电压电流关系如下：

 

不过gm的两段论还是粗浅了，在深亚微米的工艺下，CMOS不仅工作在饱和区和线性区，还有可能工作在亚阈值区和深三极管区。

亚阈值区（即second-effect order效应中的subthreshold conduction）是CMOS器件在现实中并不会像理想情况那样，在Vgs<Vth时，管子直接截止，没有电流从drain端流到source端， ID=0。

根据Razavi的书上来说，在Vds大于100 mV左右时，亚阈值区的ID和Vgs表现出指数关系，

 其中I0正比如W/L，也就是aspect ration， ξ 是非理想常数，VT=KT/q。此时跨导为

这里有个两个问题：

第一个问题：在饱和区如果固定流过管子的电流ID和栅长L，只增加栅宽W，gm会一直增大吗？答案是并不会，因为要保证栅宽增大而电流不变的话，Vgs就会自动变小，管子就会进入亚阈值区。这样gm就不会一直增大。

另一个问题是：如果ID不能像理想那样直接关断，那对电路的影响是什么？亚阈值区管子的因为电流依旧存在，对于亿级别的门电路来说，整个电路的静态功耗就很大。

注意，这里的亚阈值区还可以有另一个名字：弱反型区（weak inversion）。弱反型区和强反型区(strong inversion)的区别，也就是Vgs和Vth的大小区别，Vgs小于Vth，管子工作在弱反型区，也可以说是亚阈值区。Vgs>Vth，管子工作在强反型区。反型区，包括耗尽层（depletion），这些说法主要是用在器件领域，电路设计者提的少。

MOS的导通就是在gate的控制下导致substrate产生了所谓的”反型层“，我们定义的”阈值电压“是指器件本身达到“强反型”时的gate电压，但实际上即便gate上的电压达不到阈值时，substrate表面附近也会有“反型层”存在，因此上drain和source之间仍然存在“通路“，器件也是可以导通的。

因为反型层的出现本质上是个载流子的热运动过程，这一过程是不能突变的，只能是随时间的逐渐积累，当积累到一定程度认为器件”导通”，但不能认为在达到“阈值”之间器件是完全关断的。这里要牵扯到由mos管电容模型推导出的“亚阈值摆幅”——一个专门衡量器件在亚阈值区特性的参数。

 

上面两个公式可以发现，我们可以通过增大Vt来减小Ioff，但是在高速电路中高的Vt几乎不可用。或者通过减小 η 来减小S，例如增加Wdep （width of depletion region）。或者让管子在远低于室温的环境下工作。但是实际上无限增加Wdep和无限减小T在实际中是不可行的，这会增加单个晶体管体积和应用中的冷却系统开销。这就是关断漏电流Ioff的来源，换句话说当Vt或者Wdep不是无限大的时候, 或者当T不是无限小的时候就会有漏电流产生，亚阈值mos管就能够导通。

既然有很小的漏电流，亚阈值mos管就可以看作“导通”，就可以产生跨导gm，有gm有Rout就有gain。亚阈值管子的gm/Id 比饱和区的管子更大，所以在设计中用更小的电流产生更大的gm/Id是被设计师所喜欢的。当然亚阈值MOS也有很多缺点，例如需要在速度上，信号摆幅上做Trade-Off。

除 了亚阈值区外，还有一个区叫深三极管区（deep triode region）

三极管区

亚阈值区的主要辨别参数是Vgs和Vth的关系，而深三极管区是继承了三极管区（triode region)，也称线性区（linear region）和饱和区的关系，Vds和Vgs-Vth的关系而得来的。Vds<Vgs-Vth，管子工作在三极管区，但如果有Vds<<2(Vgs-Vth)，管子就工作在线性区的末端，也就是深三极管区，如上图所示。

此时三极管区的公式ID=1/2·μn·Cox·W/L[2(Vgs−Vth)·Vds−Vds^2]就变成深三极管区公式

ID=μn·Cox·W/L·[(Vgs−Vth)·Vds]

所以ID和VDS的关系就是电阻的关系，电阻值的大小受过驱动电压Vgs-Vth控制，电阻值是

Ron=1/μn·Cox·W/L(Vgs−Vth)

 

对比

注意深三极管区和亚阈值区的区别，管子工作在深三极管区主要是Vds小，Vgs的值还是可以满足沟道开启的，也就是Vgs>Vth。而亚阈值区是Vgs<Vth，对于Vds来说，此时Vgs-Vth都小于0了，按理说Vds只要大于0就可以了管子就可以工作了，不过还是有要求的，要在亚阈值区正常工作，Vds要大于一定值，Razavi书里是100mV。

应用

深三极管区因为表现出可调电阻的特性，所以可以用作电阻。

而亚阈值区虽然有一个很严重的缺陷—管子的速度严重受限。但是在如今越来越低的栅长工艺来说，这个并不是什么大问题。亚阈值区可以提供一个非常诱人的好处，因为Vgs和Vds都可以很小，所以这个区域适合low power的应用。

我们使用的gm/ID的设计方法，如下图所示，就能明显的看到亚阈值区的特征，虽然Vov<0情况下，但gm/Id不会无限大，但截止频率ft就很小了。但如果是28nm，7nm这样的工艺，管子的速度一般是满足我们的低频设计需求的。

注意这里的long-channel device是模型的理想状态，在深亚微米下器件表现出不一样的特性，需要更精确的模型，如BSIM3v3等。