摄像头参数介绍 ———— 暗电流

介绍

 暗电流是在没有入射光时光电二极管所释放的电流量，理想的影像感应器其暗电流应该是零，但是，实际状况是每个像素中的光电二极管同时又充当了电容，当电容器慢慢地释放电荷时，就算没有入射光，暗电流的电压也会与低亮度人射光的输出电压相当。因此，在这些时候我们还是能从显示器上看到部分"影像"，大部分情况下这都是因为从暗电流中所累积的电荷释放造成的。所以，暗电流是影响画质的噪声之一，CCD与CMOS感应器的暗电流范围为0.075~2.0nA/cm2。实际上因为CCD与CMOS在图像采集方面的本质区别，在暗电流的形成上差别还是比较大的。但是由于双方在后台处理上的不同，暗电流的影响已经消除了大半，因此在最终得到的实际影像上的差别还不是非常明显的。暗电流的大小与温度的关系极为密切，温度每降低10°c，暗电流约减小一半。
&esmp;暗电流一般在分选硅片时要考虑，如果暗电流过大能说明硅片的质量不合格，如表面态比较多，晶格的缺陷多，有存在有害的杂质，或者掺杂浓度太高，这样的硅片制造出来的电池片往往少子寿命低，直接导致了转换效率低。对单纯的二极管来说，暗电流其实就是反向饱和电流，但是对太阳能电池而言，暗电流不仅仅包括反向饱和电流，还包括薄层漏电流和体漏电流。

补偿

暗电流校正

 1. 用黑胶布遮住摄像头，然后在全黑环境下拍摄一张全尺寸的照片。
 2. 软件读取并保存住这张图片的值，这里面非0的值，都是由sensor的暗电流产生的噪点，当对照片处理的时候，需要减去这些对应的噪声。

lenshading补偿

 1. 用毛玻璃盖住模组，在灯箱下拍摄一张照片。正常情况下，可以看到照片是中心亮，而四周相对较暗。
 2. 将拍摄的照片通过处理，找出照片中最亮位置的亮度，然后用这个亮度为基准，记录下整个图片中，每个像素位置亮度和这个亮度的比值。当对照片处理的时候，对应像素位置乘以这个比值。

目的

防止击穿

 如果电池片做成组件时，电池片的正负极被接反，或者组件被加上反偏电压时，由于电池片的暗电流过大，电流叠加后会迅速的将电池片击穿，不过这样的情况很少发生，所以测试暗电流在这方面作用不是很大。

监控工艺

 当电池片工艺流程结束后，可以通过测试暗电流来观察可能出现的工艺的问题，前面说过，暗电流是由反向饱和电流和薄层漏电流以及体漏电流组成的，分别用J1，J2，J3表示，当我们给片子加反偏电压时，暗电流随电压的升高而升高，分3个区，1区（N区）暗电流由J2起支配作用，2区（P区）由J3起支配作用，3区（PN结）由J1起支配作用，3个区的分界点由具体的测试电压而决定的。为什么暗电流会随电压升高而增大呢？当有电压加在片子上时，对硅片有了电注入，电注入激发出非平衡载流子，电压越大激发的非平衡载流子越多，形成的暗电流越大，暗电流的增长速度随电压越大而变慢，直到片子被击穿。一般我们测试暗电流的标准电压为12V，测得的曲线和标准的曲线相比后，可以的出片子的基本情况。如在1区发现暗电流过大则对应的薄层区出了问题，2区暗电流过大，说明问题出在体区，同样3区出现问题，说明PN做的有问题，扩散，丝网印刷，温度等参数都会影响暗电流，只要知道哪出了问题，就可以根据这去找出问题的原因，所以测试暗电流对工艺的研究是很有用的。

延申

 太阳能电池片可以分3层，即薄层（即N区），耗尽层（即PN结），体区（即P区），对电池片而言，始终是有一些有害的杂质和缺陷的，有些是硅片本身就有的，也有的是我们的工艺中形成的，这些有害的杂质和缺陷可以起到复合中心的作用，可以虏获空穴和电子，使它们复合，复合的过程始终伴随着载流子的定向移动，必然会有微小的电流产生，这些电流对测试所得的暗电流的值是有贡献的，由薄层贡献的部分称之为薄层漏电流，由体区贡献的部分称之为体漏电流。