浅谈降低MOSFET损耗和及EMI性能提高

浅谈降低MOSFET损耗和及EMI性能提高

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一、引言

MOSFET作为主要的开关功率器件之一，被大量应用于模块电源。了解MOSFET的损耗组成并对其分析，有利于优化MOSFET损耗，提高模块电源的功率;但是一味的减少MOSFET的损耗及其他方面的损耗，反而会引起更严重的EMI问题，导致整个系统不能稳定工作。所以需要在减少MOSFET的损耗的同时需要兼顾模块电源的EMI性能。

二、开关管MOSFET的功耗分析

MOSFET的损耗主要有以下部分组成：

1.通态损耗;2.导通损耗;3.关断损耗;4.驱动损耗;5.吸收损耗;

随着模块电源的体积减小，需 要将开关频率进一步提高，进而导致开通损耗和关断损耗的增加，例如300kHz的驱动频率下，开通损耗和关断损耗的比例已经是总损耗主要部分了。

MOSFET导通与关断过程中都会产生损耗，在这两个转换过程中，漏极电压与漏极