HBM技术发展及HBM3E介绍

HBM技术发展介绍

HBM（High Bandwidth Memory）技术的发展始于对传统DRAM内存性能瓶颈的突破，主要聚焦于提升内存带宽、降低功耗以及减小物理占用空间。以下是HBM技术发展的一个简要概述：

初代HBM (HBM1)

• 推出时间：大约在2013年，由超微半导体（AMD）和SK海力士共同发起。
• 关键技术特征：通过3D堆栈工艺，将多个DRAM芯片垂直堆叠在一起，并利用硅通孔（TSV, Through-Silicon Vias）技术连接，大幅度增加了数据传输的带宽，同时减少了与处理器之间的距离，降低了功耗。
• 应用场景：最初主要应用于高性能GPU和一些专业级计算卡。

HBM2

• 推出时间：大约在2016年，作为HBM的升级版，由JEDEC标准化。
• 改进之处：提供了更高的数据传输速率（相比HBM1的1Gbps，HBM2可达到2Gbps或更高），更大的容量选项，以及更好的能效。
• 应用扩展：HBM2开始在更广泛的高性能计算和数据中心应用中找到用途，包括高端显卡和一些服务器CPU。

HBM2E

• 推出时间：大约在2019年，作为HBM2的增强版本。
• 性能提升：进一步提高了带宽，速率可达3.2Gbps