[AI速读]DDR4内存条中VREF优化技术

 

DDR4相比DDR3提供了更高性能和更低功耗。这篇文章介绍了DDR4中一项特别重要的技术创新：VREF优化。

什么是VREF？

VREF是参考电压的简称，在内存系统中起着至关重要的作用。与DDR3不同，DDR4采用了内部Data参考电压(VREFDQ)生成方案，而不是像DDR3那样由外部设备提供固定不变的电压。

DDR4的主要创新

DDR4引入了Per DRAM Addressability (PDA)功能，这使得我们可以单独寻址每个DRAM芯片。结合内部VREF生成机制，这为内存优化提供了新的可能性。

文章提出了一种通过memory controller built-in-self-test (MCBIST)来确定最佳VREF设置的方法，不再只是使用简单的Multi Purpose Register (MPR)数据模式，而是作为DRAM训练后的一部分进行。

实验过程

研究人员使用了专门设计的内存诊断测试平台，该平台包含内存控制器和用于插入DDR4 DIMM的插槽。测试使用的是2个Rank的DIMM，容量为16GB，DRAM密度为4Gbit。

实验中采用了一种称为"Shmoo"的技术，这是一种绘制数字眼图的图形表示方法，用于在不同应力条件下分析内存接口的时序裕度。研究人员通过MRS命令向DDR4 DRAM的MR6寄存器发送VREFDQ设置，从而改变每个DRAM内部的VREFDQ设置。