【JESD79-5之】4 DDR5 SDRAM命令描述和操作-28(VrefDQ calibration specfication)

4.28 VrefDQ校准规范

DRAM内部的VrefDQ规格参数包括电压工作范围、步进大小、VrefDQ设置容差、Vref步进时间和VrefDQ有效电平。
电压工作范围指定了DDR5 DRAM设备所需的最小VrefDQ设置范围。最小范围由VrefDQmax和VrefDQmin定义，如图107所示。

VrefDQ步进大小被定义为相邻步骤之间的步进大小。对于给定的设计，DRAM的VrefDQ步进大小必须在规定范围内。
VrefDQ设置容差是VrefDQ电压与理想设置之间的变化。这考虑到了多个步骤中累积的误差。VrefDQ设置容差的不确定性有两个范围，而这个范围与步数n有关。

VrefDQ设置容差是相对于理想线进行测量的，该理想线是基于两个端点而确定的，其中端点是指定范围内VrefDQ值的最小值和最大值。图108显示了步进大小和VrefDQ设置容差的示例。

VrefDQ增量/减量步进时间由VrefDQ_time定义。VrefDQ_time从t0到t1进行定义，如图109所示，其中t1是参考的VrefDQ电压达到VrefDQ有效容差（VrefDQ_val_tol）内最终的直流电平时的时间点。

VrefDQ有效电平由VrefDQ_val容差定义，用于确定步进时间t1是否合格，如图109所示。该参数用于确保在任何VrefDQ增量/减量调整之后，电压级别的变化具有足够的RC时间常数行为。该参数仅适用于DRAM组件级别的验证/特性化。
t0 - 参考MRW命令，更新VrefDQ值
t1 - 参考VrefDQ_val_tol

MRW命令用于将全局VrefDQ值存储到MR10的VrefDQ位中。
除了MR10，还可以在MR118、MR126、MR134、...、MR254和OP[7:4]中进行每个引脚的VrefDQ微调，最多可以调整+/– 3个VrefDQ步进。全局和每个引脚的VrefDQ设置的组合不得超过可用的VrefDQ范围，范围为35.0%至97.5%。

表339包含内部VrefDQ规格参数，将对其进行组件级别的特性化以确保符合规定。组件级别的特性化方法尚未确定。

注意事项1：VrefDQ直流电压基准为VDDQ_DC。
注意事项2：VrefDQ步进大小的增减范围，VrefDQ处于直流电平。
注意事项3：VrefDQ_new = VrefDQ_old + n * VrefDQstep；n为步数；如果是增加则使用"+"；如果是减少则使用"-"。
注意事项4：VrefDQ设置容差的最小值 = VrefDQ_new - 1.625% * VDDQ；VrefDQ设置容差的最大值 = VrefDQ_new + 1.625% * VDDQ。适用于n>4。
注意事项5：VrefDQ设置容差的最小值 = VrefDQ_new - 0.15% * VDDQ；VrefDQ设置容差的最大值 = VrefDQ_new + 0.15% * VDDQ。适用于n<4。
注意事项6：通过记录VrefDQ输出在范围内的最小值和最大值，并在这些点之间绘制一条直线，将所有其他VrefDQ输出设置与该直线进行比较来进行测量。
注意事项7：通过记录4个连续步骤中（n=4）的VrefDQ输出的最小值和最大值，并在这些点之间绘制一条直线，将所有其他VrefDQ输出设置与该直线进行比较来进行测量。
注意事项8：从MRW命令更新VrefDQ到增加或减少的时间。
注意事项9：仅适用于DRAM组件级别的测试/特性化目的，不适用于正常操作模式。VrefDQ有效是为了确定在组件级别上进行特性化的步进时间。
注意事项10：当n<16时，VrefDQ步进时间的最大值为150纳秒；当n≥16时，VrefDQ步进时间的最大值为500纳秒，其中n为步数。