在氮化硅蚀刻期间提高蚀刻选择性的方法

书籍：《华林科纳-半导体工艺》
文章：在氮化硅蚀刻期间提高蚀刻选择性的方法
编号：JFKJ-21-1085
作者：华林科纳

半导体器件的制造是在半导体衬底或其它衬底上形成特征的多步骤过程。步骤可以包括材料生长、图案化、掺杂、沉积、蚀刻、金属化、平坦化等。形成在衬底上的特征可以包括各种晶体管。晶体管可以是平面的或非平面的，也可以有单栅极或多栅极。非平面晶体管(有时称为3D晶体管)包括鳍式场效应晶体管等。
这种非平面晶体管通常包括垂直取向的或者用作源极和漏极之间的沟道的凸起鳍片。栅极也是垂直定向或凸起的，并且位于鳍片上方(鳍片顶部和鳍片侧壁周围)。这种非平面晶体管可以具有多个鳍和/或多个栅极。平面晶体管也具有相关的高度，尽管非平面特征的相对高度通常大于平面晶体管的相对高度。
半导体器件的制造通常包括放置隔离物和/或虚拟材料，以帮助构造给定的特征设计，包括非平面晶体管上的特征。为了改善栅极功能，通常在非平面晶体管上指定侧壁隔离物。随着晶体管栅极的尺寸继续缩小，栅极和触点之间以及栅极和源极/漏极面之间的边缘电容已经增加。为了抵消边缘电容的增加，低k介电材料被用作隔离材料。间隔物的成功受到间隔物蚀刻工艺的影响，该工艺可以影响间隔物的介电常数以及间隔物覆盖。



结论
包括增加材料间蚀刻选择性的方法。这里的技术包括氮化硅(SiN)隔离物和硅(例如多晶硅)的蚀刻和氧化的循环过程。这种技术可以增加对硅的选择性，从而在从侧壁和其他表面蚀刻氮化硅时，硅不太可能被蚀刻或损坏。与氮化硅相比，本文公开的技术和化学物质对氧化硅和硅更具选择性。氧化步骤在硅表面上形成氧化物保护膜，该保护膜比在氮化物表面上形成的任何氧化物膜都要厚。因此，这里的技术能够更好地去除氮化硅和氮化硅间隔材料。