《炬丰科技-半导体工艺》用各向异性湿法蚀刻技术制作的低损耗硅波导

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：用各向异性湿法蚀刻技术制作的低损耗硅波导
编号：JFKJ-21-913
作者：炬丰科技

引言

低损耗硅波导和有效的光栅耦合器来将光耦合到其中。通过使用各向异性湿法蚀刻技术，我们将侧壁粗糙度降低到1.2纳米。波导沿[方向在绝缘体上硅衬底上形成图案。波导边界由垂直于表面的平面决定。制作的波导对TE极化的最小传播损耗为0.85分贝/厘米，对TM极化的最小传播损耗为1.08分贝/厘米。制作的光栅耦合器在1570纳米处的耦合效率为4.16分贝，3 dB带宽为46纳米。

介绍
硅光子技术被视为替代板对板和芯片内光学互连的金属互连的潜在解决方案(Miller，2009)。用于实现无源和有源光学器件的硅光子学最常用的材料平台是硅非绝缘体(SOI)。除了硅是透明的这一事实之外，晶体硅(~3.5)和掩埋氧化物之间在电信波长下的大折射率对比使得强光限制在顶部硅层中。通过蚀刻硅层以形成肋或线波导，还可以实现极好的横向限制，使得具有小弯曲半径的光波导，因此，紧凑的光子电路在亚微米尺度上是可行的。然而，这种强限制是有代价的，因为折射率的任何不规则性都会导致强散射损耗，因为散射损耗与(δn)3成比例(铃木等人，。1994). 通常，侧壁粗糙度是硅光子学元件中光学损耗的主要促成因素，尤其是对于亚微米尺寸的硅波导。因此，正在进行深入研究，以开发实现低损耗硅波导的最佳制造工艺，因为这对硅光子技术的成功至关重要。

实验

各向异性湿法刻蚀制造
对于晶体硅的各向异性湿法蚀刻，四甲基氢氧化铵(TMAH)水溶液被广泛使用。由于其强碱性，根据暴露的晶面，TMAH与晶体硅的反应非常不同。例如，当[100]和[110]平面被蚀刻时，[111]平面几乎不受溶液的影响。