本文介绍了MOS门电路的基础知识，包括NMOS的导电原理，CMOS由NMOS和PMOS组成，强调了CMOS作为反相器的角色。内容还探讨了PMOS与NMOS的特性差异，如PMOS的载流子迁移率较低，导致充电时间较长。此外，文章分析了CMOS与非门和或非门的工作原理，指出在相同尺寸下，与非门通常速度更快，因此在设计中更常被优先选用。
NMOS
NMOS（Negative channel-Metal-Oxide-Semiconductor，N型金属氧化物半导体）导电原理：
制作两个高掺杂浓度的N+区(N+区域中有大量为电流流动提供自由电子的电子源)，作为漏极D和源极S。P衬底。栅极接高电平，吸引电子上来，最终在源-漏极间形成N型导电沟道，就会通电。接低电平则不会导通。本质上就是一个开关，栅极接高电平导通。
CMOS
由POMS和NMOS组成的互补型电路
Vin=1, NMOS导通，Vout=0；功能：反相器
注意：
-
PMOS管比NMOS管宽的原因是么?
PMOS是空穴导电，NMOS是电子导电，电子迁移率是空穴的2.5倍。 -
相同面积的cmos与非门和或非门哪个更快
3.由于PMOS的载流子的迁移率比NMOS的迁移率小，
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