NMOS
NMOS(Negative channel-Metal-Oxide-Semiconductor,N型金属氧化物半导体)导电原理:
制作两个高掺杂浓度的N+区(N+区域中有大量为电流流动提供自由电子的电子源),作为漏极D和源极S。P衬底。栅极接高电平,吸引电子上来,最终在源-漏极间形成N型导电沟道,就会通电。接低电平则不会导通。本质上就是一个开关,栅极接高电平导通。
CMOS
由POMS和NMOS组成的互补型电路
Vin=1, NMOS导通,Vout=0;功能:反相器
注意:
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PMOS管比NMOS管宽的原因是么?
PMOS是空穴导电,NMOS是电子导电,电子迁移率是空穴的2.5倍。 -
相同面积的cmos与非门和或非门哪个更快
3.由于PMOS的载流子的迁移率比NMOS的迁移率小,