数字IC低功耗设计

功耗的分类

三个主要的功耗源：浪涌、静态功耗和动态功耗；
其中浪涌电流指器件上电时产生的最大瞬时输入电流；浪涌电流与设备相关，不关注

1. 动态功耗包括：开关功耗（翻转功耗）
在数字CMOS电路中，对负载电容进行充放电时消耗的功耗，比如对于下面的CMOS非门中:

当Vin = 0时，上面的PMOS导通，下面的NMOS截止；VDD对负载电容Cload进行充电，充电完成后，Vout的电平为高电平。
当Vin = 1时，上面的PMOS截止，下面的NMOS导通，负载电容通过NMOS进行放电，放电完成后，Vout的电平为低电平。
这样一开一闭的变化，电源的充放电，就形成了开关功耗，开关功耗Psitch的计算公式　　　　　　　　　　　　　

在上式中，VDD为供电电压，Cload为后级电路等效的电容负载大小，Tr为输入信号的翻转率
一般情况下，信号在一个周期内平均翻转两次，即上升沿一次、下降沿一次，也就是说，Tr = 2f，因此，平均功耗就是：
Pdynamic = Vdd^2 * C * f

短路功耗。
短路功耗也称为内部功耗，短路功耗是因为在**输入信号进行翻转时，信号的翻转不可能瞬时完成，**因此PMOS和NMOS不可能总是一个截止另外一个导通，总有那么一段时间是使PMOS和NMOS同时导通，那么从电源VDD到地VSS之间就有了通路，就形成了短路电流，如下面的反相器电路图所示：