PWM “死区”的概念和基本原理

什么是“死区”

就是在上半桥关断后,延迟一段时间再打开下半桥或在下半桥关断后,延迟一段时间再打开上半桥,从而避免功率元件烧毁。

PWM脉宽调制

在电力电子中,最常用的就是整流和逆变。这就需要用到整流桥和逆变桥。以两电平为例,每个桥臂上有两个电力电子器件,比如igbt。这两个igbt不能同时导通,否则就会出现短路的情况。因此,设计带死区的PWM波可以防止上下两个器件同时导通。也就是说,当一个器件导通后关闭,再经过一段死区,这时才能让另一个导通。

通常,大功率电机、变频器等,末端都是由大功率管、IGBT等元件组成的H桥或3相桥。每个桥的上半桥和下半桥是是绝对不能同时导通的,但高速的PWM驱动信号在达到功率元件的控制极时,往往会由于各种各样的原因产生延迟的效果,造成某个半桥元件在应该关断时没有关断,造成功率元件烧毁。

死区就是在上半桥关断后,延迟一段时间再打开下半桥或在下半桥关断后,延迟一段时间再打开上半桥,从而避免功率元件烧毁。这段延迟时间就是死区。就是上、下半桥的元件都是关断的时间。死区时间是PWM输出时,为了使H桥或半H桥的上下管不会因为开关速度问题发生同时导通而设置的一个保护时段,所以在这个时间,上下管都不会有输出,当然会使波形输出中断,死区时间一般只占百分之几的周期。但是PWM波本身占空比小时,空出的部分要比死区还大,所以死区会影响输出的纹波,但应该不是起到决定性作用的。

<think>好的,我现在需要帮助用户解决关于EPWM死区配置的问题。首先,我需要回顾用户提供的引用资料,特别是引用2、34,因为它们涉及到死区配置的相关内容。用户可能想知道如何正确配置死区时间,以及常见的错误解决方法。 首先,根据引用2,死区的主要作用是防止上下桥臂同时导通导致的短路。因此,配置时需要设置上升沿下降沿的延迟时间。引用3提到需要配置HRCNFG2寄存器来启用高分辨率模式,并且需要设置边沿模式控制模式。此外,引用4中的代码示例展示了如何在检测到故障时关闭PWM输出,这可能与死区配置错误时的保护机制有关。 用户可能需要具体的步骤来配置死区,比如寄存器设置、参数计算等。同时,常见错误可能包括死区时间不足、极性配置错误或同步问题。例如,死区时间不足会导致短路,需要根据器件手册计算最小时间。极性配置错误会导致信号相位错误,需要检查DBCTL寄存器。同步问题可能需要使用影子寄存器来确保参数在安全时刻加载。 另外,用户的问题可能涉及到实际应用中的故障处理,如过流保护,如引用4中的代码所示。因此,在解决方案中需要提到如何在代码中添加保护逻辑,以及在PCB布局上的注意事项,比如避免噪声干扰。 总结步骤应该是:1. 确定需求,2. 配置寄存器,3. 计算时间参数,4. 验证波形,5. 添加保护机制。常见错误解决方案需要具体举例,如时间不足、极性错误、同步问题等。最后,生成相关问题以帮助用户进一步理解。</think>### EPWM死区配置方法及常见错误解决方案 #### 一、死区配置核心步骤 1. **需求分析** 确定所需死区时间(通常根据功率器件开关特性计算),例如IGBT/MOSFET的关断延迟时间差。例如,若器件关闭时间为$t_{off}=100ns$,开启时间为$t_{on}=50ns$,则最小死区时间需满足: $$T_{dead} \geq t_{off} - t_{on} = 50ns$$ 同时需确定信号极性(同相或互补)[^2]。 2. **寄存器配置** - **DBCTL(Dead-Band Control Register)** 设置上升沿延迟(RED)下降沿延迟(FED)的使能位: ```c EPwm1Regs.DBCTL.bit.OUT_MODE = DB_FULL_ENABLE; // 使能死区 EPwm1Regs.DBCTL.bit.POLSEL = DB_ACTV_HIGH_COMP; // 互补输出极性 ``` - **DBREDDBFED寄存器** 写入具体延迟时间,例如: ```c EPwm1Regs.DBRED = 50; // 上升沿延迟50个时钟周期 EPwm1Regs.DBFED = 50; // 下降沿延迟50个时钟周期 ``` - **高分辨率模式(引用3)** 若需高精度控制,配置HRCNFG2寄存器: ```c EPwm1Regs.HRCNFG2.bit.EDGMODE = DB_RED_FED; // 同时控制上升/下降沿 EPwm1Regs.HRCNFG2.bit.CTLMODE = LOAD_ON_CNTR_ZERO; // 计数归零时加载参数 ``` 3. **时间参数计算** 死区时间计算公式: $$T_{dead} = (DBRED + DBFED) \times T_{clk}$$ 其中$T_{clk}$为EPWM时钟周期。例如,若时钟频率为100MHz($T_{clk}=10ns$),则50个周期对应500ns。 4. **波形验证** 使用示波器检查EPWMxAEPWMxB信号,确保上升/下降沿间存在预期延迟,且无重叠(如图1所示)。 ![互补PWM波形示例](https://via.placeholder.com/400x200?text=EPWMxA++EPWMxB+死区波形) --- #### 二、常见错误及解决方案 1. **死区时间不足导致短路** - **现象**:功率器件发热异常,电流波形出现尖峰。 - **解决**:通过公式重新计算最小死区时间,并更新DBRED/DBFED值。若使用高分辨率模式,需启用微边沿定位(MEP)功能提升精度[^3]。 2. **极性配置错误** - **现象**:输出信号相位与预期相反。 - **解决**:检查DBCTL.POLSEL字段,例如: - `DB_ACTV_HIGH_COMP`:EPWMxA高有效,EPWMxB低有效 - `DB_ACTV_LOW_COMP`:EPWMxA低有效,EPWMxB高有效 3. **同步问题(参数未生效)** - **现象**:修改寄存器后波形无变化。 - **解决**:检查影子寄存器加载模式(如LOADREDMODE/LOADFEDMODE),确保参数在计数器归零时同步加载[^3]。 4. **噪声干扰导致误触发** - **现象**:死区保护失效(如引用4中GPIO误触发)。 - **解决**: - 硬件:优化PCB布局,增加屏蔽地线。 - 软件:添加保护逻辑: ```c if (GpioDataRegs.GPBDAT.bit.GPIO34 == 1) { // 过流检测 EPwm1Regs.TZFRC.bit.OST = 1; // 强制关闭PWM FaultHandler(); } ``` --- #### 三、进阶配置建议 1. **动态调整死区时间** 根据温度/负载变化,通过实时读取传感器数据动态更新DBRED/DBFED值。 2. **结合故障保护机制** 配置TZ(Trip Zone)模块,在过流时通过TZCTL寄存器自动关闭PWM输出[^1]。 ---
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