探讨MOS器件的各个数值变化。（基础）

Carol0630

已于 2022-02-14 14:49:18 修改

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分类专栏：工艺仿真文章标签：模拟

于 2022-02-10 16:39:11 首次发布

本文链接：https://blog.csdn.net/Carol0630/article/details/122864151

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本文探讨了MOS器件中gm/id参数对电流转换效率的影响，以及速度与稳定性的折衷。通过 Cadence 仿真，研究了不同Vgs下ro、gm和本征增益的数值，并分析了跨导随Vds和Vov变化、高压管子的差异以及亚阈值区域的行为。重点在于揭示gm/id如何在晶体管设计中提供高效且精确的评估，特别是在短沟道器件中传统经验公式的局限性。

摘要由CSDN通过智能技术生成

在这里插入图片描述
目的：不同Vgs下对应的器件的ro，gm以及本征增益的具体数值网表。
要求:利用Cadence进行具体仿真。

实验要求：
1.固定Vgs，求id的范围。
2.对应沟道长度的值。
3.跨导随着Vds以及Vvov的变化。
4.耐高压的5V以及35v管子的区别。
5.亚阈值区域的变化。

在这里插入图片描述

The temperature range and power supply used to extract model parameters are from -40℃ to 125 ℃, 
1.8V for thin-oxide MOSFETs,            %1.5V薄氧化层
5V for thick-oxide MOSFETs,             %5V厚氧化层
10V/12V/20V/35V/40V for LDMOS,          %35V LDMOS
respectively. 

The transistor sizes used in the extraction are 
0.18um≦length≦20um, 0.22um≦width≦100um for 1.8V thin-oxide and in dnw devices, 
0.6um≦length≦20um, 0.3um≦width≦100um for 5.0V NMOS and NMOS in DNW, 
0.5um≦length≦20um, 0.3um≦width≦100um for 5.0V PMOS and PMOS i