MMMC

最新推荐文章于 2024-01-31 14:38:56 发布
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本文详细介绍了MMM（多模态多任务学习）的概念，探讨了其在处理跨模态数据和执行多种任务时的优势，以及在人工智能领域的潜在应用。
摘要由CSDN通过智能技术生成

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时序分析模型——MMMC
seu他山之石的博客
05-27 7826
时序分析模型——MMMC MMMC：MutiMode NutiCorner多模式多工艺角 MMMC主要由两方面组成，一个是延时工艺角，一个是约束模式。 延时工艺角分为两部分，一个是时序库.lib和信号完整性库.cdb文件，一个是RC corner，包含RC参数，RC比例因子，QRC抽取寄生参数的配置信息。 约束模式：一般为时序约束模式，还有扫描模式，自检BIST模式，DVFS模式等。 假设给定3种模式的时序约束，3种时序库端角，4种RC端角，结合起来一共就有36种view。 原则上需要对每个view都进行
介绍MMMC文件，以及为什么要用该文件跑PR flow
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LEBRON599的博客
05-15 1682
多模式多端角分析模式。这是在先进工艺下要使用的一种时序分析模式。在01脚本中有这样一段（01脚本讲解见专栏--IC后端学习日志）可以理解为mmmc文件的内容实际上就是viewDefinition.tcl里面的内容。分五部分组成： library_setrc_cornerdelay_corner (由library_set和rc_corner组成)mode。
数字后端--MMMC分析介绍
weixin_43313647的博客
11-10 7647
MMMC multi mode,multi corner ：多模式多管脚（适应不同情境下芯片的性能等）； 有些比较悲观的view可以cover其他的view，以此来节省实验的时间。、 RC corner：互连线的寄生参数：导线宽度，厚度，层间绝缘介质厚度以及线间距。 PVT工作环境：（process,voltage,temperature）会影响cell的延迟： 工艺变化参数，温度对器件的影响，...
数字后端A7core项目记录1.1SDC文件、MMMC文件和lef文件
weixin_45254299的博客
02-20 1986
SDC，MMMC和LEF文件
MMMC环境配置：
qq_47912980的博客
01-16 803
3.scan：ac capturedc capture4.jtag：边界扫描I/O。
时序分析基本概念介绍<MMMC分析>
Tao_ZT的博客
06-02 8337
今天我们要介绍的时序分析基本概念是MMMC分析(MCMM)。全称是multi-mode, multi-corner, 多模式多端角分析模式。这是在先进工艺下必须要使用的一...
数字后端IC设计基本概念
m0_60873488的博客
05-26 9474
由于金属导体中电场的作用导致金属离子的迁移。后造成芯片中的net短路或者断路，从而影响芯片的寿命。在芯片设计中往往通过电流密度判断EM的影响，两者为正比关系，即电流密度大的地方，EM影响大。一般需要遵守EM spec(每个金属层规定的最大电流密度）。当设计中的电流密度超过上述的spec时，需要通过减小电流密度的方法解决。金属的电流密度由其通过的电流大小和相应的横截面积有关，所以可以通过减小电流和增大横截面积的方法来减小电流密度。由于，金属的厚度一般不能改变，因此一般通过。
Genus前端脚本文件.rar_genus_mmmc.tcl_前端脚本_数字前端、综合_综合工具 genus
09-22
标题中的"Genus前端脚本文件.rar_genus_mmmc.tcl"提到了两个关键组件：Genus和mmmc.tcl。Genus是Synopsys的旗舰级综合工具，它提供了优化技术，可以实现更快的运行速度、更小的面积以及更低的功耗。而“mmmc.tcl”则...
3.6   MMMC环境设置.mp4
12-12
3.6 MMMC环境设置.mp4
数字IC笔记-MMMC、WNS和TNS
sinat_41774721的博客
07-29 4314
之所以要用MMMCFlow是因为device在不同的PVT下的特性不一样，而且foundary对这些不同条件下的timing都有要求，即这些条件都需要做timingsignoff。所以，在PR实现时就需要把这些view加进去，这样PR实现后进PT做timingsignoff才可能，满足不同view下的时序要求。WNS和TNS是时序分析的两个指标，其单位是ns，是衡量timing好坏程度的指标，通常是负数，负的越多，性能越差。所有负的slack值之和，表征芯片的一个性能范围。............
CMOS技术中的闩锁效应——问题及其解决方法
09-01
CMOS技术中的闩锁效应——问题及其解决方法
MySQL MMM Install Deploy
系统 运维
03-04 197
0 reference network:http://blog.csdn.net/hguisu/article/details/7349562http://blog.chinaunix.net/uid-28437434-id-3471237.htmlhttp://mysql-mmm.org/downloads;http://mysql-mmm.org/mmm2:guidehttp://dev.m...
可靠性设计之闩锁效应
weixin_52567455的博客
03-23 1万+
闩锁效应是cmos工艺所特有的寄生效应。闩锁效应是由nmos有源区、p衬底、n阱、pmos的有源区构成的n-p-n-p结构，寄生成的两个相关的三极管产生的，严重会导致电路的失效，甚至烧毁芯片。闩锁情况下，器件在电源和地之间形成短路，通过三极管放大电流，造成大电流，EOS(电过载)和器件损坏。是半导体失效的主要原因之一。
闩锁效应（Latch-up）——好文当转
filthyfrank的博客
01-31 6033
在CMOS集成电路中，闩锁效应不容忽视。这篇文章将从0开始给大家介绍闩锁效应（Latch-up），以及有效抑制闩锁效应的方法。
集成电路设计——闩锁效应
roc_ever的博客
03-10 5932
【总是单纯将闩锁效应看成是形成pnp二极管正偏带来大的漏电流烧坏衬底，还是想着写详细点，也希望自己记得详细点的】 定义当然还是这样： 闩锁效应是指 CMOS 器件所固有的寄生双极晶体管被触发导通， 在电源和地之间存在一个低阻通路，大电流，导致电路无法正常工作，甚至烧毁电路。 从源-阱-衬底，总是能够形成pnp（npn）的二极管的结构，并且由于（以n阱中的p掺杂-n阱-p衬底形成的pnp为例）本身的从n阱到p衬底已经形成反偏结构，因此只要n阱中的p掺杂的电压高于n阱的阱电位，就会形成cmos电路的闩锁效应。
闩锁效应的产生原因及解决办法
seu他山之石的博客
07-03 1万+
闩锁效应 文章目录闩锁效应一、闩锁效应产生原因二、闩锁效应解决办法 一、闩锁效应产生原因 由于寄生产生闩锁效应，形成寄生npn，pnp型双极晶体管，又由于寄生电阻R2，R3的存在，形成正反馈放大回路。将电流不断放大，导致电源和地之间形成极大导通电流，烧坏整个芯片。 二、闩锁效应解决办法 为使闩锁效应不再发生，应当使R2，R3足够的小，通过添加well tap实现，如下图。 ...
【模拟IC】闩锁效应的概念，产生原因，工作过程及解决方案
heqianwan的博客
10-10 1万+
简单介绍闩锁效应的产生和解决办法，希望对你有用
Latch up 闩锁效应
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Edwinchi的博客
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Latch up概念 CMOS电路中，存在寄生的三极管PNPN,它们相互影响在VDD与GND间产生一低阻通路，形成大电流，烧坏芯片这就是闩锁效应 随着IC特征尺寸越来越小，集成度越来越高，闩锁效应发生的可能性越来越高； Latch up形成机制 在CMOS工艺中制作的N管和P管间会存在寄生的BJT（PNPN）；如下（以N井CMOS工艺制作的反相器为例），N管和P管间存在一个纵向的PNP，和一个横向的NPN；对于横向的PNP：P管的源漏构成其双发射区，N#作为其基区，Psub作为其集电区，显然这是一个典型的P
Latch-up的介绍
NINGXURAN的博客
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这种接触可以降低发射极-基极的旁路电阻，降低电阻的反馈作用，稳定寄生P+和N+发射极周围的电位，这种邻近的设计还可以削弱载流子的注入从而降低横向晶体管的𝛼。增大阱接触面积可以增大阱内等效欧姆电阻的横截面积，电阻阻值和面积是成反比的，所以可以有效的减小阱导通沟道上的电阻，降低电压的变化。图中形成的是一个 N+扩散保护圈，它的作用是吸收流向衬底区域的电子，避免产生低阻 状态，在流过的路径上产生电压降导致寄生 P+极正向偏置[22]。同时，还需在设计过程中进行相关的仿真和测试，以确保电路的稳定性和可靠性。
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