半导体物理 第十章 半导体表面与MIS结构

表面态概念

表面的特殊性

周期性势场中断;易受损伤,氧化,玷污;需要特殊保护措施;表面是制备器件的基础,如MOSFET。

理想表面

周期性势场规则中断,且外部势场为真空势。

理想一维晶体表面:每个裸露原子上面有一个悬挂键(未配对电子)。

真实表面

真实表面有自然氧化层,使表面态密度降低。

表面态密度有施主型和受主型。

表面电场效应

空间电荷层

半导体表面产生电场起因:外加偏压,功函数差,电荷(固定电荷、界面态等)。

半导体表面电荷应该分布在表面一定厚度中,这就是空间电荷层。

在这里插入图片描述

空间电荷层中的泊松方程

在这里插入图片描述

半导体表面电场、电势和电容

在这里插入图片描述

半导体表面层的五种基本状态

  1. 多子积累状态
  2. 平带状态
  3. 耗尽状态
  4. 反型状态
    1. 弱反型状态
    2. 强反型状态
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