MOS管的GS波形振铃怎么消除

本文探讨了MOS管GS波形振铃现象及其产生的原因,并通过RLC串联谐振电路仿真分析,给出了几种有效消除振铃的方法,包括调整驱动电阻、减少寄生电感等。

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MOS管的GS波形振铃怎么消除?

1、MOS管的GS波形振铃现象

我们测式MOS管GS波形时,有时会看到下图中的这种波形,在芯片输出端是非常好的方波输出,但一旦到了MOS管的G极就出问题了,有振铃,这个振铃小的时候还能勉强过关,但是有时候振铃特别大,严重时将引起电路震荡。
在这里插入图片描述
这个波形中的振铃是怎么回事?有没有办法消除?

2、MOS管的GS波形振铃分析与仿真

参见下图,我们一起来看看:
在这里插入图片描述 IC出来的波形正常,到C1两端的波形就有振荡了,实际上这个振荡就是R1、L1和C1三个元器件的串联振荡引起的,R1为驱动电阻,是我们外加的,L1是PCB上走线的寄生电感,C1是MOS管gs的寄生电容。9 M2 k/ q6 , V) f7 S# h: f
对于一个RLC串联谐振电路,其中L1和C1不消耗功率,电阻R1起到阻值振荡的作用阻尼作用。9 N+ J1 F( x7 D. r- C9 o
实际上这个电阻的值就决定了C1两端会不会振荡。: q+ T T7 }, K S’ D4 g
5 O1 Q2 t& E8 _2 K( m6 u% i
1、当R1>2(L1/C1)^0.5时,为过阻尼情况。对此进行仿真,构建模型及仿真波形如下图:
在这里插入图片描述
GS时域波形上升沿变缓,幅频特性曲线在极点处远小于-3dB,在这种情况下,基本是不会发生振荡的。

2、当R1=2(L1/C1)^0.5时,为临界情况,如图所示:
在这里插入图片描述
GS时域波形达到最佳状态,幅频特性曲线在极点处接近于-3dB,在这种情况下,不会有振荡,并且波形最佳。
3、当R1<2(L1/C1)^0.5时,为欠阻尼情况,参见下图:

在这里插入图片描述

GS时域波形出现震铃,幅频特性曲线在极点处高于0dB,在这种情况下,电路一定会发生振铃,甚至发生震荡。! s3 m: `; Z% b’ Q) _ u$ & e

3、振铃问题处理

对于上述的几个振荡需要消除的话,我们有几个选择:
1,增大电阻R1,使R1≥2(L1/C1)^0.5,来消除振荡,对于增大R1会降低电源效率的,我们一般选择接近临界的阻值。
2,减小PCB走线寄生电感L1,这个就是说在布局布线中一定要注意的。
3、增大C1,对于这个我们往往都不太好改变,C1的增大会使开通时间大大加长,我们一般都不去改变它
所以最主要的还是在布局布线的时候,特别注意走线的长度“整个驱动回路的长度”越短越好,另外可以适当加大R1。

### LLC MOS管驱动振铃问题及解决方案 #### 1. 振铃现象的原因分析 在测量MOSGS波形时,可能会观察到明显的振铃现象。这种振铃主要是由寄生电容和寄生电感引起的瞬态响应造成的[^1]。具体来说: - **寄生电容** 和 **寄生电感** 的存在使得当开关从一个状态切换到另一个状态时,电压和电流会发生瞬时波动。 - 对于LLC谐振转换器中的MOS管,这些寄生参数尤其显著,因为高频操作加剧了这些问题。 #### 2. 驱动电路振铃的具体表现 如果振铃发生在驱动电路上,则表现为MCU输出引脚处的PWM信号正常,但在到达MOS管栅源极之间时出现了带有振铃成分的波形。这表明振铃是由驱动线路本身的特性所引发的,而不是MOS管本身的问题[^3]。 #### 3. 解决方案概述 针对上述两种类型的振铃,可以采取不同的措施来减轻其影响: ##### a. 减少驱动路径上的寄生效应 通过优化PCB布局设计减少走线长度并增加接地面积等方式降低布板带来的额外电感量;同时也可以考虑采用更短更快捷高效的门级电阻以加快开关速度从而减小过渡时间内能量积累的可能性[^2]。 ##### b. 使用RC缓冲网络 对于已经存在的系统而言,在不影响整体性能的前提下加入适当大小的R-C组件形成简单的阻尼回路能够有效抑制大部分情况下出现的小幅度高频噪声干扰。选择合适参数组合后的RC吸收电路可以在很大程度上改善上升沿位置处发生的剧烈跳变状况。 ```python def add_rc_damping(R_value, C_value): """ Adds an RC damping network to reduce ringing. Args: R_value (float): Resistance value of the resistor in ohms. C_value (float): Capacitance value of the capacitor in farads. Returns: str: Confirmation message indicating successful addition. """ return f"Added {R_value}Ω resistor and {C_value}F capacitor as RC damping." ``` ##### c. 调整驱动强度 调整用于控制MOS管导通/截止过程的速度——即所谓的“软启动”,可以通过改变外部连接至Gate端子附近的限流元件(通常是固定数值范围内的单片机内部配置项或是外接分立器件)实现更加平滑自然的变化曲线而非突兀式的跃迁动作模式,进而达到减弱乃至完全消除因快速转变而诱发出来的那些不必要的电磁兼容性(EMI)辐射以及局部过热风险等问题的目的。
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