buck电路boot和ph引脚实测

TPS54531

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官方datasheet提供的波形
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实测波形
黄色通道1,是boot引脚,蓝色通道2是PH引脚。
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黄色通道1,是输出的12V0,蓝色通道2是PH引脚。
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Layout
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<think>好的,用户问的是关于Buck电路中自举电容的连接方式。首先,我需要回忆一下Buck电路的基本结构。Buck电路是一种降压型DC-DC转换器,通常包括开关管(比如MOSFET)、电感、二极管或同步整流管、输出电容以及控制芯片。自举电容通常用于驱动高侧NMOS的情况,因为高侧MOS的栅极需要高于电源电压的驱动信号。 接下来,我应该详细解释自举电容的作用。自举电容的主要功能是提供足够的电荷来驱动高侧MOSFET的栅极,尤其是在高侧MOS导通时,其源极电压会升高到输入电压附近,这时候栅极驱动电压必须比源极高出一个阈值,所以需要自举电容来升压。 然后需要考虑连接方式。自举电容一般连接在BOOT引脚SW节点之间。例如,在典型的Buck控制器如LM5116中,BOOT引脚通过一个二极管连接到VCC,同时自举电容的另一端连接到SW节点。这样当低侧MOS导通时,SW点接地,电容通过二极管充电到VCC减去二极管压降。当高侧MOS需要导通时,电容的电荷被用来提升BOOT引脚的电压,从而驱动高侧MOS。 用户可能的疑惑点包括:为什么需要自举电容?为什么不用P沟道MOSFET?这时候需要解释,虽然P沟道不需要自举,但导通电阻通常更大,效率较低,所以高功率应用中多用N沟道加自举电路。 另外,用户可能想知道具体的电路元件选择。比如自举电容的容值选择,通常数据手册会有推荐值,比如0.1μF到1μF之间,根据开关频率驱动电流决定。还有二极管的选择,需要快恢复二极管以减小反向恢复时间的影响。 可能还需要提到一些注意事项,比如自举电容的耐压要足够,避免在高电压下击穿;PCB布局时自举电容应尽量靠近BOOTSW引脚,减少寄生电感的影响,防止电压振荡或EMI问题。 最后,是否需要举一个实际例子,比如使用常见的芯片如LM2675,给出其自举电容的连接示意图,或者引用某个典型应用电路来说明连接方法。这样用户能更直观地理解。 总结下来,回答的结构应该是:自举电容的作用、连接位置、工作原理、元件选择要点以及设计注意事项。确保用户不仅知道如何连接,还能理解背后的原理关键设计因素。</think>在Buck电路中,**自举电容(Bootstrap Capacitor)的连接方式与工作原理**直接影响高侧NMOS的驱动能力,以下是详细解析: --- ### 一、 **自举电容的核心作用** 当Buck电路采用**高侧NMOS拓扑**时,其栅极驱动电压需满足: $$ V_{GS} > V_{th} + V_{SW} $$ 其中$V_{SW}$为开关节点电压(≈$V_{IN}$),此时需通过自举电容**抬升驱动电压**。 --- ### 二、 **电路连接拓扑** 典型连接方式如下图: ```plaintext VCC │ ├─二极管(Dbs)→ BOOT引脚 │ │ │ Cboot(自举电容) │ │ SW节点 ←─┴───────────┘ ``` #### **关键元件说明**: 1. **二极管Dbs** - 选型要求:快恢复二极管(如1N4148)或肖特基二极管(BAT54),反向恢复时间<10ns - 作用:在低侧MOS导通时,将$V_{CC}$充电至$C_{boot}$ 2. **自举电容Cboot** - 容值范围:通常$0.1\mu F \sim 1\mu F$(如TPS5430推荐$0.1\mu F$) - 耐压值:需≥$V_{CC} + V_{IN}$(例如:$V_{CC}=5V$, $V_{IN}=12V$ → 选16V以上电容) --- ### 三、 **工作原理分阶段解析** | **阶段** | **电流路径与电容状态** | 公式描述 | |----------------|--------------------------------------------------------------------------------------|-----------------------------------| | **低侧MOS导通** | - SW节点接地(≈0V)<br>- $V_{CC}$通过Dbs对$C_{boot}$充电至$V_{CC} - V_F$<br>($V_F$为二极管压降) | $$ V_{boot} = V_{CC} - V_F $$ | | **高侧MOS导通** | - SW节点电压跳变至$V_{IN}$<br>- $C_{boot}$电压叠加在SW上,驱动电压变为:<br>$$ V_{drv} = V_{boot} + V_{SW} $$ | $$ V_{GS} = V_{CC} - V_F + V_{IN} $$ | --- ### 四、 **设计注意事项** 1. **电容容值计算** 需满足驱动电荷需求: $$ C_{boot} \geq \frac{Q_g \cdot f_{sw}}{\Delta V} $$ - $Q_g$: MOS栅极电荷(如AO3400的$Q_g=8nC$) - $f_{sw}$: 开关频率(如500kHz) - $\Delta V$: 允许的电压降(通常<0.5V) **示例**:若$Q_g=10nC$, $f_{sw}=1MHz$, $\Delta V=0.3V$ → $C_{boot} \geq 33nF$(实际选0.1μF) 2. **PCB布局要点** - 自举电容必须**靠近IC的BOOTSW引脚**(走线长度<5mm) - 避免开关节点噪声耦合:BOOT走线与功率回路保持距离,必要时加屏蔽地线 3. **失效模式预防** - **电容漏电流**:选择X7R/X5R材质陶瓷电容,避免Y5V材质 - **电压应力**:在$V_{IN}$突变场景(如汽车冷启动),需增加TVS管保护 --- ### 五、 **典型应用案例** **方案1:TPS54331 Buck转换器** - 连接方式: ```plaintext VCC(5V) → BAT54S → BOOT引脚 │ 0.1μF/16V │ SW引脚 ←───────┘ ``` - 实测波形:驱动电压$V_{GS}=5V-0.3V+12V=16.7V$,满足NMOS(AO3400,$V_{GS\_max}=20V$)需求 **方案2:同步Buck电路的特殊处理** 在同步Buck中(如LM5143),若使用自适应死区控制,需额外增加**自举电容刷新电路**,防止轻载时电容电荷耗尽。 --- ### 六、 **进阶设计技巧** 1. **高压场景优化** 当$V_{IN}>30V$时,可在Dbs后串联电阻(如10Ω)以降低浪涌电流,但需平衡充电速度与损耗: $$ \tau = R_{series} \cdot C_{boot} $$ 需确保$5\tau < 1/f_{sw}$ 2. **多相Buck扩展** 在多相控制器(如LM25149)中,每个相位需独立配置自举电容,避免相互干扰。 --- 通过合理连接自举电容并优化参数,可显著提升Buck电路的**开关效率****可靠性**,尤其在48V输入等高压场景中至关重要。
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