逻辑综合——概述与基本概念

逻辑综合系列主要说明以下问题：

• 为什么要逻辑综合
• 逻辑综合的基本原理
• 逻辑综合需要提供哪些文件
• 逻辑综合过程中施加约束
• 逻辑综合能产生那些结果

综合是前端设计的重要步骤之一，其过程是将行为描述的电路、RTL级的电路转换到门级，其目的在于：决定电路门级结构，寻求时序与面积的平衡，寻求功耗与时序的平衡，增强电路的测试性。常见的工具是synoosys公司的 Design Compiler，将HDL语言描述的电路转换到基于工艺库的门级网表。

逻辑综合的步骤为：转译（Translation）、优化（Optimize）、映射（Mapping）。

DC在综合过程中会将电路划分为以下的处理对象：

  

1. Design：整个需要综合的电路，即我们待综合的对象
2. Port：最外部的端口，一般是电路与外部交互的IO口
3. Clock：由于时钟上的任何问题都会对电路造成重要的影响，所以时钟需要单独处理
4. Cell：被例化的模块
5. Reference：例化模块的原电路
6. Pin：Cell自身的引脚，注意与Port的区别
7. Net：内部连线

用Design Compiler做综合的流程如下：

其实施流程为：

1. 预综合过程（pre-synthesis process）
2. 施加设计约束（contrainting design）
3. 设计综合（synthesizing design）
4. 后综合过程（post-synthesis process）

　　①准备设计文件，DC 的设计输入文件一般为 HDL 文件。

　　②指定库文件，需要指定的库文件包括：

链接库（link library） 、目标库（target library） 、符号库（symbol library）、综合库（synthetic library）

　　下面是库的解释，具体的解释在后面有说，这里先进行简单地概述一下：

 Link library & target library

　  　Link  library 和 target  library 统称为 technology  library（即工艺库，习惯称之为综合库），technology  library  由半导体制造商提供，包含相关 cell 的信息及设计约束标准，其中：

  　　Target library:    在门级优化及映射的时候提供生成网表的 cell,即DC 用于创建实际电路的库。

 　　 Link library:      提供设计网表中的 cell，可以跟target_library使用同一个库，但是 DC 不用 link library中的 cell 来综合设计。

　　当 DC 读入设计时，它自动读入由 link library 变量指定的库。当连接设计时，DC 先搜寻其内存中已经有的库，然后在搜寻由 link  library 指定的库。

　　注：当读入的文件是门级网表时，需要把 link library 指向生成该门级网表的库文件，否则 DC 因不知道网表中门单元电路的功能而报错。 关于工艺库里面的具体内容，后面会专门进行说明。

  Symbol library

　　Symbol library 提供 Design Vision GUI 中设计实现的图形符号，如果你使用脚本模式而不使用 GUI,此库可不指定 Symbol library

  Synthetic library

 　　即为 Designware library ,名字上翻译是综合库，但却常称之为IP库，而不是直译。特殊的 Designware library 是需要授权的（比如使用多级流水线的乘法器），默认的标准 Designware 由 DC 软件商提供，无需指定。

  Create_mw_lib :主要使用DC的物理综合的时候，需要生成物理库

　　③读入设计 ：

设计的读入过程是将设计文件载入内存，并将其转换为 DC 的中间格式,即GTECH 格式，GTECH 格式由“soft macros”  如  adders, comparators 等组成，这些组件来自 synopsys  的 synthetic lib，每种组件具有多种结构。

读入设计有两种实现方法实现方法：read  和  analyze & elaborate（实际上

read 是 analyze  与  elaborate 的打包操作  ），下面介绍二者在使用中的区别：

 

从中可以看到，analyze & elaborate  可以自由指定设计库，并生成 GTECH中间文件前生成.syn 文件存储于 work 目录下，便于下次 elaborate 节省时间，我们一般选择  analyze & elaborate 的方法读入设计。

　　④定义设计环境： 

定义对象包括工艺参数（温度、电压等），I/O 端口属性（负载、驱动、扇出），统计 wire-load 模型，设计环境将影响设计综合及优化结果。

　　⑤设置设计约束： 

设计约束包括设计规则约束和优化约束，设计规则约束（design  rule constraint）由工艺库决定，在设计编译过程中必须满足，用于使电路能按功能要求正常工作。设计优化约束定义了 DC 要达到的时序和面积优化目标，该约束由用户指定，DC 在不违反设计规则约束的前提下，遵循此约束综合设计。

　　⑥选择编译策略： 

对于层次化设计，DC 中有两种编译策略供选择，分别为 top down 和 bottom up。在 top down 策略中，顶层设计和子设计在一起编译，所有的环境和约束设置针对顶层设计，虽然此种策略自动考虑到相关的内部设计，但是此种策略不适合与大型设计，因为 top down 编译策略中，所以设计必须同时驻内存，硬件资源耗费大。在 bottom up 策略中，子设计单独约束，当子设计成功编译后，被设置为 dont_touch 属性，防止在之后的编译过程中被修改，所有同层子设计编译完成后，再编译之上的父设计，直至顶层设计编译完成。Bottom  up 策略允许大规模设计，因为该策略不需要所有设计同时驻入内存。

　　⑦编译： 

用 Compile 命令执行综合与优化过程，还可以利用一些选项指导编译和优化过程。

　　⑧分析及解决设计中存在的问题 

DC  可以产生一些报告以反应设计的综合和优化结果，如：时序、面积、约束等报告，这些报告有助于分析和解决设计中存在的问题以改善综合结果，我们还可以利用 check_design 命令检验综合的设计的一致性。

　　⑨存储设计数据 

DC 不会自动存储综合后的设计结果，因而需要在离开 DC 时手动存储设计数据。比如存储网表、延时信息等数据文件。