6.16 芯片后端面试题学习

最新推荐文章于 2023-08-14 10:38:03 发布

今天学习了吗2233

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文章标签： fpga开发

本文链接：https://blog.csdn.net/qq_41674050/article/details/131248660

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一. 简述数字IC设计流程

1. 项目需求。确定芯片的功能，由架构师来设计架构，用C/C++/Matlab等进行模拟仿真，得出可行的芯片设计方案

2. 前端。利用Verilog等硬件描述语言将体系结构转换为RTL（register-transfer level，寄存器传输级）的硬件描述语言代码，其中需要进行功能仿真验证（动态）、门级仿真（辅助验证）、形式仿真（静态）、STA、逻辑综合（将RTL级描述转化为门级表达，把代码翻译成元器件）

3. 后端。Floorplan、Power、place and route布局布线、PT、DRC（design rule check，设计规则检查）、LVS（layout versus schematic，版图电路图一致性检查）

4. 物理实现。将设计的GDS文件给芯片制造厂商进行物理实现，包括掩膜制作、晶圆加工、封装测试等环节

5. 芯片测试：对功能和性能进行测试

工艺节点的选择一方面取决于芯片产品性能需求（spec）、另一方面取决于生产成本

表示x层poly（栅极），y层金属层（高层用来走power）

1. 确定芯片面积：area=std cell area/0.65+macro area/0.82，确定模块尺寸

2. 对于多电源电压的设计，需要创建Voltage domain

3. 摆放macro、IP、IO，注意macro和IP的poly方向、出pin方向、memory之间是否需要留space、memeory原则上需要摆放在boundary边上，交互较多的macro放在一起，

（macro包括memory、PLL等各种IP）

4. 添加placement blockage和routing blockage

5. 对于多电源电压的设计，需要添加power switch cell，来控制std cell电源的开关

6. 添加一些特殊的cell（phtsical cell）：

tap cell：也称boundary cells，放在macro、row的两端，std cell的上下边界，防止闩锁效应（两个BJT（三极管）导通，在VDD和VSS之间产生低阻抗电路，两个晶体管反馈电路增益乘积大于1，会使VDD和VSS之间产生大电流）

endcap cell：包围模块四周和macro四周，为了保证栅以及氧化层的一致性，需要在标准单元row两端放置endcap，相当于一种dummy管子，用来保证两边的标准单元左右环境的一致性，避免在光刻时，由于最两端标准单元左右环境不一致导致的性能差异

（tie cell：进行esd静电保护二极管，固定电平，普通隔离作用

decap cell：小电容器，减小动态电压降

filler cell：填充标准单元row中的空白区域，没有逻辑连接）

1.符合data flow

2.congestion map和cell density适度（拥挤和密度）

3. routing drc相对clean

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