DDR5 与 DDR4 DRAM——所有优势和设计挑战

最新推荐文章于 2025-02-24 22:36:44 发布
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分类专栏： 硬件设计提升之路 FPGA技术汇总分享 文章标签： 单片机 嵌入式硬件 DDR DDR5 内存发展
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DDR5 SDRAM 标准的发布带来了性能显著提升，如带宽扩展至8.4 GT/s，更低的工作电压，新电源架构，双通道设计，更长的突发长度等。然而，这些改进也带来了设计挑战，如信号完整性，电源管理及散热。DDR5内存接口芯片组通过增强信号完整性和管理电源，助力克服这些挑战。

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JEDEC 宣布发布 JESD79-5 DDR5 SDRAM 标准，标志着行业向 DDR5服务器和客户端双列直插式内存模块(DIMM) 过渡。DDR5 内存带来了许多关键的性能提升，同时也带来了新的设计挑战。计算系统架构师、设计师和购买者想知道 DDR5 与 DDR4 的新特性，以及他们如何从新一代内存中获得最大收益。

在本文中：
DDR5 与 DDR4 相比有何变化？
DDR5 的设计挑战是什么？
DDR5 内存接口芯片组如何利用 DDR5 的 DIMM 优势？

性能：DDR5 与 DDR4 DRAM 相比有何变化？

下表 1 显示了从 DDR4 到 DDR5 DIMM 过渡过程中最重要的七大规范进步。

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1. DDR5 扩展至 8.4 GT/s

您永远无法获得足够的内存带宽，

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DDR5 PCB 设计与信号完整性全攻略（实战篇）
weixin_43199439的博客
04-06 58
DDR5 的速率起点就是 DDR4 的上限，例如 JEDEC 标准下 DDR5-4800 就已经是常规速度，而 DDR5-6400 已成为很多平台的目标速度。这种速率意味着信号在 PCB 上传播的时间非常短，例如一个 6400 MT/s 的信号，一个位周期大概只有 156ps。DDR4 是“高速设计”，DDR5 是“极限设计”。布线时不能只考虑功能通、时序对，要从一开始就考虑完整的 SI 框架。
JESD79-5 DDR5 标准设计参考.zip
05-08
This document defines the DDR5 SDRAM specification, including features, functionalities, AC and DC characteristics, packages, and ball/signal assignments. The purpose of this Standard is to define the minimum set of requirements for JEDEC compliant 8Gb through 32Gb for x4, x8, and x16 DDR5 SDRAM devices. This standard was created based on the DDR4 standards (JESD79-4) and some aspects of the DDR, DDR2, DDR3 & LPDDR4 standards (JESD79, JESD79-2, JESD79-3 & JESD209-4).
DRAM/DDR4技术原理详解
flomingo1的专栏
04-26 2488
以数据位宽64bit的DDR控制器为例，将4颗位宽16bit的DDR4芯片进行并联，类似Bank内Cell阵列的并联，共用地址线，64根数据线分为4组，每组16根分别连接4颗DDR4芯片，这4颗DDR4芯片便组成一个Rank。在DDR控制器对一个Rank进行数据读写的过程中，这4颗DDR4芯片同时工作，访问相同的地址，即相同的行和列。CPU使用数据过程中，会将数据缓存在Cache中，在读写数据时，先检测Cache中是否有所需要的数据，如果有，就直接读写Cache，而无需访问DDR，大大提高了读写效率。
【硬件设计】DDR3、DDR4、DDR5、DDR6性能对比与硬件设计要点
最新发布
XZ_ZC的博客
02-24 1283
性能提升：从DDR3到DDR6，带宽提升超15倍，功耗下降50%以上56。设计复杂度：硬件设计从分立电源管理转向集成化、智能化（如DDR5 PMIC）。应用场景DDR3：仍用于工控设备和低端嵌入式系统。DDR4：主流数据中心和消费电子。DDR5/6：AI服务器、超算和高性能图形处理的核心内存54。如需进一步了解具体设计案例，可参考JEDEC标准文档或上述技术白皮书1345。
什么是DRAM？
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当今计算设备中使用了各种各样的易失性和非易失性内存单元，与静态随机存取存储器（SRAM）相比，动态随机存取存储器（DRAM）是最常用的架构之一，因为它具有成本效益。本文简要概述了不同类型的DRAM之间的主要区别，包括同步动态存取存储器（SDRAM）和各种类型双倍数据速率（DDR）。 什么是DRAM？ DRAM由一系列电容器组成，旨在为随机存取存储器（RAM）存储单个比特。RAM是一种可以访问数据元素的存储器，无论其在序列中的位置如何。因此，从本质上讲，访问任何数据所需的时间是恒定的。 存取晶体管和存储
DDR5芯片系统框图详解
flomingo1的专栏
05-28 2598
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一般来说，均衡的目的是操纵信号，以补偿信道的损耗和色散。ISI可能是由不适当的端接、信道中的大电容负载或色散效应反射的信号引起的，其中较高的频率往往比较低的频率衰减得更多，导致信道表现得像低通滤波器。反射可能是由于通道中的短截线或不均匀性、与通道阻抗不正确匹配的片上端接（ODT）值或非最佳驱动器阻抗而产生的在这种情况下，来自一个符号的能量在信道中停留的时间比符号持续时间长。在DRAM处启用DFE的情况下，控制器处的FFE在一定程度上有助于眼睛的高度和宽度，但仅使用带有一个前光标和四个后光标的6抽头FFE。
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本论文介绍了基于IBIS-AMS模型的DDR5信号完整性仿真优化过程。
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2021 年，JEDEC 宣布发布 JESD79-5 DDR5 SDRAM 标准，标志着行业向 DDR5dual-inline memory modules（DIMM） 的过渡。DDR5 内存带来了许多关键的性能提升，以及新的设计挑战。计算系统架构师、设计人员和购买人员都想知道 DDR5 与 DDR4 有什么新功能，以及他们如何充分利用新一代内存。本文内容：DDR5 与 DDR4 有什么变化...
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2020年2月6日，美光科技宣布交付全球首款量产的低功耗DDR5 DRAM 芯片，随后，三星S20系列和小米10系列手机先后发布，全新的LPDDR5内存成为两家的共同卖点之一，这也预示着DDR5的时代即将到来。今天我们就来聊一聊DDR5的发展过程，设计难题以及如何通过仿真来应对DDR5设计挑战。 本文主要目录： 01.DDR技术的发展历程 02.DDR5的出现，带来了哪些设计挑战？ 03.如何通过仿真及建模中的创新克服DDR5技术挑战 04.DDR5仿真解决方案 05.DDR5仿真实例 ...
存储器（二）：DRAM
既有随处可栖的江湖，也有追风逐梦的骁勇！
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DDR controller 发出一个 ACT 信号（CS_n 定位 Rank，BA 定位 Bank，Address 定位行、列），对应的 Bank 上的 Sense Amp 便加载对应行的数据，即把 Page 打开，然后按照 Burst 顺序，将连续的列地址的数据进行连续地读出。地址选择信号，（其中 A10/AP，A12/BC_n，A14/WE_n，A15/CAS_n，A16/RAS_n有其它功能，A17仅用于16Gb）命令激活信号，为低电平时，可以通过A[14:16]地址信号线选择激活命令的行地址；
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内存DDR4和DDR5的区别
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功能，可以理解为ECC的低配版，On-die Ecc只能纠错内存内部，而常说的Ecc，一般会有额外的颗粒分配给Ecc。，DDR5内存对CPU多线程有一定的提升，对独显基本没有提升，但是由于DDR5内存频率高，所以对游戏的帧数。（2）工作电压，DDR5相比DDR4拥有更高的能耗比，DDR4的工作电压为1.2V，而DDR5的工作电压下降至1.1V，是有一定的提升，或许核显上表现会更好。（4）单芯片密度，DDR5单芯片密度较高，单颗粒可达16GB，而DDR4单颗粒只有4GB的容量，所有DDR4的内存的。
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因果性指的是一个系统的输出响应是否合理且符合物理规律，也就是输出不能早于输入。如果通道模型存在非因果响应（Non-Causal Response），那么该模型可能并不符合实际情况，会导致设计失真或错误。
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