FC封装理论点——学习笔记

FC的工艺流程

倒装芯片的主要工艺步骤包括：底部金属层UBM（Under Bump Metallurgy），凸点制作（Bumping），互连（Interconnection），底部填充（Underfilling）和固化（Curing）

UBM沉积

因为焊料等不能和芯片上的AL pad基地直接互联，所以需要在Arpad上沉积过渡层，称之为底部金属沉积。
UBM一般包括三层，第一层为黏附层Adhesion layer， Ti，Cr，TiW 提供与Al Pad的连接厚度约（0.15~2um），有较强的粘附性，第二层为润湿层（Wetting layer），材料为Ni，Cu，Mo，Pt在高温回流焊锡球时可完全黏附成球，厚度（1~5um）。第三层为保护层（Protective layer）采用Au来保护Ni，Cu等材料被氧化。厚度（0.05~0.1um）。目前常用的沉积工艺主要有：
溅射，用溅射的方法一层一层地在硅片上沉积薄膜，然后通过照相平板技术形成UBM图图样，然后蚀刻掉不是图样的部分。
蒸镀，利用掩膜，通过蒸镀的方法在硅片上一层一层地沉积。这种选择性的沉积的淹模可用于对应凸点的形成之中。
化学镀，采用化学镀的方法在Al焊盘上选择性地镀Ni。常常用锌酸盐工艺对Al表面进行处理。无需真空及图样蚀刻设备，成本低。

凸点制作

在UBM准备好后，要在上面制备出一定厚度的球形或者方形凸点，作为芯片互连的引脚。凸点常用的材料是Pb/Sn合金。

蒸镀焊料凸点

基本步骤为1）硅片溅射清洗，沉积金属前去除氧化为或者照相掩模。同时使得硅片钝化层以及焊盘表面粗糙以提高对UBM的结合力。2）金属掩模，常常用带图样的钼金属掩模来覆盖硅片以利于UBM以及凸点金属的沉积。金属掩模组件一般由背板，弹簧，金属模板以及夹子等构成。硅片被夹在背板与金属模板之间，然后通过手动对位，对位公差可控制在25um。3) UBM 蒸镀，然后按照顺序蒸镀Cr 层，CrCu层，Cu层以及Au层。4）焊料蒸镀，在UBM表面蒸镀一层97Pb/Sn或者95Pb/Sn，厚度约为100~125um。形成一个圆锥台形状。5）凸点成球，在C4工艺中，凸点回流成球状。

电镀凸点

电镀是一个比较流行的工艺，其设备成本低，设施占地少，有很多的电镀工艺可以采用。传统的电镀沿用蒸镀使用的Cr/Cr-Cu/Cu结构的UBM和使用高铅合金。

锡膏印刷凸点

目前各种焊膏印刷技术可达到250um的细间距。工艺步骤有清洗，UBM沉积，图形刻蚀成型，焊膏印刷以及回流。

钉头焊料凸点

使用标准的导线键合中的方法来形成凸点，Au丝线或者Pb基的丝线。其过程与导线键合基本相同，唯一的差别就是：球在键合头形成之后就键合到焊盘商，其丝线马上从球顶端截断。这种方法要求UBM与使用的丝线相容。然后这种图钉式的凸点通过回流或者整形方法形成一个圆滑的形状，以获得一致的凸点高度。一般地，这种凸点与导电胶或者焊料配合使用以进行组装互连。

互连组装

出现了焊料和电胶两种连接材料，焊料互连一般采用回流，热压，热声等互连方法；而导电胶互连则采用热压粘结方法。与传统的SMD组装比，倒装芯片组装需要一些额外的工具与步骤，如：芯片转载单元，焊剂涂敷单元，浸渍步骤或者焊剂槽以及底部填充与固化设备。倒装工艺有其特殊性，该工艺引入助焊剂工艺，将器件浸蘸在助焊剂薄膜里让器件焊球蘸取一定量的助焊剂，再将器件贴装再基板上，然后回流焊接。或者将助焊剂预先施加在基板上，再贴装器件与回流焊接。助焊剂在回流之前起到固定器件的作用，回流过程中起到润湿焊接表面增强可焊性的作用。
上述倒装芯片组装工艺是针对C4器件而言。另外一种工艺是利用各向异性导电胶（ACF）来装配倒装芯片。预先在基板上施加异性导电胶，贴片头用较高压力将器件贴装在基板上，同时对器件加热，使导电胶固化。该工艺要求贴片具有非常高的精度，同时贴片头具有大压力及加热功能。对于非C4器件的装配，趋向采用此工艺。

吸嘴与压力的选择

由于倒装芯片基材是硅，表面非常平整光滑，最好选择头部是硬质塑料具有多孔的ESD吸嘴。如果头部选择橡胶的吸嘴，随着橡胶的老化，在贴片过程中可能会粘连器件，造成贴片偏移或带走器件。
在取料，助焊剂浸蘸过程中施以较大的压力容易将其压裂，同时细小的凸点在此过程中容易压变形，所以尽量使用比较低的贴装压力，一般要求在150g左右，对于超薄形芯片如0.3mm，有时甚至要求贴装压力控制在35g。

助焊剂的选择

助焊剂应用单元是控制助焊剂浸蘸工艺的重要部分，其工作的基本原理就是要获得设定厚度的稳定的助焊剂薄 膜，以便于器件各焊球蘸取的助焊剂的量一致。要精确稳定的控制助焊剂薄膜的厚度，同时满足高速浸蘸的要求，该助焊剂应用单元必须满足以下要求：

• 可以满足多枚器件同时浸蘸助焊剂（如同时浸蘸 4 或 7 枚）提高产量；
• 助焊剂用单元应该简单、易操作、易控制、易清洁；
• 可以处理很广泛的助焊剂或锡膏，适合浸蘸工艺的 助焊剂粘度范围较宽，对于较稀和较粘的助焊剂都要能处理，而且获得的膜厚要均匀；
• 蘸取工艺可以精确控制， 浸蘸的工艺参数因材料的不同而会有差异， 所以浸蘸过程工艺参数必须可以单独控制，如往下的加速度、压力、停留时间、向上的加速度等

底部填充

倒装芯片组装焊接完成后，需要在器件底部和基板之间填充一种胶（一般为环氧树脂材料）。底部填充分为“毛细流动原理”的流动性和非流动性（No-follow）底部填充。在倒装芯片中，热应力的主要来源是硅基芯片和有机基板的热膨胀系数差异。硅基芯片CTE一般是2.5到6ppm/℃，而一般FR4型号的有机PCB板的CTE是18到24 ppm/℃。因此，当芯片受热时，焊点两边芯片和基板的膨胀变形不均匀，产生内应力，易使焊点脱落或断裂。底部填充胶的发明便是为了解决这一问题，使低成本和低介电常数的有机PCB板得以应用于倒装芯片中。加入了底部填充胶后，热应力就不再集中在焊点上，而是分散在芯片，底部填充胶和基板中。实验表明，底部填充胶能将焊点上的应力减少至0.1到0.25倍，并延长10到100倍疲劳寿命。此外，底部填充胶还能对焊点进行保护。减少外部环境的机械冲击。因此，底部填充胶称为了倒装芯片技术中不可或缺的组成部分，近年来无论是加工工艺还是材料组成都有很大的发展，使其可靠性进一步提升。

底部填充工艺

底部填充工艺分为流动填充和非流动填充。传统的流动填充如下图10，先在基板上分配助溶剂，再将已沉积好凸块的芯片倒置再基板上，通过回流焊技术将芯片与基板相连，并喷洒清理溶剂去除剩余的助溶剂。当芯片与基板组装后，底部填充胶由毛细现象填入芯片与基板之间的空隙中。最后通过加热使底部填充胶固化，完成封装。
非流动填充工艺如先将底部填充胶涂在基板上，再将芯片倒置与其上并同时完成焊接和固化。这种新颖的非流动加工方式去除了加助溶剂与清理助溶剂两道工序。避免了毛细填充法流动慢的弊端，而且将回流焊和固化结合在一步中，大大提升了加工效率。由于非流动底部填充的发展，倒装芯片工艺得以进一步使用表面组装技术。

填充关键工艺

在底部填充过程中要控制好三个关键工艺。1）填充量，填充不足热应力导致芯片开裂。过多的填充又会溢流到芯片底部以外。填充取决于填充空间的精确计算以及填充工具的精度。。2）填充温度，预热，加热以及填充后的加热对其流动性有很大影响，根据不同的胶水性能，填充胶量控制摸索适合的温度参数。3）填充方法，从一边填充会导致流动过长，从两边填充会导致内部产生气孔。所以不同的填充方式都有不同的工艺参数。

检查

• 利用光学显微镜进行外观检查。譬如检查填料在器件侧面爬升的情况，是否形成良好的边缘圆角，器件表面是否有脏污等
• 利用 X 射线检查仪检查焊点是否短路，开路，偏移，润湿情况，焊点内空洞等
• 电气测试（导通测试） ，可以测试电气联结是否有 问题。对于一些采用菊花链设计的测试板，通过通断测试还可以确定焊点失效的位置
• 利用超声波扫描显微镜（ C-SAM ）检查底部填充后其中是否有空洞、分层，流动是否完整破坏性的检查可以对焊点或底部填料进行切片，结合光学显微镜，金相显微镜或电子扫描显微镜和能
• 谱分析仪 （ SEM/EDX ） ，检查焊点的微观结构，例如，微裂纹 / 微 孔，锡结晶，金属间化合物，焊接及润湿情况，底部填充 是否有空洞、裂纹、分层、流动是否完整等。
• 切片分析（ cross section）。切片（cross section)是用特制液态树脂将样品包裹固封，然后进行研磨抛光的一种制样方法，检测流程包括取样、固封、研磨、抛光、最后提供形貌照片、开裂分层大小判断或尺寸等数据。目的：电子元器件表面及内部缺陷检查及SMT制程改善&验证。 适用范围：适用于电子元器件结构剖析，PCBA焊接缺陷，焊点上锡形态及缺陷检测等
• 红外显微镜观测，由于纯硅片对于其吸收限1.06um以上波长的红外线是透明的，因此在红外显微镜下可以透过倒装芯片观测到正面器件版图以及焊接凸点。