成果展示：界面极化场调控AlGaN基DUV LED中载流子的输运行为

Simucal

于 2021-05-20 17:34:36 发布

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分类专栏：半导体器件

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天津赛米卡尔科技有限公司技术团队通过调控AlGaN基深紫外LED（DUV LED）最后一个量子垒与电子阻挡层界面极化场，改善了器件的载流子输运，从而提高光输出功率和外量子效率。研究发现，增加量子垒的Al组分可以增强空穴注入效率，同时抑制电子泄漏，进而提升DUV LED的发光效率。该成果已发表在Optical Materials Express上。

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AlGaN基深紫外发光二极管（DUV LED）凭借其工作电压低、功耗低、无污染、体积小、易于集成、直流驱动等优势，不仅替代了传统汞灯在聚合物固化、杀菌医疗、废水处理等领域的应用，而且把健康、环保、节能的生活理念带进了千家万户，并形成了庞大的DUV LED新兴市场，如便携式消毒电子产品市场、白色家电市场、母婴用品市场等。由于影响AlGaN基DUV LED应用潜力的关键性能指标有发光波长、光输出功率和外量子效率（EQE）等，而DUV LED内部的载流子输运及复合机制又是决定器件性能的关键因素。因此，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队提出了调控DUV LED中最后一个量子垒（LQB）与电子阻挡层（p-EBL）界面极化场的设计方案来改善DUV LED内部的载流子输运情况。该技术团队根据仿真设计方案制备了具有低Al组分量子垒结构的器件A和具有高Al组分量子垒结构的器件B。如图1（a）和图1（b）所示，器件A和器件B的发光波长均为275 nm，该波段可以实现高效的杀菌效果。此外，根据图1（c）和图1（d）可以看出适当地提高DUV LED中量子垒的Al组分，可以有效地提高DUV LED的光输出功率和EQE。
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