AlGaN基深紫外发光二极管(DUV LED)凭借其工作电压低、功耗低、无污染、体积小、易于集成、直流驱动等优势,不仅替代了传统汞灯在聚合物固化、杀菌医疗、废水处理等领域的应用,而且把健康、环保、节能的生活理念带进了千家万户,并形成了庞大的DUV LED新兴市场,如便携式消毒电子产品市场、白色家电市场、母婴用品市场等。由于影响AlGaN基DUV LED应用潜力的关键性能指标有发光波长、光输出功率和外量子效率(EQE)等,而DUV LED内部的载流子输运及复合机制又是决定器件性能的关键因素。因此,天津赛米卡尔科技有限公司技术团队提出了调控DUV LED中最后一个量子垒(LQB)与电子阻挡层(p-EBL)界面极化场的设计方案来改善DUV LED内部的载流子输运情况。该技术团队根据仿真设计方案制备了具有低Al组分量子垒结构的器件A和具有高Al组分量子垒结构的器件B。如图1(a)和图1(b)所示,器件A和器件B的发光波长均为275 nm,该波段可以实现高效的杀菌效果。此外,根据图1(c)和图1(d)可以看出适当地提高DUV LED中量子垒的Al组分,可以有效地提高DUV LED的光输出功率和EQE。
图1. 不同电流驱动下,(a)器件A和(b)器件B的电致发光光谱图;器件A和器件B的(c)光输出功率和(d)外量子效率;图(d)中的内嵌图为紫外积分球测试系统。
为了揭示量子垒中的Al组分